Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BSZ040N04LSGATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1
;
BSZ040N04LSGATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSZ040N04LSGATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSZ040N04LSGATMA1 при покупке от 1 шт 267.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSZ040N04LSGATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-ЧЕТВЕРТЬВОДНИК 40В 18А/40А 8TSDSON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 18А при VGS = 10В; 40А при VGS = 12В
    • Тип: N-чтвёртвоводник (N-MOSFET)
    • Количество каналов (Trench): 8
    • Форм-фактор: SOD-123 (8-lead TSSOP)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Малый тепловыделение благодаря эффективной структуре канала
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость интеграции в модули
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требуется более сложная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых конвертерах
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Интеграция в системы управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Источники питания для ноутбуков и персональных компьютеров
    • Системы управления двигателей для промышленного оборудования
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики BSZ040N04LSGATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Ta), 40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 36µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5100 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TSDSON-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSZ040

Техническая документация

 BSZ040N04LSGATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 3003 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    267 ₽
  • 10
    168 ₽
  • 500
    87 ₽
  • 2000
    75 ₽
  • 10000
    61 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSZ040N04LSGATMA1
  • Описание:
    MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSONВсе характеристики

Минимальная цена BSZ040N04LSGATMA1 при покупке от 1 шт 267.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSZ040N04LSGATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-ЧЕТВЕРТЬВОДНИК 40В 18А/40А 8TSDSON

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 40В
    • Номинальный ток (ID(on)): 18А при VGS = 10В; 40А при VGS = 12В
    • Тип: N-чтвёртвоводник (N-MOSFET)
    • Количество каналов (Trench): 8
    • Форм-фактор: SOD-123 (8-lead TSSOP)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Малый тепловыделение благодаря эффективной структуре канала
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость интеграции в модули
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с другими типами MOSFET
    • Требуется более сложная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых конвертерах
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Интеграция в системы управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания и управления
    • Источники питания для ноутбуков и персональных компьютеров
    • Системы управления двигателей для промышленного оборудования
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики BSZ040N04LSGATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    18A (Ta), 40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 36µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5100 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TSDSON-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    BSZ040

Техническая документация

 BSZ040N04LSGATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPB180N08S402ATMA1MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
    1 204Кешбэк 180 баллов
    FQT4N25TFMOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
    109Кешбэк 16 баллов
    SI7862ADP-T1-E3MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
    934Кешбэк 140 баллов
    PMN48XPAXMOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
    119Кешбэк 17 баллов
    NTD4858NT4GMOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    IRFS41N15DTRLPHEXFET POWER MOSFET
    545Кешбэк 81 балл
    STD3N62K3Транзистор: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
    110Кешбэк 16 баллов
    ZVN4106FTAMOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
    149Кешбэк 22 балла
    CSD16410Q5AMOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
    241Кешбэк 36 баллов
    FDD86113LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    IPD082N10N3GATMA1MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
    252Кешбэк 37 баллов
    IXFH18N90PMOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
    2 295Кешбэк 344 балла
    NP50P04SDG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 50A TO252
    499Кешбэк 74 балла
    IRFS3107TRLPBFMOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
    899Кешбэк 134 балла
    FDB120N10MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
    528Кешбэк 79 баллов
    IRFR1N60ATRPBFMOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    STD65N55F3MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
    487Кешбэк 73 балла
    STU9HN65M2MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
    267Кешбэк 40 баллов
    STD9NM60NMOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    VN3205N8-GMOSFET N-CH 50V 1.5A TO243AA
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFU420PBFMOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
    122Кешбэк 18 баллов
    DMN6040SVT-7MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFI840GPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
    298Кешбэк 44 балла
    FQD1N80TMMOSFET N-CH 800V 1A DPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    IRFR024MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    172Кешбэк 25 баллов
    FDA2712MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN
    2 175Кешбэк 326 баллов
    FDS6675BZТранзистор: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
    160Кешбэк 24 балла
    FQP17N08MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
    76Кешбэк 11 баллов
    STL24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
    706Кешбэк 105 баллов
    AUIRLR3105MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП