Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
BSC080N12LSGATMA1
BSC080N12LSGATMA1

BSC080N12LSGATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    BSC080N12LSGATMA1
  • Описание:
    TRENCH >=100V PG-TDSON-8Все характеристики

Минимальная цена BSC080N12LSGATMA1 при покупке от 1 шт 715.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC080N12LSGATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSC080N12LSGATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    120 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Ta), 99A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 112µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    79 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7400 pF @ 60 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
Техническая документация
 BSC080N12LSGATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 4527 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    715 ₽
  • 10
    501 ₽
  • 100
    377 ₽
  • 500
    295 ₽
  • 1000
    269 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    BSC080N12LSGATMA1
  • Описание:
    TRENCH >=100V PG-TDSON-8Все характеристики

Минимальная цена BSC080N12LSGATMA1 при покупке от 1 шт 715.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC080N12LSGATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSC080N12LSGATMA1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    120 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Ta), 99A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 112µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    79 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7400 pF @ 60 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
Техническая документация
 BSC080N12LSGATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SUP70030E-GE3MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
    790Кешбэк 118 баллов
    UPA2790GR-E1-AP-CHANNEL POWER MOSFET
    254Кешбэк 38 баллов
    AOK66613MOSFET N-CH 60V 58.5A/120A TO247
    1 009Кешбэк 151 балл
    NTMFS5C410NT1GMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
    403Кешбэк 60 баллов
    SI3469DV-T1-BE3P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    188Кешбэк 28 баллов
    PJA3401_R1_00001SOT-23, MOSFET
    82Кешбэк 12 баллов
    2N7002NXBKRТранзистор: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
    47Кешбэк 7 баллов
    DMT6017LFDF-7MOSFET N-CH 65V 8.1A 6UDFN
    146Кешбэк 21 балл
    STD14NM50NAGMOSFET N-CH 500V 12A DPAK
    365Кешбэк 54 балла
    DMPH6023SK3-13MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
    252Кешбэк 37 баллов
    SQS484CENW-T1_GE3MOSFET N-CH 40V 16A PPAK 1212-8W
    195Кешбэк 29 баллов
    SQJ174EP-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
    476Кешбэк 71 балл
    R6015ENXC7G600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
    737Кешбэк 110 баллов
    IPAW60R360P7SXKSA1MOSFET N-CH 650V 9A TO220
    319Кешбэк 47 баллов
    2SK1165-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    686Кешбэк 102 балла
    SQ4483EY-T1_GE3MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
    327Кешбэк 49 баллов
    2SK1971-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    5 155Кешбэк 773 балла
    ISP16DP10LMXTSA1SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
    155Кешбэк 23 балла
    BSS123Q-13Транзистор: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K
    39.6Кешбэк 5 баллов
    NVB099N65S3SF3 650V EASY 99MOHM D2PAK AUTO
    972Кешбэк 145 баллов
    SI2343DS-T1-BE3P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    221Кешбэк 33 балла
    MTB52N06VLN-CHANNEL POWER MOSFET
    73Кешбэк 10 баллов
    EPC8010GANFET N-CH 100V 4A DIE
    562Кешбэк 84 балла
    NTD6N40-001-MONFET DPAK 400V 1.1R
    345Кешбэк 51 балл
    NVBLS0D7N06CMOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
    2 514Кешбэк 377 баллов
    BUK9M31-60ELXSINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
    208Кешбэк 31 балл
    CWDM3011P TR13 PBFREEMOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
    199Кешбэк 29 баллов
    2SK160A-L-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    40Кешбэк 6 баллов
    2SJ646-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    57Кешбэк 8 баллов
    SCT2280KEHRC111200V, 14A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 299Кешбэк 344 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП