Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSC032NE2LSATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC032NE2LSATMA1

BSC032NE2LSATMA1

BSC032NE2LSATMA1
;
BSC032NE2LSATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC032NE2LSATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC032NE2LSATMA1 при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC032NE2LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC032NE2LSATMA1

BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 25В 22А/84А TDSON

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Рабочее напряжение: 25В
    • Максимальный ток: 22А (непрерывный) / 84А (пульсирующий)
    • Форм-фактор: TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Эффективность работы даже при высоких температурах
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за высокой мощности
    • Необходимо соблюдать правила безопасности при работе с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Компонент в трансформаторных преобразователях
    • Изоляция цифровых сигналов в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Системы управления двигателей в бытовой технике
    • Источники бесперебойного питания
    • Мощные инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики BSC032NE2LSATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Ta), 84A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1200 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-6
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC032

Техническая документация

 BSC032NE2LSATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1558 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    76 ₽
  • 10
    75 ₽
  • 100
    68 ₽
  • 500
    66 ₽
  • 5000
    54 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC032NE2LSATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC032NE2LSATMA1 при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC032NE2LSATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC032NE2LSATMA1

BSC032NE2LSATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-Ч 25В 22А/84А TDSON

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Рабочее напряжение: 25В
    • Максимальный ток: 22А (непрерывный) / 84А (пульсирующий)
    • Форм-фактор: TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
    • Эффективность работы даже при высоких температурах
    • Устойчивость к ударным нагрузкам
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию системы охлаждения из-за высокой мощности
    • Необходимо соблюдать правила безопасности при работе с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателей
    • Компонент в трансформаторных преобразователях
    • Изоляция цифровых сигналов в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Системы управления двигателей в бытовой технике
    • Источники бесперебойного питания
    • Мощные инверторы
Выбрано: Показать

Характеристики BSC032NE2LSATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Ta), 84A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1200 pF @ 12 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-6
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC032

Техническая документация

 BSC032NE2LSATMA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSS138NH6433XTMA1MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BSL296SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6
    60Кешбэк 9 баллов
    IRLML6344TRPBFMOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    BSS806NEH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
    62Кешбэк 9 баллов
    IRF9393TRPBFMOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
    63Кешбэк 9 баллов
    BSP318SL6327HTSA1MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
    64Кешбэк 9 баллов
    IRLML9303TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    IRFR024NTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    66Кешбэк 9 баллов
    BSS670S2LH6433XTMA1MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    IRFHM8329TRPBFMOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
    68Кешбэк 10 баллов
    IRLML5203TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
    69Кешбэк 10 баллов
    IPS65R1K5CEAKMA1MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFZ34NPBFMOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLTS6342TRPBFMOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLML5103TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD316SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML0030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD214SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2060TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML9301TRPBFMOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
    73Кешбэк 10 баллов
    IPU60R2K0C6AKMA1MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
    76Кешбэк 11 баллов
    BSC032NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
    76Кешбэк 11 баллов
    BSS225H6327FTSA1MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
    76Кешбэк 11 баллов
    IPD075N03LGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
    77Кешбэк 11 баллов
    BSP296NH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
    77Кешбэк 11 баллов
    IRFZ24NPBFMOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
    78Кешбэк 11 баллов
    IRLML6401TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
    79Кешбэк 11 баллов
    BSS127H6327XTSA2MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
    79Кешбэк 11 баллов
    IRFTS8342TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    79Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП