Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
BSM180C12P3C202
  • В избранное
  • В сравнение
BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202
;
BSM180C12P3C202

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    BSM180C12P3C202
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 180A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена BSM180C12P3C202 при покупке от 1 шт 111977.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM180C12P3C202 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202 — модульный полупроводниковый транзистор Rohm Semiconductor, используемый в силовых приложениях. Это N-канальный транзистор на основе SiC (silicon carbide), который обеспечивает высокую производительность в условиях высоких напряжений и токов.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): 12 В
    • Номинальная рабочая токовая способность (ID(on)): 180 А
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
    • Частота работы (fmax): до 20 кГц
    • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении в ON-состоянии
    • Малое энергетическое затратное сопротивление
    • Высокая термическая устойчивость
    • Уменьшение тепловых потерь благодаря использованию SiC
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуются специфические знания для проектирования и использования
    • Необходимо соблюдать особые требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Используется в силовых преобразователях
    • В трансформаторах питания
    • Для управления мощностью в электромобилях
    • В системах управления промышленного оборудования
  • Применяется в:
    • Автомобильной промышленности (электромобили)
    • Инверторах для домашнего использования
    • Системах управления двигателей
    • Силовых преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики BSM180C12P3C202

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 50mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    880W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Корпус
    Module
  • Base Product Number
    BSM180

Техническая документация

 BSM180C12P3C202.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    111 977 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    BSM180C12P3C202
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 180A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена BSM180C12P3C202 при покупке от 1 шт 111977.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM180C12P3C202 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSM180C12P3C202

BSM180C12P3C202 — модульный полупроводниковый транзистор Rohm Semiconductor, используемый в силовых приложениях. Это N-канальный транзистор на основе SiC (silicon carbide), который обеспечивает высокую производительность в условиях высоких напряжений и токов.

  • Основные параметры:
    • Напряжение срабатывания (VGS(th)): 12 В
    • Номинальная рабочая токовая способность (ID(on)): 180 А
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 1200 В
    • Частота работы (fmax): до 20 кГц
    • Температурный диапазон: -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении в ON-состоянии
    • Малое энергетическое затратное сопротивление
    • Высокая термическая устойчивость
    • Уменьшение тепловых потерь благодаря использованию SiC
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуются специфические знания для проектирования и использования
    • Необходимо соблюдать особые требования к охлаждению
  • Общее назначение:
    • Используется в силовых преобразователях
    • В трансформаторах питания
    • Для управления мощностью в электромобилях
    • В системах управления промышленного оборудования
  • Применяется в:
    • Автомобильной промышленности (электромобили)
    • Инверторах для домашнего использования
    • Системах управления двигателей
    • Силовых преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики BSM180C12P3C202

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180A (Tc)
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 50mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    9000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    880W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Корпус
    Module
  • Base Product Number
    BSM180

Техническая документация

 BSM180C12P3C202.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    R6520ENJTLMOSFET N-CH 650V 20A LPTS
    456Кешбэк 68 баллов
    RD3L220SNFRATLMOSFET N-CH 60V 22A TO252
    458Кешбэк 68 баллов
    R6009JNJGTLMOSFET N-CH 600V 9A LPTS
    472Кешбэк 70 баллов
    R6011KND3TL1MOSFET N-CH 600V 11A TO252
    483Кешбэк 72 балла
    R6011KNXMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
    492Кешбэк 73 балла
    R6012JNJGTLMOSFET N-CH 600V 12A LPTS
    505Кешбэк 75 баллов
    R6511END3TL1650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
    525Кешбэк 78 баллов
    R6004KNJTLMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
    555Кешбэк 83 балла
    R6020JNJGTLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    606Кешбэк 90 баллов
    R8002CND3FRATLMOSFET N-CH 800V 2A TO252
    624Кешбэк 93 балла
    R8007AND3FRATLMOSFET N-CH 800V 7A TO252
    688Кешбэк 103 балла
    R8006KNXC7GHIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
    710Кешбэк 106 баллов
    R6020KNJTLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    719Кешбэк 107 баллов
    R6511KNJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS
    807Кешбэк 121 балл
    RJ1P12BBDTLLMOSFET N-CH 100V 120A LPTL
    853Кешбэк 127 баллов
    R6520ENZ4C13650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
    862Кешбэк 129 баллов
    R6511ENJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS
    935Кешбэк 140 баллов
    R6020ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 20A TO247
    1 021Кешбэк 153 балла
    R6020PNJFRATLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    1 281Кешбэк 192 балла
    R6070JNZ4C13600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
    1 503Кешбэк 225 баллов
    SCT2450KEHRC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 539Кешбэк 380 баллов
    R6076KNZ4C13MOSFET N-CH 600V 76A TO247
    3 174Кешбэк 476 баллов
    SCT4026DW7HRTL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
    3 319Кешбэк 497 баллов
    SCT3080ARC14SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
    3 595Кешбэк 539 баллов
    SCT2160KEHRC111200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
    4 053Кешбэк 607 баллов
    SCT3030ARC14SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
    5 920Кешбэк 888 баллов
    BSM300C12P3E201SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
    101 439Кешбэк 15 215 баллов
    BSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
    101 520Кешбэк 15 228 баллов
    BSM180C12P3C202SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
    111 977Кешбэк 16 796 баллов
    BSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
    234 079Кешбэк 35 111 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторные модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП