Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
BSS4130AHZGT116
  • В избранное
  • В сравнение
BSS4130AHZGT116

BSS4130AHZGT116

BSS4130AHZGT116
;
BSS4130AHZGT116

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    BSS4130AHZGT116
  • Описание:
    TRANS NPN 30V 1A SST3Все характеристики

Минимальная цена BSS4130AHZGT116 при покупке от 1 шт 134.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS4130AHZGT116 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSS4130AHZGT116

BSS4130AHZGT116 Rohm Semiconductor TRANS NPN 30V 1A SST3 — это транзистор на базе Si (Silicon) с характеристиками:

  • Тип: NPN-транзистор
  • Максимальное напряжение Uce(max): 30В
  • Максимальный ток Ic(max): 1А
  • Форм-фактор: SOT23-3

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию Si
  • Малый размер корпуса
  • Низкий уровень шумов при работе
  • Высокая стабильность характеристик

Минусы:

  • Умеренная мощность (максимальный ток 1А)
  • Меньше, чем у транзисторов на основе GaN или SiC

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Изменение тока в цепях
  • Усилитель сигнала

Применяется в:

  • Мелкосерийном производстве электроники
  • Проектах с ограниченными энергетическими требованиями
  • Системах управления освещением
  • Промышленных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики BSS4130AHZGT116

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    340mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    270 @ 100mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    400MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SST3
  • Base Product Number
    BSS4130

Техническая документация

 BSS4130AHZGT116.pdf
pdf. 0 kb
  • 2537 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    134 ₽
  • 100
    56 ₽
  • 1000
    34.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    BSS4130AHZGT116
  • Описание:
    TRANS NPN 30V 1A SST3Все характеристики

Минимальная цена BSS4130AHZGT116 при покупке от 1 шт 134.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSS4130AHZGT116 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSS4130AHZGT116

BSS4130AHZGT116 Rohm Semiconductor TRANS NPN 30V 1A SST3 — это транзистор на базе Si (Silicon) с характеристиками:

  • Тип: NPN-транзистор
  • Максимальное напряжение Uce(max): 30В
  • Максимальный ток Ic(max): 1А
  • Форм-фактор: SOT23-3

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря использованию Si
  • Малый размер корпуса
  • Низкий уровень шумов при работе
  • Высокая стабильность характеристик

Минусы:

  • Умеренная мощность (максимальный ток 1А)
  • Меньше, чем у транзисторов на основе GaN или SiC

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Изменение тока в цепях
  • Усилитель сигнала

Применяется в:

  • Мелкосерийном производстве электроники
  • Проектах с ограниченными энергетическими требованиями
  • Системах управления освещением
  • Промышленных приборах
Выбрано: Показать

Характеристики BSS4130AHZGT116

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    30 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    340mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    270 @ 100mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    400MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SST3
  • Base Product Number
    BSS4130

Техническая документация

 BSS4130AHZGT116.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SCR513P5T100TRANS NPN 50V 1A MPT3
    126Кешбэк 18 баллов
    2SCR553PFRAT100TRANS NPN 50V 2A MPT3
    126Кешбэк 18 баллов
    BSS5130AHZGT116TRANS PNP 30V 1A SST3
    128Кешбэк 19 баллов
    2SCRC41CHZGT116STRANS NPN 75V 3A SOT89-3
    128Кешбэк 19 баллов
    2SCR553P5T100TRANS NPN 50V 2A MPT3
    129Кешбэк 19 баллов
    2SAR512P5T100TRANS PNP 30V 2A MPT3
    130Кешбэк 19 баллов
    2SCR512P5T100TRANS NPN 30V 2A MPT3
    130Кешбэк 19 баллов
    2SAR514P5T100TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
    130Кешбэк 19 баллов
    2SA2088U3HZGT106QTRANS PNP 60V 0.5A UMT3
    132Кешбэк 19 баллов
    BSS4130AHZGT116TRANS NPN 30V 1A SST3
    134Кешбэк 20 баллов
    2SAR553P5T100TRANS PNP 50V 2A MPT3
    134Кешбэк 20 баллов
    2SARA41CHZGT116RTRANS PNP 120V 0.05A SST3
    136Кешбэк 20 баллов
    2SAR514PFRAT100TRANS PNP 80V 0.7A MPT3
    136Кешбэк 20 баллов
    2SAR533PFRAT100TRANS PNP 50V 3A MPT3
    136Кешбэк 20 баллов
    2SAR533P5T100TRANS PNP 50V 3A MPT3
    138Кешбэк 20 баллов
    2SCR553RTLTRANS NPN 50V 2A TSMT3
    138Кешбэк 20 баллов
    2SCR513RTLTRANS NPN 50V 1A TSMT3
    142Кешбэк 21 балл
    2SCR533P5T100TRANS NPN 50V 3A MPT3
    142Кешбэк 21 балл
    2SAR554P5T100TRANS PNP 80V 1.5A MPT3
    150Кешбэк 22 балла
    2SCR554P5T100TRANS NPN 80V 1.5A MPT3
    150Кешбэк 22 балла
    2SAR544PFRAT100TRANS PNP 80V 2.5A MPT3
    150Кешбэк 22 балла
    2SCR533PFRAT100TRANS NPN 50V 3A MPT3
    154Кешбэк 23 балла
    2SAR552P5T100TRANS PNP 30V 3A MPT3
    160Кешбэк 24 балла
    2SCR552P5T100TRANS NPN 30V 3A MPT3
    160Кешбэк 24 балла
    2SAR293PHZGT100TRANS PNP 30V 1A SOT89
    161Кешбэк 24 балла
    2SCR542PFRAT100TRANS NPN 30V 5A MPT3
    165Кешбэк 24 балла
    2SCR513PHZGT100TRANS NPN 50V 1A SOT89
    167Кешбэк 25 баллов
    2SAR553PHZGT100TRANS PNP 50V 2A SOT89
    171Кешбэк 25 баллов
    2SAR513PHZGT100TRANS PNP 50V 1A SOT89
    171Кешбэк 25 баллов
    2SAR544P5T100TRANS PNP 80V 2.5A MPT3
    171Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП