Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
BSC059N04LS6ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1
;
BSC059N04LS6ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC059N04LS6ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 17A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC059N04LS6ATMA1 при покупке от 1 шт 124.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC059N04LS6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1 от Infineon Technologies — это MOSFET N-канальный с напряжением переключения 40В и током непрерывного тока 17А, установленный в корпусе TDSON.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Напряжение переключения: 40В
    • Ток непрерывного тока: 17А
    • Корпус: TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток утечки
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малые размеры корпуса
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты (например, диод)
    • Высокие значения тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока
Выбрано: Показать

Характеристики BSC059N04LS6ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.9mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    830 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 38W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-6
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC059

Техническая документация

 BSC059N04LS6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 35737 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    124 ₽
  • 100
    83 ₽
  • 1000
    70 ₽
  • 5000
    61 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC059N04LS6ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 17A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC059N04LS6ATMA1 при покупке от 1 шт 124.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC059N04LS6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1 от Infineon Technologies — это MOSFET N-канальный с напряжением переключения 40В и током непрерывного тока 17А, установленный в корпусе TDSON.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Напряжение переключения: 40В
    • Ток непрерывного тока: 17А
    • Корпус: TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток утечки
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малые размеры корпуса
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты (например, диод)
    • Высокие значения тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока
Выбрано: Показать

Характеристики BSC059N04LS6ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.9mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    830 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 38W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-6
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC059

Техническая документация

 BSC059N04LS6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STW24N60M6MOSFET N-CH 600V TO247
    754Кешбэк 113 баллов
    NVMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    2 081Кешбэк 312 баллов
    SUM90220E-GE3MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK
    413Кешбэк 61 балл
    AOTF190A60CLMOSFET N-CH 600V 20A TO220F
    595Кешбэк 89 баллов
    IPB65R150CFDATMA2MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
    797Кешбэк 119 баллов
    IRFF211N-CHANNEL POWER MOSFET
    315Кешбэк 47 баллов
    IPB60R099P7ATMA1MOSFET N-CH 650V 31A D2PAK
    798Кешбэк 119 баллов
    SPW15N60C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO247-3
    1 009Кешбэк 151 балл
    SQD10N30-330H_GE3MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
    328Кешбэк 49 баллов
    NTHL160N120SC1SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
    1 104Кешбэк 165 баллов
    SIHA21N80AEF-GE3EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
    272Кешбэк 40 баллов
    G3R60MT07D750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
    1 879Кешбэк 281 балл
    NTTFS024N06CTAGMOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN
    132Кешбэк 19 баллов
    SPB11N60C3ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
    872Кешбэк 130 баллов
    DMTH8012LPSW-13MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
    241Кешбэк 36 баллов
    XP151A12A2MR-GMOSFET N-CH 20V 1A SOT23
    143Кешбэк 21 балл
    C3M0045065DGEN 3 650V 45 M SIC MOSFET
    2 464Кешбэк 369 баллов
    2SK2935-93-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    728Кешбэк 109 баллов
    RQ5E070BNTCLMOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
    111Кешбэк 16 баллов
    FDBL86063-F085MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
    1 451Кешбэк 217 баллов
    UF3SC120016K3SТранзистор: SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
    10 456Кешбэк 1 568 баллов
    IPB70N10S312ATMA1MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
    685Кешбэк 102 балла
    2SJ135-AZP-CHANNEL POWER MOSFET
    452Кешбэк 67 баллов
    SIHFR9310TRR-GE3MOSFET P-CHANNEL 400V
    222Кешбэк 33 балла
    BSS84-TPТранзистор: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23
    37.5Кешбэк 5 баллов
    IPP024N08NF2SAKMA1TRENCH 40<-<100V
    621Кешбэк 93 балла
    IPB80N06S407ATMA2MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
    333Кешбэк 49 баллов
    TSM2301ACX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
    114Кешбэк 17 баллов
    SQ2319ADS-T1_GE3MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
    204Кешбэк 30 баллов
    NVBG160N120SC1SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK
    2 177Кешбэк 326 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП