Вход/Регистрация
IPG16N10S4L61AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
BSG0810NDIATMA1
BSG0810NDIATMA1
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:BSG0810NDIATMA1
- Описание:Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISONВсе характеристики
Минимальная цена BSG0810NDIATMA1 при покупке от 1 шт 509.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSG0810NDIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 7440 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1509 ₽
- 10335 ₽
- 100269 ₽
- 500250 ₽
- 5000204 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:BSG0810NDIATMA1
- Описание:Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISONВсе характеристики
Минимальная цена BSG0810NDIATMA1 при покупке от 1 шт 509.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSG0810NDIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание BSG0810NDIATMA1
BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
- Основные параметры:
- Номинальное напряжение (VDS(on)) – 25В
- Номинальный ток при VGS = 10В (ID(on)) – 19А
- Максимальный ток (ID(max)) – 39А
- Количество транзисторов – 8
- Плюсы:
- Высокая мощность
- Низкое сопротивление при проводимости
- Устойчивость к перегреву
- Высокая надежность и долговечность
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
- Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
- Общее назначение:
- Регулирование напряжения
- Переключение высоких токов
- Изоляция сигналов
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы управления
- Промышленное оборудование
- Энергосберегающие системы
- Системы питания и преобразования напряжения
Выбрано: Показать
Характеристики BSG0810NDIATMA1
Техническая документация
BSG0810NDIATMA1.pdf pdf. 0 kb