Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSP149H6327XTSA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1
;
BSP149H6327XTSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSP149H6327XTSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена BSP149H6327XTSA1 при покупке от 1 шт 266.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP149H6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-Ч 200В 660мА SOT223-4 — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) производства Infineon Technologies. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 200В
    • Размер тока (ID(on)): 660мА
    • Форм-фактор: SOT223-4
  • Преимущества:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление в канале при включенном состоянии (RDS(on))
    • Малый размер и легкий монтаж
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Недостатки:
    • Могут быть ограничения по максимальному рабочему току при высоких температурах
    • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Поддержка высокоскоростных сигналов
    • Контроль мощности в различных приложениях
  • Области применения:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Периферийные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BSP149H6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    660mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 660mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 400µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    430 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    BSP149

Техническая документация

 BSP149H6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 694 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    266 ₽
  • 10
    170 ₽
  • 100
    117 ₽
  • 500
    92 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSP149H6327XTSA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4Все характеристики

Минимальная цена BSP149H6327XTSA1 при покупке от 1 шт 266.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP149H6327XTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-Ч 200В 660мА SOT223-4 — это полевое транзисторное устройство (MOSFET) производства Infineon Technologies. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также области применения.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 200В
    • Размер тока (ID(on)): 660мА
    • Форм-фактор: SOT223-4
  • Преимущества:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление в канале при включенном состоянии (RDS(on))
    • Малый размер и легкий монтаж
    • Устойчивость к перенапряжениям
  • Недостатки:
    • Могут быть ограничения по максимальному рабочему току при высоких температурах
    • Необходимо соблюдение правил проектирования для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Поддержка высокоскоростных сигналов
    • Контроль мощности в различных приложениях
  • Области применения:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные источники питания
    • Промышленное оборудование
    • Электронные системы управления
    • Периферийные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BSP149H6327XTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    660mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8Ohm @ 660mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 400µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    430 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Base Product Number
    BSP149

Техническая документация

 BSP149H6327XTSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF8301MTRPBFMOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
    675Кешбэк 101 балл
    IRFS4115TRL7PPMOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
    697Кешбэк 104 балла
    IPW65R190C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 13A TO247-3
    732Кешбэк 109 баллов
    IRF2804STRL7PPMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    743Кешбэк 111 баллов
    SPW20N60CFDFKSA1MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
    743Кешбэк 111 баллов
    IRF6715MTRPBFMOSFET N-CH 25V 34A DIRECTFET
    747Кешбэк 112 баллов
    IPA60R199CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP
    751Кешбэк 112 баллов
    SPA11N60C3XKSA1MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
    751Кешбэк 112 баллов
    IPB120P04P4L03ATMA1MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
    782Кешбэк 117 баллов
    IPL60R125C7AUMA1MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
    784Кешбэк 117 баллов
    SPA20N60C3XKSA1MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31
    804Кешбэк 120 баллов
    IRFP4127PBFMOSFET N-CH 200V 75A TO247AC
    813Кешбэк 121 балл
    AUIRF6215STRLТранзистор: MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
    815Кешбэк 122 балла
    SPA20N60CFDXKSA1MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-FP
    835Кешбэк 125 баллов
    IPP65R190C6XKSA1MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
    837Кешбэк 125 баллов
    IRL60SL216MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
    842Кешбэк 126 баллов
    IRFS3006TRLPBFMOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
    846Кешбэк 126 баллов
    IPP100N08S2L07AKSA1MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
    853Кешбэк 127 баллов
    IPP80N08S406AKSA1MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
    859Кешбэк 128 баллов
    IPB180P04P4L02ATMA1MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
    870Кешбэк 130 баллов
    AUIRFS3306TRLMOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    881Кешбэк 132 балла
    IRFS7734TRL7PPMOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
    901Кешбэк 135 баллов
    IPZ65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
    916Кешбэк 137 баллов
    IPB011N04NGATMA1MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    932Кешбэк 139 баллов
    IPP60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
    951Кешбэк 142 балла
    IPB180N10S403ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    951Кешбэк 142 балла
    IPA60R165CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 21A TO220-FP
    993Кешбэк 148 баллов
    IRFP4004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC
    1 011Кешбэк 151 балл
    AUIRFS4310ZTRLТранзистор: AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL
    1 022Кешбэк 153 балла
    AUIRF2804STRLMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    1 118Кешбэк 167 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП