Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
BSG0810NDIATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1
;
BSG0810NDIATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSG0810NDIATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISONВсе характеристики

Минимальная цена BSG0810NDIATMA1 при покупке от 1 шт 497.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSG0810NDIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) – 25В
    • Номинальный ток при VGS = 10В (ID(on)) – 19А
    • Максимальный ток (ID(max)) – 39А
    • Количество транзисторов – 8
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Низкое сопротивление при проводимости
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
    • Системы питания и преобразования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики BSG0810NDIATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A, 39A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1040pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    2.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TISON-8
  • Base Product Number
    BSG0810

Техническая документация

 BSG0810NDIATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 7440 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    497 ₽
  • 10
    327 ₽
  • 100
    263 ₽
  • 500
    244 ₽
  • 5000
    199 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSG0810NDIATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISONВсе характеристики

Минимальная цена BSG0810NDIATMA1 при покупке от 1 шт 497.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSG0810NDIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)) – 25В
    • Номинальный ток при VGS = 10В (ID(on)) – 19А
    • Максимальный ток (ID(max)) – 39А
    • Количество транзисторов – 8
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Низкое сопротивление при проводимости
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Изоляция сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие системы
    • Системы питания и преобразования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики BSG0810NDIATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A, 39A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1040pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    2.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TISON-8
  • Base Product Number
    BSG0810

Техническая документация

 BSG0810NDIATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    CSD87351Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 32A 8LSON
    369Кешбэк 55 баллов
    CSD86360Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON
    408Кешбэк 61 балл
    CSD87355Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
    434Кешбэк 65 баллов
    CSD87350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    446Кешбэк 66 баллов
    CSD87353Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON
    465Кешбэк 69 баллов
    CSD87384MTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A 5PTAB
    465Кешбэк 69 баллов
    CSD86330Q3DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
    539Кешбэк 80 баллов
    TPS1120DТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
    608Кешбэк 91 балл
    TPS1120DRТранзистор: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
    634Кешбэк 95 баллов
    CSD86350Q5DТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
    719Кешбэк 107 баллов
    CSD87355Q5DTТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 45A 8LSON
    739Кешбэк 110 баллов
    2N7002V-TPТранзистор
    80Кешбэк 12 баллов
    SSM6N7002KFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A
    37Кешбэк 5 баллов
    SSM6N15AFU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
    50Кешбэк 7 баллов
    SSM6N35FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
    65Кешбэк 9 баллов
    SSM6N56FE,LMТранзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
    69Кешбэк 10 баллов
    SSM6N58NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    82Кешбэк 12 баллов
    SSM6L09FUTE85LFТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
    87Кешбэк 13 баллов
    SSM6N57NU,LFТранзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
    109Кешбэк 16 баллов
    SSM6P49NU,LFТранзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
    122Кешбэк 18 баллов
    DMC2038LVT-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
    18.5Кешбэк 2 балла
    DMN53D0LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
    31Кешбэк 4 балла
    DMN63D8LDW-13Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    31.5Кешбэк 4 балла
    DMN62D0UDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
    35Кешбэк 5 баллов
    2N7002VA-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
    35Кешбэк 5 баллов
    2N7002DWQ-7-FТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    DMC2700UDM-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SOT26
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN3190LDW-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
    37Кешбэк 5 баллов
    DMN62D0UT-7MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523
    39Кешбэк 5 баллов
    DMN63D8LDWQ-7Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
    39.6Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП