Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSC100N10NSFGATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSC100N10NSFGATMA1

BSC100N10NSFGATMA1

BSC100N10NSFGATMA1
;
BSC100N10NSFGATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    BSC100N10NSFGATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC100N10NSFGATMA1 при покупке от 1 шт 581.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC100N10NSFGATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC100N10NSFGATMA1

BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON - MOSFET N-канальный 100В 11.4/90А 8TDSON

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Рейтинг напряжения: 100В
    • Максимальный ток: 11.4А (режим импульсного тока) / 90А (режим непрерывного тока)
    • Количество дренов: 8
    • Тип оболочки: DSON (Dual-Side Onewire Soldering)
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи
    • Низкое сопротивление резистора включенного состояния
    • Устойчивость к перегреву
    • Удобство монтажа благодаря технологии DSON
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимость использования специального оборудования для установки
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Управление электрическими нагрузками
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики BSC100N10NSFGATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.4A (Ta), 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 110µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2900 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-1
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC100

Техническая документация

 BSC100N10NSFGATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 3019 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    581 ₽
  • 10
    374 ₽
  • 100
    261 ₽
  • 500
    208 ₽
  • 5000
    170 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON
  • Артикул:
    BSC100N10NSFGATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSC100N10NSFGATMA1 при покупке от 1 шт 581.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSC100N10NSFGATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSC100N10NSFGATMA1

BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON - MOSFET N-канальный 100В 11.4/90А 8TDSON

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Рейтинг напряжения: 100В
    • Максимальный ток: 11.4А (режим импульсного тока) / 90А (режим непрерывного тока)
    • Количество дренов: 8
    • Тип оболочки: DSON (Dual-Side Onewire Soldering)
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент передачи
    • Низкое сопротивление резистора включенного состояния
    • Устойчивость к перегреву
    • Удобство монтажа благодаря технологии DSON
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Необходимость использования специального оборудования для установки
  • Общее назначение:
    • Переключение высоковольтных цепей
    • Управление электрическими нагрузками
    • Использование в источниках питания
    • Применение в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики BSC100N10NSFGATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.4A (Ta), 90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 110µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2900 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TDSON-8-1
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSC100

Техническая документация

 BSC100N10NSFGATMA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFH5110TRPBFMOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
    413Кешбэк 61 балл
    IPD65R600E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
    427Кешбэк 64 балла
    IRFSL7730PBFMOSFET N-CH 75V 195A TO262
    428Кешбэк 64 балла
    BSZ013NE2LS5IATMA1MOSFET N-CH 25V 32A/40A TSDSON
    432Кешбэк 64 балла
    AUIRLR3410TRLMOSFET N-CH 100V 17A DPAK
    441Кешбэк 66 баллов
    IPB80N04S404ATMA1MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2
    445Кешбэк 66 баллов
    IPB80N04S4L04ATMA1MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFH7787TRPBFMOSFET N-CH 75V 68A PQFN
    461Кешбэк 69 баллов
    IPA60R190E6XKSA1MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
    534Кешбэк 80 баллов
    IPP086N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
    541Кешбэк 81 балл
    IPA60R385CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 9A TO220-FP
    563Кешбэк 84 балла
    BSC100N10NSFGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
    568Кешбэк 85 баллов
    IRFB3407ZPBFMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
    598Кешбэк 89 баллов
    AUIRLR120NTRLMOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    604Кешбэк 90 баллов
    IPP65R190C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
    636Кешбэк 95 баллов
    IRFP4668PBFMOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
    643Кешбэк 96 баллов
    SPA11N65C3XKSA1MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
    650Кешбэк 97 баллов
    IRFP4768PBFMOSFET N-CH 250V 93A TO247AC
    661Кешбэк 99 баллов
    AUIRF3205ZТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    668Кешбэк 100 баллов
    AUIRFR2905ZTRLMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    675Кешбэк 101 балл
    IPD70N10S3L12ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
    675Кешбэк 101 балл
    IRF7748L1TRPBFMOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
    718Кешбэк 107 баллов
    IRF8301MTRPBFMOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
    732Кешбэк 109 баллов
    IRF2804STRL7PPMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    777Кешбэк 116 баллов
    SPA11N60C3XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    777Кешбэк 116 баллов
    IPB70N10S3L12ATMA1MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
    782Кешбэк 117 баллов
    SPW20N60CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
    786Кешбэк 117 баллов
    IRF1310NSPBFHEXFET POWER MOSFET
    796Кешбэк 119 баллов
    IRFP4127PBFMOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
    802Кешбэк 120 баллов
    IRF6715MTRPBFMOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    811Кешбэк 121 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП