Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BTS244ZE3062AATMA2
BTS244ZE3062AATMA2

BTS244ZE3062AATMA2

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BTS244ZE3062AATMA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5Все характеристики

Минимальная цена BTS244ZE3062AATMA2 при покупке от 104 шт 553.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BTS244ZE3062AATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BTS244ZE3062AATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2660 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Temperature Sensing Diode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    170W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-5-2
  • Корпус
    TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
  • Base Product Number
    BTS244
Техническая документация
 BTS244ZE3062AATMA2.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 104
    553 ₽

Минимально и кратно 104 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BTS244ZE3062AATMA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5Все характеристики

Минимальная цена BTS244ZE3062AATMA2 при покупке от 104 шт 553.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BTS244ZE3062AATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BTS244ZE3062AATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13mOhm @ 19A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 130µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    130 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2660 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Temperature Sensing Diode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    170W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-5-2
  • Корпус
    TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
  • Base Product Number
    BTS244
Техническая документация
 BTS244ZE3062AATMA2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPI076N12N3GAKSA1MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
    BSS138WH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
    FQI12N60TUMOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
    FDMC6688PMOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
    STW26NM50MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
    IPL60R104C7AUMA1MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
    SQD15N06-42L_GE3MOSFET N-CH 60V 15A TO252
    IRF9620PBFMOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
    NVTFS4C08NTWGMOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
    TK100S04N1L,LQMOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    DMN13H750S-7MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
    NTJS4405NT1GMOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6
    IPA60R650CEXKSA1MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP
    ATP113-TL-HMOSFET P-CH 60V 35A ATPAK
    FDPF041N06BL1MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
    BSH105,215MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
    IPP16CN10NGXKSA1MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
    ZVN3310ASTZMOSFET N-CH 100V 200MA E-LINE
    CPC3980ZTRMOSFET N-CH 800V SOT223
    IPP120N20NFDAKSA1MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
    ZXMN10A07FTAMOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
    FDMS4435BZMOSFET P-CH 30V 9A/18A 8PQFN
    CSD25483F4MOSFET P-CH 20V 1.6A 3PICOSTAR
    PSMN2R2-25YLC,115MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
    FQA34N20LMOSFET N-CH 200V 34A TO3P
    SPD02N60S5BTMA1MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3
    IRF7815TRPBFMOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
    FQPF18N20V2MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
    DMG1013T-7MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
    SI2304BDS-T1-E3MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП