Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSP149H6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1
;
BSP149H6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSP149H6327XTSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена BSP149H6327XTSA1 при покупке от 1 шт 286.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP149H6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-Ч 200В 660мА SOT223-4 — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) производства Infineon Technologies. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 200В
    • Размер тока (ID(on)): 660мА
    • Форм-фактор: SOT223-4
  • Преимущества:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление в канале при включенном состоянии (RDS(on))
    • Малый размер и легкий монтаж
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Недостатки:
    • Могут быть ограничения по максимальному рабочему току при высоких температурах
    • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Поддержка высокоскоростных сигналов
    • Контроль мощности в различных приложениях
  • Области применения:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Периферийные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BSP149H6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    660mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 660mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 400µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    430 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    BSP149

Техническая документация

 BSP149H6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 453 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    286 ₽
  • 10
    185 ₽
  • 100
    127 ₽
  • 500
    102 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSP149H6327XTSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена BSP149H6327XTSA1 при покупке от 1 шт 286.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP149H6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-Ч 200В 660мА SOT223-4 — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) производства Infineon Technologies. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 200В
    • Размер тока (ID(on)): 660мА
    • Форм-фактор: SOT223-4
  • Преимущества:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление в канале при включенном состоянии (RDS(on))
    • Малый размер и легкий монтаж
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Недостатки:
    • Могут быть ограничения по максимальному рабочему току при высоких температурах
    • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Поддержка высокоскоростных сигналов
    • Контроль мощности в различных приложениях
  • Области применения:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Периферийные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BSP149H6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    660mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 660mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 400µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    430 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    BSP149

Техническая документация

 BSP149H6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRLB8314PBFMOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
    281Кешбэк 42 балла
    IPA50R299CPXKSA1MOSFET N-CH 550V 12A TO220-FP
    282Кешбэк 42 балла
    IRF2805PBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    282Кешбэк 42 балла
    IRLHM620TRPBFMOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
    282Кешбэк 42 балла
    IRFZ44NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
    284Кешбэк 42 балла
    IRLR9343TRPBFMOSFET P-CH 55V 20A DPAK
    284Кешбэк 42 балла
    IPA60R400CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
    284Кешбэк 42 балла
    IPA65R400CEXKSA1MOSFET N-CH 650V TO220
    284Кешбэк 42 балла
    IPA50R500CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 5.4A TO220
    286Кешбэк 42 балла
    BSP149H6327XTSA1MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
    286Кешбэк 42 балла
    IRFR3709ZTRLPBFMOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    286Кешбэк 42 балла
    IRF640NSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
    287Кешбэк 43 балла
    IPA50R380CEXKSA2MOSFET N-CH 500V 6.3A TO220
    287Кешбэк 43 балла
    IPD053N08N3GATMA1MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
    288Кешбэк 43 балла
    BSC098N10NS5ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
    288Кешбэк 43 балла
    IRLR3110ZTRPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    288Кешбэк 43 балла
    IRF530NSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
    288Кешбэк 43 балла
    AUIRLZ44ZMOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    IRF4905LPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 42A TO262
    288Кешбэк 43 балла
    IRF1310NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
    288Кешбэк 43 балла
    IRLB4132PBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
    289Кешбэк 43 балла
    BSC097N06NSATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
    290Кешбэк 43 балла
    IPD60R600P6ATMA1MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
    290Кешбэк 43 балла
    BSZ040N04LSGATMA1MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
    290Кешбэк 43 балла
    IPD90N04S404ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    290Кешбэк 43 балла
    IPD26N06S2L35ATMA2MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
    290Кешбэк 43 балла
    IRFB5620PBFMOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
    290Кешбэк 43 балла
    IRF5305PBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
    292Кешбэк 43 балла
    BSC0501NSIATMA1MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON
    292Кешбэк 43 балла
    IPA65R1K5CEXKSA1Транзистор: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
    292Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП