Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSD214SNH6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1

BSD214SNH6327XTSA1
;
BSD214SNH6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSD214SNH6327XTSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6Все характеристики

Минимальная цена BSD214SNH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSD214SNH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSD214SNH6327XTSA1

Базовая информация:

  • Модель: BSD214SNH6327XTSA1

  • Производитель: Infineon Technologies

  • Тип: MOSFET N-канальный

  • Номинальное напряжение: 20В

  • Номинальный ток: 1.5А

  • Пакет: SOT363-6

Основные параметры:

  • VGS(th): 2.5В (максимальное значение)

  • RDS(on): 65mΩ (при VGS = 10В)

  • Ciss: 12nF

  • IGS(max): 5A

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи: низкое сопротивление при включенном состоянии

  • Низкое сопротивление: RDS(on) 65mΩ обеспечивает эффективную работу

  • Стабильность: стабильная работа при различных температурах

  • Надежность: надежное соединение и защита от перегрузок

Минусы:

  • Размер: относительно большой размер пакета SOT363-6

  • Температурная зависимость: изменение характеристик при изменении температуры

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями

  • Переключение высоких напряжений

  • Ограничение тока

Применение:

  • Мощные инверторы

  • Автомобильные системы

  • Электронные блоки управления

  • Инверторные преобразователи

  • Системы питания

Выбрано: Показать

Характеристики BSD214SNH6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 3.7µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.8 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    143 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT363-PO
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Base Product Number
    BSD214

Техническая документация

 BSD214SNH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 11213 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 100
    28 ₽
  • 1000
    18 ₽
  • 6000
    13.4 ₽
  • 24000
    11.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSD214SNH6327XTSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6Все характеристики

Минимальная цена BSD214SNH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSD214SNH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSD214SNH6327XTSA1

Базовая информация:

  • Модель: BSD214SNH6327XTSA1

  • Производитель: Infineon Technologies

  • Тип: MOSFET N-канальный

  • Номинальное напряжение: 20В

  • Номинальный ток: 1.5А

  • Пакет: SOT363-6

Основные параметры:

  • VGS(th): 2.5В (максимальное значение)

  • RDS(on): 65mΩ (при VGS = 10В)

  • Ciss: 12nF

  • IGS(max): 5A

Плюсы:

  • Высокий коэффициент передачи: низкое сопротивление при включенном состоянии

  • Низкое сопротивление: RDS(on) 65mΩ обеспечивает эффективную работу

  • Стабильность: стабильная работа при различных температурах

  • Надежность: надежное соединение и защита от перегрузок

Минусы:

  • Размер: относительно большой размер пакета SOT363-6

  • Температурная зависимость: изменение характеристик при изменении температуры

Общее назначение:

  • Управление электрическими цепями

  • Переключение высоких напряжений

  • Ограничение тока

Применение:

  • Мощные инверторы

  • Автомобильные системы

  • Электронные блоки управления

  • Инверторные преобразователи

  • Системы питания

Выбрано: Показать

Характеристики BSD214SNH6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    140mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 3.7µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.8 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    143 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT363-PO
  • Корпус
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
  • Base Product Number
    BSD214

Техническая документация

 BSD214SNH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSS138NH6433XTMA1MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BSL296SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6
    60Кешбэк 9 баллов
    IRLML6344TRPBFMOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    BSS806NEH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
    62Кешбэк 9 баллов
    IRF9393TRPBFMOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
    63Кешбэк 9 баллов
    BSP318SL6327HTSA1MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
    64Кешбэк 9 баллов
    IRLML9303TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    IRFR024NTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    66Кешбэк 9 баллов
    BSS670S2LH6433XTMA1MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    IRFHM8329TRPBFMOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
    68Кешбэк 10 баллов
    IRLML5203TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
    69Кешбэк 10 баллов
    IPS65R1K5CEAKMA1MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFZ34NPBFMOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLTS6342TRPBFMOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLML5103TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD316SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML0030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD214SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2060TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML9301TRPBFMOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
    73Кешбэк 10 баллов
    IPU60R2K0C6AKMA1MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
    76Кешбэк 11 баллов
    BSC032NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
    76Кешбэк 11 баллов
    BSS225H6327FTSA1MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
    76Кешбэк 11 баллов
    IPD075N03LGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
    77Кешбэк 11 баллов
    BSP296NH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
    77Кешбэк 11 баллов
    IRFZ24NPBFMOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
    78Кешбэк 11 баллов
    IRLML6401TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
    79Кешбэк 11 баллов
    BSS127H6327XTSA2MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
    79Кешбэк 11 баллов
    IRFTS8342TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    79Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП