Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

BSZ011NE2LS5IATMA1

BSZ011NE2LS5IATMA1

BSZ011NE2LS5IATMA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BSZ011NE2LS5IATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSZ011NE2LS5IATMA1 при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSZ011NE2LS5IATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BSZ011NE2LS5IATMA1

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 12 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TSDSON-8-FL
Корпус
8-PowerTDFN
Base Product Number
BSZ011

Техническая документация

BSZ011NE2LS5IATMA1.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

7996 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
310 ₽
10
218 ₽
100
190 ₽
500
177 ₽
2500
168 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BSZ011NE2LS5IATMA1
Описание:
MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSZ011NE2LS5IATMA1 при покупке от 1 шт 310.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSZ011NE2LS5IATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики BSZ011NE2LS5IATMA1

Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 12 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
PG-TSDSON-8-FL
Корпус
8-PowerTDFN
Base Product Number
BSZ011

Техническая документация

BSZ011NE2LS5IATMA1.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

UPA507TE-T1-AT P-CHANNEL MOSFET

67Кешбэк 10 баллов

SISS72DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK

240Кешбэк 36 баллов

STW65N60DM6 MOSFET N-CH 600V 38A TO247

1 279Кешбэк 191 балл

DMP2021UFDE-7 MOSFET P-CH 20V 11.1A 6UDFN

155Кешбэк 23 балла

TSM10NC65CF C0G MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

386Кешбэк 57 баллов

NVMJS1D0N04CTWG MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK

648Кешбэк 97 баллов

STD11N60DM2 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

344Кешбэк 51 балл

EPC2202 GANFET N-CH 80V 18A DIE

711Кешбэк 106 баллов

BSZ086P03NS3GATMA1 MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

187Кешбэк 28 баллов

RQ5E035XNTCL MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3

150Кешбэк 22 балла

TSM280NB06LCR RLG MOSFET N-CH 60V 7A/28A 8PDFN

137Кешбэк 20 баллов

SCT50N120 SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

5 068Кешбэк 760 баллов

DMTH10H010LPS-13 MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

368Кешбэк 55 баллов

MTD3302T4 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

102Кешбэк 15 баллов

TK2R4E08QM,S1X UMOS10 TO-220AB 80V 2.4MOHM

907Кешбэк 136 баллов

BB503CCS-TL-E Транзистор: RF N-CHANNEL MOSFET

50Кешбэк 7 баллов

R6007JNXC7G MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM

370Кешбэк 55 баллов

SCT4062KEC11 1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

1 983Кешбэк 297 баллов

BSC076N06NS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8

159Кешбэк 23 балла

STD13N60DM2 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

140Кешбэк 21 балл

SIDR622DP-T1-RE3 N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

595Кешбэк 89 баллов

SSS4N60BT TRANS MOSFET N-CH 600V 4A 3PIN(3

92Кешбэк 13 баллов

PMV48XPVL MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB

129Кешбэк 19 баллов

IXFH76N15T2 MOSFET N-CH 150V 76A TO247

1 284Кешбэк 192 балла

NVMFS5C423NLAFT1G MOSFET N-CH 40V 31A/150A 5DFN

412Кешбэк 61 балл

RRH090P03GZETB MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

395Кешбэк 59 баллов

BSC016N06NSTATMA1 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 31A/100A TDSON

702Кешбэк 105 баллов

NTE2382 MOSFET N-CHANNEL 100V 9.2A TO220

1 109Кешбэк 166 баллов

NVMJS1D3N04CTWG MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK

530Кешбэк 79 баллов

TK200F04N1L,LXGQ MOSFET N-CH 40V 200A TO220SM

754Кешбэк 113 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Тиристоры - SCR - модули

Принадлежности

Транзисторы - JFET

Транзисторы - IGBT - модули

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Симисторы

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды - выпрямители - одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды - ВЧ

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Высокочастотные полевые транзисторы

Диодные мосты

IGBT транзисторы

Биполярные транзисторы - Одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды выпрямительные - Сборки

Модули драйверов питания

Триодные тиристоры - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - Модули

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диодные мосты - Модули

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Тиристоры - SCR

Полевые транзисторы - Одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диоды - мостовые выпрямители

Полевые транзисторы - Модули

Высокочастотные диоды

Транзисторы - Специального назначения

Транзисторы - IGBT - одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Варикапы и Варакторы

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Драйверы питания - Модули

Симисторы - Модули

Тиристоры - TRIACs

Диоды - выпрямители - массивы

Программируемые однопереходные транзисторы

Транзисторы - программируемые однопереходные

Биполярные транзисторы

Диоды силовые

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали