Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSS127H6327XTSA2
  • В избранное
  • В сравнение
BSS127H6327XTSA2

BSS127H6327XTSA2

BSS127H6327XTSA2
;
BSS127H6327XTSA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSS127H6327XTSA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BSS127H6327XTSA2 при покупке от 1 шт 79.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS127H6327XTSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSS127H6327XTSA2

BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-Ч 600В 21mA SOT23-3 — это тип полевого транзистора (MOSFET) производства Infineon Technologies. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также область применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 600В
    • Размер токового тока (ID(on)): 21mA
    • Пакет: SOT23-3
  • Преимущества:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость интеграции в электронные схемы
    • Низкий ток дrain-to-source (ID(on)) при отключенном состоянии
    • Высокая скорость переключения
  • Недостатки:
    • Низкий ток тока в режиме насыщения
    • Требуется дополнительное охлаждение для больших токов
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Контроль потребления энергии в системах управления
    • Изоляция высоковольтных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Переходники питания
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики BSS127H6327XTSA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500Ohm @ 16mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 8µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    28 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT23
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    BSS127

Техническая документация

 BSS127H6327XTSA2.pdf
pdf. 0 kb
  • 2290 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    79 ₽
  • 50
    36 ₽
  • 500
    21 ₽
  • 3000
    17 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BSS127H6327XTSA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BSS127H6327XTSA2 при покупке от 1 шт 79.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS127H6327XTSA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSS127H6327XTSA2

BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-Ч 600В 21mA SOT23-3 — это тип полевого транзистора (MOSFET) производства Infineon Technologies. Давайте рассмотрим его основные параметры, преимущества и недостатки, а также область применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 600В
    • Размер токового тока (ID(on)): 21mA
    • Пакет: SOT23-3
  • Преимущества:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Малый размер и легкость интеграции в электронные схемы
    • Низкий ток дrain-to-source (ID(on)) при отключенном состоянии
    • Высокая скорость переключения
  • Недостатки:
    • Низкий ток тока в режиме насыщения
    • Требуется дополнительное охлаждение для больших токов
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Контроль потребления энергии в системах управления
    • Изоляция высоковольтных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Мощные инверторы
    • Системы управления двигателем
    • Переходники питания
    • Измерительные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики BSS127H6327XTSA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500Ohm @ 16mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 8µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    28 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT23
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    BSS127

Техническая документация

 BSS127H6327XTSA2.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSS138NH6433XTMA1MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    BSL296SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.4A TSOP-6
    60Кешбэк 9 баллов
    IRLML6344TRPBFMOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
    61Кешбэк 9 баллов
    BSS806NEH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
    62Кешбэк 9 баллов
    IRF9393TRPBFMOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
    63Кешбэк 9 баллов
    BSP318SL6327HTSA1MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
    64Кешбэк 9 баллов
    IRLML9303TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    IRFR024NTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    66Кешбэк 9 баллов
    BSS670S2LH6433XTMA1MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
    68Кешбэк 10 баллов
    IRFHM8329TRPBFMOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFN
    68Кешбэк 10 баллов
    IRLML5203TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
    69Кешбэк 10 баллов
    IPS65R1K5CEAKMA1MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
    69Кешбэк 10 баллов
    IRFZ34NPBFMOSFET N-CH 55V 29A TO220AB
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLTS6342TRPBFMOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
    70Кешбэк 10 баллов
    IRLML5103TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD316SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML0030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    BSD214SNH6327XTSA1MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2030TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML2060TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
    72Кешбэк 10 баллов
    IRLML9301TRPBFMOSFET P-CH 30V 3.6A SOT23
    73Кешбэк 10 баллов
    IPU60R2K0C6AKMA1MOSFET N-CH 600V 2.4A TO251-3
    76Кешбэк 11 баллов
    BSC032NE2LSATMA1MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON
    76Кешбэк 11 баллов
    BSS225H6327FTSA1MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
    76Кешбэк 11 баллов
    IPD075N03LGATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
    77Кешбэк 11 баллов
    BSP296NH6327XTSA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
    77Кешбэк 11 баллов
    IRFZ24NPBFMOSFET N-CH 55V 17A TO220AB
    78Кешбэк 11 баллов
    IRLML6401TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
    79Кешбэк 11 баллов
    BSS127H6327XTSA2MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
    79Кешбэк 11 баллов
    IRFTS8342TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    79Кешбэк 11 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП