Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLS7G3135LS-350P,1
BLS7G3135LS-350P,1

BLS7G3135LS-350P,1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS7G3135LS-350P,1
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLS7G3135LS-350P,1 при покупке от 1 шт 170910.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS7G3135LS-350P,1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS7G3135LS-350P,1

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    3.5GHz
  • Усиление
    10dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    320W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B
  • Base Product Number
    BLS7G3135
Техническая документация
 BLS7G3135LS-350P,1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 20 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    170 910 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLS7G3135LS-350P,1
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539BВсе характеристики

Минимальная цена BLS7G3135LS-350P,1 при покупке от 1 шт 170910.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLS7G3135LS-350P,1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLS7G3135LS-350P,1

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    3.5GHz
  • Усиление
    10dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    320W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-539B
  • Исполнение корпуса
    SOT539B
  • Base Product Number
    BLS7G3135
Техническая документация
 BLS7G3135LS-350P,1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    18 306Кешбэк 2 745 баллов
    CGH55015F2Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    28 526Кешбэк 4 278 баллов
    AFT09S282NR3Транзистор: FET RF 70V 960MHZ OM-780-2
    29 495Кешбэк 4 424 балла
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 144Кешбэк 171 балл
    MRF5S19060NBR1Транзистор: FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4
    9 163Кешбэк 1 374 балла
    MMBF5486Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    MW7IC2020NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V 24PQFN
    28 503Кешбэк 4 275 баллов
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    3 440Кешбэк 516 баллов
    BLF8G24LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
    15 049Кешбэк 2 257 баллов
    BLC9G20LS-361AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    13 373Кешбэк 2 005 баллов
    BLF8G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT502B
    15 690Кешбэк 2 353 балла
    MRF6VP2600HR5Транзистор: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
    68 725Кешбэк 10 308 баллов
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    17 295Кешбэк 2 594 балла
    BF1100R,215Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143
    54Кешбэк 8 баллов
    MRF166CТранзистор: FET RF 65V 500MHZ 319-07
    14 428Кешбэк 2 164 балла
    BLF8G27LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
    12 539Кешбэк 1 880 баллов
    3SK293(TE85L,F)Транзистор: FET RF 12.5V 800MHZ USQ
    106Кешбэк 15 баллов
    UF2820PТранзистор: MOSFET 20W 28V 100-500MHZ
    27 486Кешбэк 4 122 балла
    BLP15M7160PYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT12232
    17 956Кешбэк 2 693 балла
    MRF157Транзистор: FET RF 125V 80MHZ 368-03 1=1PC
    201 944Кешбэк 30 291 балл
    VRF152Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    20 291Кешбэк 3 043 балла
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    29 983Кешбэк 4 497 баллов
    BLF7G10L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
    24 348Кешбэк 3 652 балла
    BLF7G20LS-200,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    17 723Кешбэк 2 658 баллов
    PD54003-EТранзистор: FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
    2 305Кешбэк 345 баллов
    BLA6H0912-500,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
    167 030Кешбэк 25 054 балла
    MRF148AТранзистор: FET RF 120V 175MHZ 211-07
    13 097Кешбэк 1 964 балла
    BLF7G24L-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
    27 019Кешбэк 4 052 балла
    BLF6G38LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT502B
    18 348Кешбэк 2 752 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП