Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
BSL308PEH6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1
;
BSL308PEH6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSL308PEH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOPВсе характеристики

Минимальная цена BSL308PEH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 122.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSL308PEH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES — MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Количество каналов: 2
    • Рейтинг напряжения: 30В
    • Рейтинг тока: 2А
    • Форм-фактор: 6TSOP (шестикратно табличная оболочечная пакетная)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе с высокими напряжениями и токами
    • Низкое значение тока утечки
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Сложность проектирования системы охлаждения при больших нагрузках
    • Возможность возникновения электрических шумов при использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях энергии, инверторах и др.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы для домашнего использования
    • Преобразователи напряжения
    • Блоки питания для компьютеров
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики BSL308PEH6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80mOhm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 11µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    PG-TSOP6-6
  • Base Product Number
    BSL308

Техническая документация

 BSL308PEH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 7894 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    122 ₽
  • 100
    64 ₽
  • 1000
    46 ₽
  • 6000
    34 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSL308PEH6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOPВсе характеристики

Минимальная цена BSL308PEH6327XTSA1 при покупке от 1 шт 122.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSL308PEH6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES — MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET (MOS-транзистор)
    • Количество каналов: 2
    • Рейтинг напряжения: 30В
    • Рейтинг тока: 2А
    • Форм-фактор: 6TSOP (шестикратно табличная оболочечная пакетная)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность в работе с высокими напряжениями и токами
    • Низкое значение тока утечки
    • Устойчивость к импульсным перенапряжениям
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Сложность проектирования системы охлаждения при больших нагрузках
    • Возможность возникновения электрических шумов при использовании
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Применяется в системах питания, преобразователях энергии, инверторах и др.
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы для домашнего использования
    • Преобразователи напряжения
    • Блоки питания для компьютеров
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики BSL308PEH6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 P-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80mOhm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 11µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    500pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    PG-TSOP6-6
  • Base Product Number
    BSL308

Техническая документация

 BSL308PEH6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIA921EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
    185Кешбэк 27 баллов
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SIA923EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
    187Кешбэк 28 баллов
    SI5936DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
    193Кешбэк 28 баллов
    SI4804CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
    209Кешбэк 31 балл
    SI4599DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    SI4554DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SO
    217Кешбэк 32 балла
    SIS990DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
    217Кешбэк 32 балла
    SI4214DDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO
    250Кешбэк 37 баллов
    SI6954ADQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    258Кешбэк 38 баллов
    SIZ340DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3
    267Кешбэк 40 баллов
    SI6926ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4564DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOIC
    276Кешбэк 41 балл
    SI4909DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
    291Кешбэк 43 балла
    SI7212DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
    304Кешбэк 45 баллов
    SI7288DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
    308Кешбэк 46 баллов
    SQJ844AEP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4936BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
    324Кешбэк 48 баллов
    SI4931DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
    328Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4900DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    332Кешбэк 49 баллов
    SI4948BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    345Кешбэк 51 балл
    SQJ202EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
    371Кешбэк 55 баллов
    SIZ902DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    376Кешбэк 56 баллов
    SI7998DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
    396Кешбэк 59 баллов
    SI7216DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7216DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
    408Кешбэк 61 балл
    SI7900AEDN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
    415Кешбэк 62 балла
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    426Кешбэк 63 балла
    SI4559ADY-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    439Кешбэк 65 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП