Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BS107P
  • В избранное
  • В сравнение
BS107P

BS107P

BS107P
;
BS107P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    BS107P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена BS107P при покупке от 1 шт 151.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BS107P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BS107P

BS107P DIODES INCORPORATED MOSFET N-CH 200V 120mA TO92-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (Vgs(th)): не более 4 В
    • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (Vce): 200 В
    • Максимальный ток между коллектором и эмиттером (Ic): 120 мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток стока при отключенном канале
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Малая тепловая нагрузка
  • Минусы:
    • Низкий максимальный ток
    • Не подходит для высоковольтных приложений
    • Не рекомендуется для тяжелых нагрузок
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение низковольтных сигналов
    • Изоляция между различными частями электронной схемы
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы и микроконтроллеры
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Телевизоры и другие виды электронной аппаратуры
    • Автомобильные системы управления
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BS107P

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.6V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30Ohm @ 100mA, 5V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    BS107

Техническая документация

 BS107P.pdf
pdf. 0 kb
  • 1170 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    151 ₽
  • 10
    112 ₽
  • 25
    95 ₽
  • 100
    85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    BS107P
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3Все характеристики

Минимальная цена BS107P при покупке от 1 шт 151.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BS107P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BS107P

BS107P DIODES INCORPORATED MOSFET N-CH 200V 120mA TO92-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (Vgs(th)): не более 4 В
    • Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером (Vce): 200 В
    • Максимальный ток между коллектором и эмиттером (Ic): 120 мА
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Малый ток стока при отключенном канале
    • Устойчивость к электрическим разрядам
    • Малая тепловая нагрузка
  • Минусы:
    • Низкий максимальный ток
    • Не подходит для высоковольтных приложений
    • Не рекомендуется для тяжелых нагрузок
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Переключение низковольтных сигналов
    • Изоляция между различными частями электронной схемы
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы и микроконтроллеры
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Телевизоры и другие виды электронной аппаратуры
    • Автомобильные системы управления
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BS107P

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.6V, 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30Ohm @ 100mA, 5V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    BS107

Техническая документация

 BS107P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC040N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
    520Кешбэк 78 баллов
    IRFP250NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
    520Кешбэк 78 баллов
    IRF3805PBFMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    520Кешбэк 78 баллов
    IRF5210PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
    522Кешбэк 78 баллов
    IRL1404ZPBFMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
    522Кешбэк 78 баллов
    IPW60R125P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
    522Кешбэк 78 баллов
    IRF6643TRPBFMOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
    526Кешбэк 78 баллов
    IPD65R190C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
    528Кешбэк 79 баллов
    IRF1010ZPBFMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    528Кешбэк 79 баллов
    IRFB4310PBFMOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
    528Кешбэк 79 баллов
    BSZ300N15NS5ATMA1
    530Кешбэк 79 баллов
    IPD50N10S3L16ATMA1MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
    530Кешбэк 79 баллов
    IRF3415STRLPBFMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    530Кешбэк 79 баллов
    IRFSL5615PBF
    532Кешбэк 79 баллов
    IPD60R180C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
    534Кешбэк 80 баллов
    IRFI3205PBFMOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
    534Кешбэк 80 баллов
    IRFS4410ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
    536Кешбэк 80 баллов
    IPD90N10S4L06ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
    536Кешбэк 80 баллов
    IRF1010ZSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    536Кешбэк 80 баллов
    IPD65R225C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
    538Кешбэк 80 баллов
    IRFB3306GPBFMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    539Кешбэк 80 баллов
    IPP60R280P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
    541Кешбэк 81 балл
    IPD90N04S304ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    547Кешбэк 82 балла
    AUIRFR8403TRLMOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    547Кешбэк 82 балла
    IRFS4310ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    549Кешбэк 82 балла
    IRFB4228PBFMOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
    549Кешбэк 82 балла
    IRFP054NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
    549Кешбэк 82 балла
    IRF6727MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    551Кешбэк 82 балла
    IPB80N06S2L11ATMA2MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    551Кешбэк 82 балла
    IRL3705ZSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    551Кешбэк 82 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП