Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
BSM600C12P3G201
  • В избранное
  • В сравнение
BSM600C12P3G201

BSM600C12P3G201

BSM600C12P3G201
;
BSM600C12P3G201

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    BSM600C12P3G201
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 600A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена BSM600C12P3G201 при покупке от 1 шт 234079.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM600C12P3G201 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSM600C12P3G201

BSM600C12P3G201 ROHM SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 600А
    • Тип: N-канальный
    • Технология: SiC (silicon carbide)
    • Модульная конструкция
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость переключения
    • Меньший тепловыделение
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными FET
    • Требуются специфические знания для проектирования и использования
  • Общее назначение:
    • Применяется в высоковольтных и высотоконтрольных приложениях
    • Используется в промышленных преобразователях питания
    • Реализует энергосберегающие системы управления
    • Подходит для применения в электромобилях и гибридных автомобилях
  • В каких устройствах применяется:
    • Электроэнергетические системы
    • Преобразователи питания
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для промышленного оборудования
    • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики BSM600C12P3G201

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    600A (Tc)
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 182mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    28000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2460W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Корпус
    Module
  • Base Product Number
    BSM600

Техническая документация

 BSM600C12P3G201.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    234 079 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM
  • Артикул:
    BSM600C12P3G201
  • Описание:
    SICFET N-CH 1200V 600A MODULEВсе характеристики

Минимальная цена BSM600C12P3G201 при покупке от 1 шт 234079.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM600C12P3G201 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSM600C12P3G201

BSM600C12P3G201 ROHM SICFET N-CH 1200V 600A MODULE

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 600А
    • Тип: N-канальный
    • Технология: SiC (silicon carbide)
    • Модульная конструкция
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость переключения
    • Меньший тепловыделение
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными FET
    • Требуются специфические знания для проектирования и использования
  • Общее назначение:
    • Применяется в высоковольтных и высотоконтрольных приложениях
    • Используется в промышленных преобразователях питания
    • Реализует энергосберегающие системы управления
    • Подходит для применения в электромобилях и гибридных автомобилях
  • В каких устройствах применяется:
    • Электроэнергетические системы
    • Преобразователи питания
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для промышленного оборудования
    • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики BSM600C12P3G201

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    600A (Tc)
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5.6V @ 182mA
  • Vgs (Max)
    +22V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    28000 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2460W (Tc)
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    Module
  • Корпус
    Module
  • Base Product Number
    BSM600

Техническая документация

 BSM600C12P3G201.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    R6520ENJTLMOSFET N-CH 650V 20A LPTS
    456Кешбэк 68 баллов
    RD3L220SNFRATLMOSFET N-CH 60V 22A TO252
    458Кешбэк 68 баллов
    R6009JNJGTLMOSFET N-CH 600V 9A LPTS
    472Кешбэк 70 баллов
    R6011KND3TL1MOSFET N-CH 600V 11A TO252
    483Кешбэк 72 балла
    R6011KNXMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
    492Кешбэк 73 балла
    R6012JNJGTLMOSFET N-CH 600V 12A LPTS
    505Кешбэк 75 баллов
    R6511END3TL1650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
    525Кешбэк 78 баллов
    R6004KNJTLMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
    555Кешбэк 83 балла
    R6020JNJGTLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    606Кешбэк 90 баллов
    R8002CND3FRATLMOSFET N-CH 800V 2A TO252
    624Кешбэк 93 балла
    R8007AND3FRATLMOSFET N-CH 800V 7A TO252
    688Кешбэк 103 балла
    R8006KNXC7GHIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
    710Кешбэк 106 баллов
    R6020KNJTLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    719Кешбэк 107 баллов
    R6511KNJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS
    807Кешбэк 121 балл
    RJ1P12BBDTLLMOSFET N-CH 100V 120A LPTL
    853Кешбэк 127 баллов
    R6520ENZ4C13650V 20A TO-247, LOW-NOISE POWER
    862Кешбэк 129 баллов
    R6511ENJTLMOSFET N-CH 650V 11A LPTS
    935Кешбэк 140 баллов
    R6020ENZ4C13MOSFET N-CH 600V 20A TO247
    1 021Кешбэк 153 балла
    R6020PNJFRATLMOSFET N-CH 600V 20A LPTS
    1 281Кешбэк 192 балла
    R6070JNZ4C13600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
    1 503Кешбэк 225 баллов
    SCT2450KEHRC111200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
    2 539Кешбэк 380 баллов
    R6076KNZ4C13MOSFET N-CH 600V 76A TO247
    3 174Кешбэк 476 баллов
    SCT4026DW7HRTL750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
    3 319Кешбэк 497 баллов
    SCT3080ARC14SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L
    3 595Кешбэк 539 баллов
    SCT2160KEHRC111200V, 22A, THD, SILICON-CARBIDE
    4 053Кешбэк 607 баллов
    SCT3030ARC14SICFET N-CH 650V 70A TO247-4L
    5 920Кешбэк 888 баллов
    BSM300C12P3E201SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
    101 439Кешбэк 15 215 баллов
    BSM180C12P2E202SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
    101 520Кешбэк 15 228 баллов
    BSM180C12P3C202SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
    111 977Кешбэк 16 796 баллов
    BSM600C12P3G201SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
    234 079Кешбэк 35 111 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП