Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSC0501NSIATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1
;
BSC0501NSIATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC0501NSIATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC0501NSIATMA1 при покупке от 1 шт 292.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC0501NSIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 30В
    • Максимальный ток: 29А в режиме тяжелой нагрузки, 100А в режиме кратковременной нагрузки
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях на входе
    • Низкий коэффициент дугового восстановления
    • Высокая скорость переключения
    • Малые размеры и легкость установки в корпусе TDSON
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с высокими токами и частотами
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных цепях
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Питание и зарядка аккумуляторов
    • Мобильные устройства и ноутбуки
Выбрано: Показать

Характеристики BSC0501NSIATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2200 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    Schottky Diode (Body)
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-6
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC0501

Техническая документация

 BSC0501NSIATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 5322 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    292 ₽
  • 10
    199 ₽
  • 500
    118 ₽
  • 2000
    107 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC0501NSIATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC0501NSIATMA1 при покупке от 1 шт 292.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC0501NSIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Infineon Technologies. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 30В
    • Максимальный ток: 29А в режиме тяжелой нагрузки, 100А в режиме кратковременной нагрузки
    • Тип: N-канальный
    • Пакет: TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях на входе
    • Низкий коэффициент дугового восстановления
    • Высокая скорость переключения
    • Малые размеры и легкость установки в корпусе TDSON
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе с высокими токами и частотами
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных цепях
    • Регулирование напряжения
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Питание и зарядка аккумуляторов
    • Мобильные устройства и ноутбуки
Выбрано: Показать

Характеристики BSC0501NSIATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.9mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2200 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    Schottky Diode (Body)
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 50W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-6
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC0501

Техническая документация

 BSC0501NSIATMA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RT1A060APTRMOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
    85Кешбэк 12 баллов
    RUE003N02TLТранзистор: MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
    89Кешбэк 13 баллов
    RSU002P03T106MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3
    93Кешбэк 13 баллов
    RQ3E120BNTBMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
    101Кешбэк 15 баллов
    RQ3E120GNTBMOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
    102Кешбэк 15 баллов
    RUM003N02T2LMOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    RJK005N03T146MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    2SK2731T146MOSFET N-CH 30V 200MA SMT3
    105Кешбэк 15 баллов
    RQ6E035ATTCRMOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
    105Кешбэк 15 баллов
    RQ3E080BNTBТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
    107Кешбэк 16 баллов
    RQ5E035ATTCLMOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3
    109Кешбэк 16 баллов
    RQ5A030APTLMOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
    111Кешбэк 16 баллов
    RAL025P01TCRMOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
    111Кешбэк 16 баллов
    RQ3E160ADTBMOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
    113Кешбэк 16 баллов
    RZF013P01TLMOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
    113Кешбэк 16 баллов
    RRF015P03TLMOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
    116Кешбэк 17 баллов
    RQ3E070BNTBMOSFET N-CH 30V 7A 8HSMT
    121Кешбэк 18 баллов
    RUF015N02TLMOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    RHK003N06T146MOSFET N-CH 60V 300MA SMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    RSF015N06TLMOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
    125Кешбэк 18 баллов
    QS6U24TRMOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
    125Кешбэк 18 баллов
    RQ6E045BNTCRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
    125Кешбэк 18 баллов
    RUF020N02TLMOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RQ3E100BNTBMOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT
    127Кешбэк 19 баллов
    RTF016N05TLMOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RAQ045P01TCRMOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
    127Кешбэк 19 баллов
    US5U1TRMOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
    127Кешбэк 19 баллов
    RTR025N03TLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RQ3E180BNTBMOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
    129Кешбэк 19 баллов
    RRQ020P03TCRMOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
    129Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП