Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
BUK9M5R2-30EX
  • В избранное
  • В сравнение
BUK9M5R2-30EX

BUK9M5R2-30EX

BUK9M5R2-30EX
;
BUK9M5R2-30EX

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BUK9M5R2-30EX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33Все характеристики

Минимальная цена BUK9M5R2-30EX при покупке от 1 шт 341.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK9M5R2-30EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BUK9M5R2-30EX

BUK9M5R2-30EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 70 А
    • Пакет: LFPAK33
    • Тип: MOSFET N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый ток утечки
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Малые размеры и легкость в установке
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой проводимости
    • Применяется в системах управления током и регулирования напряжения
    • Используется в инверторах, преобразователях и других устройствах, где требуется эффективное управление током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Питание электронных устройств
    • Реверсивные и постоянные источники питания
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики BUK9M5R2-30EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2467 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    79W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    BUK9M5

Техническая документация

 BUK9M5R2-30EX.pdf
pdf. 0 kb
  • 725 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    341 ₽
  • 10
    216 ₽
  • 50
    162 ₽
  • 1500
    81 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia USA Inc.
  • Артикул:
    BUK9M5R2-30EX
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33Все характеристики

Минимальная цена BUK9M5R2-30EX при покупке от 1 шт 341.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BUK9M5R2-30EX с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BUK9M5R2-30EX

BUK9M5R2-30EX Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 30 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 70 А
    • Пакет: LFPAK33
    • Тип: MOSFET N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении
    • Малый ток утечки
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Малые размеры и легкость в установке
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах, требующих высокой проводимости
    • Применяется в системах управления током и регулирования напряжения
    • Используется в инверторах, преобразователях и других устройствах, где требуется эффективное управление током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Питание электронных устройств
    • Реверсивные и постоянные источники питания
    • Инверторы и преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики BUK9M5R2-30EX

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    70A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.1V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2467 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    79W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    LFPAK33
  • Корпус
    SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
  • Base Product Number
    BUK9M5

Техническая документация

 BUK9M5R2-30EX.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4936CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    181Кешбэк 27 баллов
    SI7938DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    404Кешбэк 60 баллов
    SIA517DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    160Кешбэк 24 балла
    SQJ200EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
    290Кешбэк 43 балла
    SI1902CDL-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
    62Кешбэк 9 баллов
    SI4925DDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
    272Кешбэк 40 баллов
    SI4532CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
    191Кешбэк 28 баллов
    SI3552DV-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    222Кешбэк 33 балла
    SI1016CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
    109Кешбэк 16 баллов
    SI4948BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    297Кешбэк 44 балла
    SI9933CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
    179Кешбэк 26 баллов
    SI3585CDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    146Кешбэк 21 балл
    SQ9945BEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    296Кешбэк 44 балла
    SI9926CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
    305Кешбэк 45 баллов
    SI5908DC-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
    360Кешбэк 54 балла
    SI5517DU-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
    281Кешбэк 42 балла
    2N7002DWТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
    31.5Кешбэк 4 балла
    SI1902DL-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
    96Кешбэк 14 баллов
    SI3590DV-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
    239Кешбэк 35 баллов
    SI3932DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6-TSOP
    156Кешбэк 23 балла
    SI1034X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89-6
    132Кешбэк 19 баллов
    SI6968BEDQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
    252Кешбэк 37 баллов
    SI1023CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
    107Кешбэк 16 баллов
    SI3590DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
    239Кешбэк 35 баллов
    SI3900DV-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
    308Кешбэк 46 баллов
    SI3900DV-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
    276Кешбэк 41 балл
    SI4228DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
    254Кешбэк 38 баллов
    SI5515CDC-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    224Кешбэк 33 балла
    SI5513CDC-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
    163Кешбэк 24 балла
    SIA527DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    150Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП