Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты
BU1006-E3/45
  • В избранное
  • В сравнение
BU1006-E3/45

BU1006-E3/45

BU1006-E3/45
;
BU1006-E3/45

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    BU1006-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BUВсе характеристики

Минимальная цена BU1006-E3/45 при покупке от 1 шт 768.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BU1006-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BU1006-E3/45

BU1006-E3/45 Vishay General Semiconductor BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BU

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 3.2А
    • Тип: мостовой диод
    • Количество элементов: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Стабильные электрические характеристики
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с аналогами
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления электропитанием
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Диодные мосты в блоках питания
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
Выбрано: Показать

Характеристики BU1006-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.2 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, BU
  • Исполнение корпуса
    isoCINK+™ BU
  • Base Product Number
    BU1006

Техническая документация

 BU1006-E3/45.pdf
pdf. 0 kb
  • 82 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    768 ₽
  • 10
    503 ₽
  • 100
    352 ₽
  • 500
    289 ₽
  • 800
    255 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    BU1006-E3/45
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BUВсе характеристики

Минимальная цена BU1006-E3/45 при покупке от 1 шт 768.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BU1006-E3/45 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BU1006-E3/45

BU1006-E3/45 Vishay General Semiconductor BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BU

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 3.2А
    • Тип: мостовой диод
    • Количество элементов: 1
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Стабильные электрические характеристики
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Высокая цена по сравнению с аналогами
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Системы управления электропитанием
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Диодные мосты в блоках питания
    • Автомобильные системы зарядки аккумуляторов
Выбрано: Показать

Характеристики BU1006-E3/45

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.2 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.05 V @ 5 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    4-SIP, BU
  • Исполнение корпуса
    isoCINK+™ BU
  • Base Product Number
    BU1006

Техническая документация

 BU1006-E3/45.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BU1006A-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3A BU
    768Кешбэк 115 баллов
    BU1208-M3/45BRIDGE RECT 1P 800V 12A BU
    768Кешбэк 115 баллов
    BU1006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 3.2A BU
    768Кешбэк 115 баллов
    GSIB2060-E3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 600V 3.5A GSIB-5S
    784Кешбэк 117 баллов
    GSIB2080-E3/45BRIDGE RECT 1P 800V 3.5A GSIB-5S
    786Кешбэк 117 баллов
    BU1508-E3/51BRIDGE RECT 1P 800V 3.4A BU
    796Кешбэк 119 баллов
    BU1510-M3/45BRIDGE RECT 1P 1KV 15A BU
    806Кешбэк 120 баллов
    KBU6K-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
    857Кешбэк 128 баллов
    KBU6D-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
    869Кешбэк 130 баллов
    PB3006-E3/45BRIDGE RECT 1P 600V 30A PB
    884Кешбэк 132 балла
    BU2510-E3/51BRIDGE RECT 1P 1KV 3.5A BU
    928Кешбэк 139 баллов
    PB3510-E3/45BRIDGE RECT 1P 1KV 35A PB
    933Кешбэк 139 баллов
    GSIB2580N-M3/45Диод: BRIDGE RECT 1P 800V 25A GSIB-5S
    961Кешбэк 144 балла
    PB3008-E3/45BRIDGE RECT 1P 800V 30A PB
    965Кешбэк 144 балла
    KBU6G-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
    979Кешбэк 146 баллов
    KBU6A-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBU
    981Кешбэк 147 баллов
    KBU4A-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBU
    983Кешбэк 147 баллов
    PB5008-E3/45BRIDGE RECT 1P 800V 45A PB
    985Кешбэк 147 баллов
    GBPC2501W-E4/51BRIDGE RECT 1P 100V 25A GBPC-W
    1 118Кешбэк 167 баллов
    GBPC1210-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 12A GBPC
    1 134Кешбэк 170 баллов
    GBPC2502W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 25A GBPC-W
    1 230Кешбэк 184 балла
    GBPC2508-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC
    1 238Кешбэк 185 баллов
    GBPC1501-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBPC
    1 238Кешбэк 185 баллов
    GBPC1204W-E4/51BRIDGE RECT 1P 400V 12A GBPC-W
    1 238Кешбэк 185 баллов
    GBPC1502W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 15A GBPC-W
    1 256Кешбэк 188 баллов
    GBPC3504W-E4/51BRIDGE RECT 1P 400V 35A GBPC-W
    1 256Кешбэк 188 баллов
    GBPC1202W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W
    1 256Кешбэк 188 баллов
    GBPC3502W-E4/51BRIDGE RECT 1P 200V 35A GBPC-W
    1 273Кешбэк 190 баллов
    GBPC3501-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 35A GBPC
    1 289Кешбэк 193 балла
    KBU6B-E4/51BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
    1 315Кешбэк 197 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП