Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BSG0813NDIATMA1

BSG0813NDIATMA1

BSG0813NDIATMA1
;
BSG0813NDIATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSG0813NDIATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8Все характеристики

Минимальная цена BSG0813NDIATMA1 при покупке от 1 шт 549.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSG0813NDIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSG0813NDIATMA1

BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Количество каналов: 2N-CH
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 4 V
    • Номинальное напряжение вдоль дrain-source (VDS(on)): 25 V
    • Номинальный ток вдоль drain-source (ID(on)): 19 A / 33 A
    • Температурный класс: TISON8
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Низкое значение сопротивления при включенном состоянии
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Наличие электрической емкости может влиять на работу в высокочастотных системах
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление токами
    • Передача сигнала между различными уровнями напряжений
    • Изменение величины тока посредством изменения входного напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленные приводы
    • Системы питания и преобразования напряжения
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики BSG0813NDIATMA1

Техническая документация

BSG0813NDIATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4888 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    549 ₽
  • 10
    355 ₽
  • 100
    245 ₽
  • 500
    202 ₽
  • 5000
    165 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSG0813NDIATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8Все характеристики

Минимальная цена BSG0813NDIATMA1 при покупке от 1 шт 549.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSG0813NDIATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSG0813NDIATMA1

BSG0813NDIATMA1 Infineon Technologies Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A TISON8

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Количество каналов: 2N-CH
    • Номинальное напряжение вдоль канала (VGS(th)): 4 V
    • Номинальное напряжение вдоль дrain-source (VDS(on)): 25 V
    • Номинальный ток вдоль drain-source (ID(on)): 19 A / 33 A
    • Температурный класс: TISON8
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Малый ток утечки при отключенном состоянии
    • Низкое значение сопротивления при включенном состоянии
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Наличие электрической емкости может влиять на работу в высокочастотных системах
  • Общее назначение:
    • Регулировка и управление токами
    • Передача сигнала между различными уровнями напряжений
    • Изменение величины тока посредством изменения входного напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Промышленные приводы
    • Системы питания и преобразования напряжения
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Системы управления двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики BSG0813NDIATMA1

Техническая документация

BSG0813NDIATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории