Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSC018NE2LSATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1
;
BSC018NE2LSATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC018NE2LSATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC018NE2LSATMA1 при покупке от 1 шт 316.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC018NE2LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 25В 29А/100А TDSON — это полупроводниковый транзистор, используемый для управления электрическими цепями. Основные параметры:

  • Тип: MOSFET (MOSFET)
  • Тип полярности: N-Ч
  • Номинальное напряжение: 25В
  • Номинальный ток: 29А (в режиме импульсного питания), 100А (в режиме непрерывной работы)
  • Форм-фактор: TDSON

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Низкий сопротивление резистора включенного состояния
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к шумам

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при высоких токах
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от скачков напряжения

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильная электроника
  • Инверторы
  • Приводы двигателей
  • Системы энергосбережения
  • Сетевые адаптеры и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики BSC018NE2LSATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2800 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-1
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC018

Техническая документация

 BSC018NE2LSATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4006 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    316 ₽
  • 10
    200 ₽
  • 100
    134 ₽
  • 1000
    96 ₽
  • 5000
    76 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC018NE2LSATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC018NE2LSATMA1 при покупке от 1 шт 316.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC018NE2LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 25В 29А/100А TDSON — это полупроводниковый транзистор, используемый для управления электрическими цепями. Основные параметры:

  • Тип: MOSFET (MOSFET)
  • Тип полярности: N-Ч
  • Номинальное напряжение: 25В
  • Номинальный ток: 29А (в режиме импульсного питания), 100А (в режиме непрерывной работы)
  • Форм-фактор: TDSON

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Низкий сопротивление резистора включенного состояния
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к шумам

Минусы:

  • Высокие требования к проектированию системы охлаждения при высоких токах
  • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от скачков напряжения

Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как:

  • Автомобильная электроника
  • Инверторы
  • Приводы двигателей
  • Системы энергосбережения
  • Сетевые адаптеры и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики BSC018NE2LSATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2800 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 69W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-1
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC018

Техническая документация

 BSC018NE2LSATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFR4105TRPBFMOSFET N-CH 55V 27A DPAK
    308Кешбэк 46 баллов
    IRFH7440TRPBFMOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN
    308Кешбэк 46 баллов
    IRF60R217MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
    308Кешбэк 46 баллов
    SPP100N03S2-03MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3
    308Кешбэк 46 баллов
    IRF9310TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
    308Кешбэк 46 баллов
    IRFB7434GPBFMOSFET N CH 40V 195A TO220AB
    308Кешбэк 46 баллов
    IRF1018EPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
    309Кешбэк 46 баллов
    IPA60R250CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
    310Кешбэк 46 баллов
    IPD90N04S3H4ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    310Кешбэк 46 баллов
    IPP65R280C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3
    310Кешбэк 46 баллов
    IRLB3813PBFMOSFET N-CH 30V 260A TO220AB
    310Кешбэк 46 баллов
    IRFB3206GPBFMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    310Кешбэк 46 баллов
    IRFR7440TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK
    310Кешбэк 46 баллов
    IRLU3410PBFMOSFET N-CH 100V 17A IPAK
    312Кешбэк 46 баллов
    IRFR540ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 35A DPAK
    314Кешбэк 47 баллов
    BSC052N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 95A TDSON
    316Кешбэк 47 баллов
    BSC070N10NS5ATMA1MOSFET N-CH 100V 80A TDSON
    316Кешбэк 47 баллов
    BSC018NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
    316Кешбэк 47 баллов
    BSZ075N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
    318Кешбэк 47 баллов
    IRF6775MTRPBFMOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
    318Кешбэк 47 баллов
    IRLR8743TRPBFMOSFET N-CH 30V 160A DPAK
    318Кешбэк 47 баллов
    IRLR2905TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    318Кешбэк 47 баллов
    SPI12N50C3XKSA1MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
    318Кешбэк 47 баллов
    IRFB4020PBFMOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
    320Кешбэк 48 баллов
    IRFR2905ZTRPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    320Кешбэк 48 баллов
    IRF2805SPBFMOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
    320Кешбэк 48 баллов
    IRF4104PBF
    320Кешбэк 48 баллов
    IRF9540NPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
    322Кешбэк 48 баллов
    IRFH9310TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 21A/40A PQFN
    322Кешбэк 48 баллов
    SPD15P10PLGBTMA1MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
    322Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП