Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSS138LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
BSS138LT1G

BSS138LT1G

BSS138LT1G
;
BSS138LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    BSS138LT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BSS138LT1G при покупке от 1 шт 34.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS138LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSS138LT1G

BSS138LT1G ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 — это ненаправленный полупроводниковый MOSFET с транзисторной структурой с нейтрально заряженным каналом (N-канальный). Вот его основные характеристики:

  • Напряжение блокировки VDS(on): 50В
  • Потребляемая токовая способность ID: 200мА
  • Форм-фактор корпуса: SOT23-3

Плюсы:

  • Малый размер и легкий вес благодаря компактному корпусу SOT23-3
  • Высокая скорость переключения благодаря низкому времени отклика
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Низкая максимальная потребляемая токовая способность (200мА)
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Изоляция сигналов

Применяется в:

  • Устройствах для питания и управления
  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем
  • Электронных игрушках
  • Малогабаритных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики BSS138LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 200mA, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    225mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    BSS138

Техническая документация

 BSS138LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 77 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    34 ₽
  • 25
    19 ₽
  • 500
    8.8 ₽
  • 3000
    6.8 ₽
  • 9000
    5.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ON SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    BSS138LT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BSS138LT1G при покупке от 1 шт 34.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS138LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSS138LT1G

BSS138LT1G ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 — это ненаправленный полупроводниковый MOSFET с транзисторной структурой с нейтрально заряженным каналом (N-канальный). Вот его основные характеристики:

  • Напряжение блокировки VDS(on): 50В
  • Потребляемая токовая способность ID: 200мА
  • Форм-фактор корпуса: SOT23-3

Плюсы:

  • Малый размер и легкий вес благодаря компактному корпусу SOT23-3
  • Высокая скорость переключения благодаря низкому времени отклика
  • Высокая надежность и долговечность

Минусы:

  • Низкая максимальная потребляемая токовая способность (200мА)
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение электрических цепей
  • Изоляция сигналов

Применяется в:

  • Устройствах для питания и управления
  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем
  • Электронных игрушках
  • Малогабаритных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики BSS138LT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    50 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5Ohm @ 200mA, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    225mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    BSS138

Техническая документация

 BSS138LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STF5N60M2MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP
    280Кешбэк 42 балла
    STB100NF03L-03T4Транзистор: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
    328Кешбэк 49 баллов
    STL19N65M5MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
    193Кешбэк 28 баллов
    STD18NF03LMOSFET N-CH 30V 17A DPAK
    209Кешбэк 31 балл
    STS6NF20VMOSFET N-CH 20V 6A 8SO
    144Кешбэк 21 балл
    STD4NK60ZT4MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
    198Кешбэк 29 баллов
    STW43N60DM2MOSFET N-CH 600V 34A TO247
    1 395Кешбэк 209 баллов
    STD3NK100ZMOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK
    513Кешбэк 76 баллов
    STB45N50DM2AGMOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
    1 395Кешбэк 209 баллов
    STD5N62K3MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
    328Кешбэк 49 баллов
    STD2N105K5MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
    413Кешбэк 61 балл
    STS6P3LLH6MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
    209Кешбэк 31 балл
    STD65N55F3MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
    487Кешбэк 73 балла
    STU9HN65M2MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
    267Кешбэк 40 баллов
    STD9NM60NMOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    STL24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
    706Кешбэк 105 баллов
    STD4NK50ZT4MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
    348Кешбэк 52 балла
    STD16N65M5Транзистор: MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
    448Кешбэк 67 баллов
    STD95N4LF3MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
    454Кешбэк 68 баллов
    STD70N6F3MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
    517Кешбэк 77 баллов
    STD20NF10T4MOSFET N CH 100V 25A DPAK
    290Кешбэк 43 балла
    STD3NM60NMOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
    252Кешбэк 37 баллов
    STP10NK80ZMOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
    344Кешбэк 51 балл
    STS10N3LH5MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
    232Кешбэк 34 балла
    STP18N55M5MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB
    659Кешбэк 98 баллов
    STY140NS10
    4 832Кешбэк 724 балла
    STD11N50M2MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
    270Кешбэк 40 баллов
    STD10N60M2MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    STS7NF60LMOSFET N-CH 60V 7.5A 8SO
    491Кешбэк 73 балла
    STS13N3LLH5MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
    112Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП