Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSP135H6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1
;
BSP135H6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSP135H6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена BSP135H6327XTSA1 при покупке от 1 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP135H6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES — это MOSFET N-канальный с напряжением переключения 600В и током прямого тока 120mA в корпусе SOT223-4.

  • Основные параметры:
    • N-канальный MOSFET
    • Напряжение переключения (VGS(th)): 2.7В при Tj = 25°C
    • Номинальный ток прямого тока (ID(on)): 120mA
    • Напряжение переключения (VDS): 600В
    • Корпус: SOT223-4
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение переключения (600В) для широкого диапазона приложений
    • Малый ток прямого тока (120mA), что снижает потери энергии при низком нагрузочном токе
    • Компактный корпус SOT223-4 для экономии места на плате
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Ток прямого тока (120mA) может быть недостаточным для некоторых высокоточных или мощных приложений
    • Напряжение переключения (2.7В) может быть слишком высоким для некоторых логических сигналов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений в электронных устройствах
    • Переключение батарейных систем
    • Привод управления двигателями
    • Инверторы и преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Портативные устройства
    • Энергоэффективные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики BSP135H6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45Ohm @ 120mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 94µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.9 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    146 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    BSP135

Техническая документация

 BSP135H6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 240 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    224 ₽
  • 10
    163 ₽
  • 100
    126 ₽
  • 250
    112 ₽
  • 1000
    90 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSP135H6327XTSA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена BSP135H6327XTSA1 при покупке от 1 шт 224.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP135H6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSP135H6327XTSA1

BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES — это MOSFET N-канальный с напряжением переключения 600В и током прямого тока 120mA в корпусе SOT223-4.

  • Основные параметры:
    • N-канальный MOSFET
    • Напряжение переключения (VGS(th)): 2.7В при Tj = 25°C
    • Номинальный ток прямого тока (ID(on)): 120mA
    • Напряжение переключения (VDS): 600В
    • Корпус: SOT223-4
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение переключения (600В) для широкого диапазона приложений
    • Малый ток прямого тока (120mA), что снижает потери энергии при низком нагрузочном токе
    • Компактный корпус SOT223-4 для экономии места на плате
    • Хорошая термическая стабильность
  • Минусы:
    • Ток прямого тока (120mA) может быть недостаточным для некоторых высокоточных или мощных приложений
    • Напряжение переключения (2.7В) может быть слишком высоким для некоторых логических сигналов
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжений в электронных устройствах
    • Переключение батарейных систем
    • Привод управления двигателями
    • Инверторы и преобразователи
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Портативные устройства
    • Энергоэффективные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики BSP135H6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45Ohm @ 120mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 94µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.9 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    146 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    BSP135

Техническая документация

 BSP135H6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDN339ANMOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFR420TRLPBFMOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
    233Кешбэк 34 балла
    TN2510N8-GMOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
    250Кешбэк 37 баллов
    IRFR5305TRLPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    STU6N65M2MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
    289Кешбэк 43 балла
    IRF6713STRPBFMOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
    295Кешбэк 44 балла
    DMTH6010LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    300Кешбэк 45 баллов
    CSD18540Q5BTMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
    767Кешбэк 115 баллов
    SIRA10DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
    168Кешбэк 25 баллов
    ATP405-TL-HMOSFET N-CH 100V 40A ATPAK
    463Кешбэк 69 баллов
    STL30N10F7Транзистор: MOSFET N-CH 100V 30A POWERFLAT
    167Кешбэк 25 баллов
    DMP2130LDM-7MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
    122Кешбэк 18 баллов
    STL21N65M5MOSFET N-CH 650V 17A PWRFLAT HV
    508Кешбэк 76 баллов
    SIHP12N60E-E3MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
    439Кешбэк 65 баллов
    2N7002E-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
    77Кешбэк 11 баллов
    MTP3055VLТранзистор: MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3
    378Кешбэк 56 баллов
    TPH12008NH,L1QMOSFET N-CH 80V 24A 8SOP
    230Кешбэк 34 балла
    SI3438DV-T1-E3MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
    304Кешбэк 45 баллов
    PSMN5R0-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    974Кешбэк 146 баллов
    AO3400AТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L
    76Кешбэк 11 баллов
    BUK9675-55A,118MOSFET N-CH 55V 20A D2PAK
    332Кешбэк 49 баллов
    CSD19502Q5BTMOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
    652Кешбэк 97 баллов
    SI7868ADP-T1-E3MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
    999Кешбэк 149 баллов
    IRFU9214PBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 2.7A TO251AA
    383Кешбэк 57 баллов
    BSZ0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
    296Кешбэк 44 балла
    SI7686DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
    426Кешбэк 63 балла
    AUIRFR4615TRLMOSFET N-CH 150V 33A DPAK
    537Кешбэк 80 баллов
    AOD480MOSFET N-CH 30V 25A TO252
    72Кешбэк 10 баллов
    FDMC7660DCMOSFET N-CH 30V 30A/40A DLCOOL33
    319Кешбэк 47 баллов
    AUIRF8739L2TRMOSFET N-CH 40V 57A DIRECTFET
    1 573Кешбэк 235 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диодные мосты
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП