Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
BSC059N04LS6ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1
;
BSC059N04LS6ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC059N04LS6ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 17A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC059N04LS6ATMA1 при покупке от 1 шт 129.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC059N04LS6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1 от Infineon Technologies — это MOSFET N-канальный с напряжением переключения 40В и током непрерывного тока 17А, установленный в корпусе TDSON.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Напряжение переключения: 40В
    • Ток непрерывного тока: 17А
    • Корпус: TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток утечки
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малые размеры корпуса
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты (например, диод)
    • Высокие значения тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока
Выбрано: Показать

Характеристики BSC059N04LS6ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.9mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    830 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 38W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-6
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC059

Техническая документация

 BSC059N04LS6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 26601 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    129 ₽
  • 100
    86 ₽
  • 1000
    73 ₽
  • 5000
    63 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSC059N04LS6ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 40V 17A TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC059N04LS6ATMA1 при покупке от 1 шт 129.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC059N04LS6ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC059N04LS6ATMA1

BSC059N04LS6ATMA1 от Infineon Technologies — это MOSFET N-канальный с напряжением переключения 40В и током непрерывного тока 17А, установленный в корпусе TDSON.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Напряжение переключения: 40В
    • Ток непрерывного тока: 17А
    • Корпус: TDSON
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый динамический ток утечки
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малые размеры корпуса
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты (например, диод)
    • Высокие значения тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока тока
Выбрано: Показать

Характеристики BSC059N04LS6ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.9mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.4 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    830 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3W (Ta), 38W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-6
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC059

Техническая документация

 BSC059N04LS6ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247
    5 413Кешбэк 811 баллов
    SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
    5 424Кешбэк 813 баллов
    SCTWA50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
    5 443Кешбэк 816 баллов
    SCTL90N65G2VSILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
    5 570Кешбэк 835 баллов
    SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
    5 574Кешбэк 836 баллов
    MSC090SMA070BSICFET N-CH 700V TO247-3
    839Кешбэк 125 баллов
    APT4F120SMOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
    859Кешбэк 128 баллов
    APT9M100SMOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
    1 042Кешбэк 156 баллов
    MSC060SMA070BSICFET N-CH 700V 39A TO247-3
    1 074Кешбэк 161 балл
    MSC750SMA170B4TRANS SJT 1700V TO247-4
    1 080Кешбэк 162 балла
    MSC060SMA070SSICFET N-CH 700V 37A D3PAK
    1 165Кешбэк 174 балла
    MSC360SMA120BMOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
    1 209Кешбэк 181 балл
    APT7F120SMOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK
    1 230Кешбэк 184 балла
    MSC060SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
    1 261Кешбэк 189 баллов
    MSC035SMA070SMOSFET N-CH 700V D3PAK
    1 712Кешбэк 256 баллов
    MSC080SMA120B4SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
    1 779Кешбэк 266 баллов
    MSC035SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
    2 199Кешбэк 329 баллов
    APT10M19BVRGMOSFET N-CH 100V 75A TO247
    2 343Кешбэк 351 балл
    APT5017BVRGMOSFET N-CH 500V 30A TO247
    2 374Кешбэк 356 баллов
    APT6030BVRGMOSFET N-CH 600V 21A TO247
    2 411Кешбэк 361 балл
    APT5017BVFRGMOSFET N-CH 500V 30A TO247
    2 513Кешбэк 376 баллов
    APT6029BLLGMOSFET N-CH 600V 21A TO247
    2 517Кешбэк 377 баллов
    APT10M19SVRGMOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
    2 545Кешбэк 381 балл
    APT5015BVFRGMOSFET N-CH 500V 32A TO247
    2 572Кешбэк 385 баллов
    APT8052BLLGMOSFET N-CH 800V 15A TO247
    2 871Кешбэк 430 баллов
    APT6025BVRGMOSFET N-CH 600V 25A TO247
    2 959Кешбэк 443 балла
    APT8056BVRGMOSFET N-CH 800V 16A TO247
    2 984Кешбэк 447 баллов
    MSC015SMA070BSICFET N-CH 700V 131A TO247-3
    3 443Кешбэк 516 баллов
    APT5010LVRGMOSFET N-CH 500V 47A TO264
    3 550Кешбэк 532 балла
    MSC015SMA070SSICFET N-CH 700V 126A D3PAK
    3 616Кешбэк 542 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП