Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
BSG0811NDATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1
;
BSG0811NDATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSG0811NDATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISONВсе характеристики

Минимальная цена BSG0811NDATMA1 при покупке от 1 шт 511.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSG0811NDATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies — это MOSFET (MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON), который широко используется в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 25В
    • Номинальная токовая характеристика: 19А (режим ON) / 41А (режим транзистора)
    • Количество транзисторов: 8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Улучшенная тепловая устойчивость
    • Широкий диапазон рабочих температур
    • Малый динамический трение (RDS(on))
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее сложными MOSFET
    • Требует более сложной системы охлаждения из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления двигателей
    • Применение в источниках питания
    • Работа в инверторах и преобразователях
    • Для управления нагрузками в промышленных приборах и системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем и электроника
    • Промышленные контроллеры и приводы
    • Источники питания для серверных систем и компьютеров
    • Системы управления энергопотреблением в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики BSG0811NDATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A, 41A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    2.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TISON-8
  • Base Product Number
    BSG0811

Техническая документация

 BSG0811NDATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1494 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    511 ₽
  • 10
    338 ₽
  • 100
    245 ₽
  • 500
    203 ₽
  • 2500
    199 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSG0811NDATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISONВсе характеристики

Минимальная цена BSG0811NDATMA1 при покупке от 1 шт 511.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSG0811NDATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies — это MOSFET (MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON), который широко используется в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки: 25В
    • Номинальная токовая характеристика: 19А (режим ON) / 41А (режим транзистора)
    • Количество транзисторов: 8
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Улучшенная тепловая устойчивость
    • Широкий диапазон рабочих температур
    • Малый динамический трение (RDS(on))
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее сложными MOSFET
    • Требует более сложной системы охлаждения из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления двигателей
    • Применение в источниках питания
    • Работа в инверторах и преобразователях
    • Для управления нагрузками в промышленных приборах и системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем и электроника
    • Промышленные контроллеры и приводы
    • Источники питания для серверных систем и компьютеров
    • Системы управления энергопотреблением в бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики BSG0811NDATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    25V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    19A, 41A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 12V
  • Рассеивание мощности
    2.5W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PG-TISON-8
  • Base Product Number
    BSG0811

Техническая документация

 BSG0811NDATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPG16N10S4L61AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
    351Кешбэк 52 балла
    BSZ215CHXTMA1Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
    359Кешбэк 53 балла
    IPG20N10S436AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
    363Кешбэк 54 балла
    IPG20N10S4L35ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    367Кешбэк 55 баллов
    IPG20N06S2L35ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
    367Кешбэк 55 баллов
    IPG20N06S415ATMA2Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    374Кешбэк 56 баллов
    IPG20N06S2L35AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON
    376Кешбэк 56 баллов
    IPG20N10S4L35AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
    376Кешбэк 56 баллов
    IPG20N10S4L22AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
    389Кешбэк 58 баллов
    IPG20N04S4L07AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    429Кешбэк 64 балла
    IPG20N10S4L22ATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    445Кешбэк 66 баллов
    IPG20N06S4L11AATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 8TDSON
    452Кешбэк 67 баллов
    BSG0810NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
    509Кешбэк 76 баллов
    BSG0811NDATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON
    511Кешбэк 76 баллов
    BSG0813NDIATMA1Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8
    549Кешбэк 82 балла
    IRFH4253DTRPBFТранзистор: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
    608Кешбэк 91 балл
    IRF3546MTRPBFТранзистор: MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
    807Кешбэк 121 балл
    AUIRF7316QTRТранзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
    809Кешбэк 121 балл
    FDY2000PZТранзистор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    26.6Кешбэк 3 балла
    MCH6626-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    26.6Кешбэк 3 балла
    MCH6603-TL-HТранзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
    30.4Кешбэк 4 балла
    MCH6613-TL-EТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V MCPH6
    30.4Кешбэк 4 балла
    MCH6602-TL-EТранзистор
    30.4Кешбэк 4 балла
    CPH6636R-TL-WТранзистор: MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6
    32Кешбэк 4 балла
    MCH6604-TL-EТранзистор: MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6
    38Кешбэк 5 баллов
    MCH6660-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6
    40Кешбэк 6 баллов
    EMH2417R-TL-HТранзистор: MOSFET 2N-CH 12V 11A EMH8
    40Кешбэк 6 баллов
    MCH6605-TL-EТранзистор: MOSFET 2P-CH 50V 0.14A MCPH6
    40Кешбэк 6 баллов
    EFC4618R-P-TRТранзистор: MOSFET 2N-CH EFCP1818
    47.5Кешбэк 7 баллов
    CPH6635-TL-HТранзистор: MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6
    47.5Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП