Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
BTS282ZE3180AATMA2
  • В избранное
  • В сравнение
BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2
;
BTS282ZE3180AATMA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BTS282ZE3180AATMA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена BTS282ZE3180AATMA2 при покупке от 1 шт 1542.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BTS282ZE3180AATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-ЧЕРНЯВЫЙ 49В 80А TO263-7

  • Основные параметры:
    • Тип: N-чёрный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 49В
    • Рейтинг ток: 80А
    • Комплектация корпуса: TO263-7
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий сопротивление при прохождении тока (RD(on))
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для применения в цепях с переменным током без управляющего устройства
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление мощными токами
    • Подходит для систем управления двигателей, инверторов, преобразователей напряжения
    • Используется в автомобильной электронике, бытовой технике, промышленном оборудовании
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Бытовая техника (посудомоечные машины, холодильники)
    • Промышленное оборудование (инверторы, преобразователи)
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики BTS282ZE3180AATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    49 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5mOhm @ 36A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 240µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    232 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4800 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Temperature Sensing Diode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-1
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    BTS282

Техническая документация

 BTS282ZE3180AATMA2.pdf
pdf. 0 kb
  • 76 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 542 ₽
  • 250
    1 329 ₽
  • 500
    1 117 ₽
  • 1000
    990 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    BTS282ZE3180AATMA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7Все характеристики

Минимальная цена BTS282ZE3180AATMA2 при покупке от 1 шт 1542.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BTS282ZE3180AATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BTS282ZE3180AATMA2

BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET N-ЧЕРНЯВЫЙ 49В 80А TO263-7

  • Основные параметры:
    • Тип: N-чёрный MOSFET
    • Рабочее напряжение (VDS(on)): 49В
    • Рейтинг ток: 80А
    • Комплектация корпуса: TO263-7
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и вес
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий сопротивление при прохождении тока (RD(on))
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Не подходит для применения в цепях с переменным током без управляющего устройства
  • Общее назначение:
    • Используется в различных электронных устройствах, где требуется управление мощными токами
    • Подходит для систем управления двигателей, инверторов, преобразователей напряжения
    • Используется в автомобильной электронике, бытовой технике, промышленном оборудовании
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Бытовая техника (посудомоечные машины, холодильники)
    • Промышленное оборудование (инверторы, преобразователи)
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики BTS282ZE3180AATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    49 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    80A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.5mOhm @ 36A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 240µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    232 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4800 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Temperature Sensing Diode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-7-1
  • Корпус
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Base Product Number
    BTS282

Техническая документация

 BTS282ZE3180AATMA2.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP90N055VUK-E1-AYMOSFET N-CH 55V 90A TO252-3
    567Кешбэк 85 баллов
    NP50P06SDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 50A TO-252
    608Кешбэк 91 балл
    RJK03M1DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 50A 8WPAK
    612Кешбэк 91 балл
    NP50P03YDG-E1-AYMOSFET P-CH 30V 50A 8HSON
    614Кешбэк 92 балла
    N0603N-S23-AYMOSFET N-CH 60V 100A TO262
    616Кешбэк 92 балла
    RJK1055DPB-00#J5MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK
    620Кешбэк 93 балла
    N0413N-ZK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 100A TO263
    652Кешбэк 97 баллов
    RJK0655DPB-00#J5MOSFET N-CH 60V 35A LFPAK
    696Кешбэк 104 балла
    RJK1056DPB-00#J5MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
    730Кешбэк 109 баллов
    RJK0656DPB-00#J5MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
    740Кешбэк 111 баллов
    NP83P06PDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 83A TO263
    934Кешбэк 140 баллов
    NP83P04PDG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 83A TO-263
    936Кешбэк 140 баллов
    NP110N04PUK-E1-AYТранзистор: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
    1 131Кешбэк 169 баллов
    NP100P06PDG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 100A TO263
    1 185Кешбэк 177 баллов
    NP100P06PLG-E1-AYMOSFET P-CH 60V 100A TO263
    1 193Кешбэк 178 баллов
    NP180N04TUK-E1-AYMOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
    1 297Кешбэк 194 балла
    C3M0280090DSICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3
    1 988Кешбэк 298 баллов
    C2M0280120DТранзистор: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
    2 324Кешбэк 348 баллов
    C2M1000170JТранзистор: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
    2 467Кешбэк 370 баллов
    C2M1000170J-TRSICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
    2 512Кешбэк 376 баллов
    C2M0040120DSICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
    11 122Кешбэк 1 668 баллов
    C2M0025120DSICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
    14 751Кешбэк 2 212 баллов
    SI8406DB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT
    96Кешбэк 14 баллов
    SI8466EDB-T2-E1MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
    96Кешбэк 14 баллов
    SI5442DU-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 25A PPAK
    104Кешбэк 15 баллов
    SI1424EDH-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
    108Кешбэк 16 баллов
    SI1077X-T1-GE3MOSFET P-CH 20V SC89-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SI8810EDB-T2-E1MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
    122Кешбэк 18 баллов
    SIS435DNT-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8
    124Кешбэк 18 баллов
    SI3464DV-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП