Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
BSM180C12P3C202
  • В избранное
  • В сравнение
BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202
;
BSM180C12P3C202

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    BSM180C12P3C202
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 180A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена BSM180C12P3C202 при покупке от 1 шт 111977.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM180C12P3C202 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202 — модульный полупроводниковый транзистор Rohm Semiconductor, используемый в силовых приложениях. Это N-канальный транзистор на основе SiC (silicon carbide), который обеспечивает высокую производительность в условиях высоких напряжений и токов.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): 12 В
    • Номинальная рабочая токовая способность (ID(on)): 180 А
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
    • Частота работы (fmax): до 20 кГц
    • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении в ON-состоянии
    • Малое энергетическое затратное сопротивление
    • Высокая термическая устойчивость
    • Уменьшение тепловых потерь благодаря использованию SiC
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуются специфические знания для проектирования и использования
    • Необходимо соблюдать особые требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Используется в силовых преобразователях
    • В трансформаторах питания
    • Для управления мощностью в электромобилях
    • В системах управления промышленного оборудования
  • Применяется в:
    • Автомобильной промышленности (электромобили)
    • Инверторах для домашнего использования
    • Системах управления двигателей
    • Силовых преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики BSM180C12P3C202

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 50mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    880W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Корпус
    Module
  • Base Product Number
    BSM180

Техническая документация

 BSM180C12P3C202.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    111 977 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    BSM180C12P3C202
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 180A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена BSM180C12P3C202 при покупке от 1 шт 111977.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM180C12P3C202 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202 — модульный полупроводниковый транзистор Rohm Semiconductor, используемый в силовых приложениях. Это N-канальный транзистор на основе SiC (silicon carbide), который обеспечивает высокую производительность в условиях высоких напряжений и токов.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): 12 В
    • Номинальная рабочая токовая способность (ID(on)): 180 А
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
    • Частота работы (fmax): до 20 кГц
    • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении в ON-состоянии
    • Малое энергетическое затратное сопротивление
    • Высокая термическая устойчивость
    • Уменьшение тепловых потерь благодаря использованию SiC
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуются специфические знания для проектирования и использования
    • Необходимо соблюдать особые требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Используется в силовых преобразователях
    • В трансформаторах питания
    • Для управления мощностью в электромобилях
    • В системах управления промышленного оборудования
  • Применяется в:
    • Автомобильной промышленности (электромобили)
    • Инверторах для домашнего использования
    • Системах управления двигателей
    • Силовых преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики BSM180C12P3C202

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 50mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    880W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Корпус
    Module
  • Base Product Number
    BSM180

Техническая документация

 BSM180C12P3C202.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    TSM340N06CP ROGMOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO252
    160Кешбэк 24 балла
    TSM060N03PQ33 RGGТранзистор: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
    163Кешбэк 24 балла
    TSM060N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    168Кешбэк 25 баллов
    TSM2314CX RFGMOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
    170Кешбэк 25 баллов
    TSM038N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN
    173Кешбэк 25 баллов
    TSM085N03PQ33 RGGMOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
    180Кешбэк 27 баллов
    TSM090N03CP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252
    184Кешбэк 27 баллов
    TSM2318CX RFGMOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
    191Кешбэк 28 баллов
    TQM300NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU
    193Кешбэк 28 баллов
    TSM1NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
    198Кешбэк 29 баллов
    TSM2307CX RFGMOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
    199Кешбэк 29 баллов
    TQM110NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 12A/54A 8PDFNU
    204Кешбэк 30 баллов
    TSM080N03EPQ56 RLGMOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
    207Кешбэк 31 балл
    TSM160P02CS RLGMOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
    207Кешбэк 31 балл
    TQM070NB04CR RLGMOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
    217Кешбэк 32 балла
    TSM2323CX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    TSM055N03EPQ56 RLGТранзистор: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
    222Кешбэк 33 балла
    TSM080NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 14A/59A 8PDFN
    222Кешбэк 33 балла
    TSM055N03PQ56 RLGMOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
    230Кешбэк 34 балла
    TSM4NB65CP ROGMOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
    232Кешбэк 34 балла
    TSM085P03CV RGGMOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
    234Кешбэк 35 баллов
    TSM1NB60CW RPGMOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
    236Кешбэк 35 баллов
    TSM060N03ECP ROGMOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
    239Кешбэк 35 баллов
    TQM130NB06CR RLGMOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU
    242Кешбэк 36 баллов
    TSM042N03CS RLGMOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
    245Кешбэк 36 баллов
    TSM150P04LCS RLGMOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
    247Кешбэк 37 баллов
    TSM052NB03CR RLGMOSFET N-CH 30V 17A/90A 8PDFN
    258Кешбэк 38 баллов
    TSM500N15CS RLG150V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
    281Кешбэк 42 балла
    TSM085P03CS RLGMOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP
    285Кешбэк 42 балла
    TSM4NB60CP ROGMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
    300Кешбэк 45 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторные модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП