BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
ON SEMICONDUCTOR
Артикул:
BVSS123LT1G
Описание:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена BVSS123LT1G при покупке от 1 шт 69.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BVSS123LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BVSS123LT1G

BVSS123LT1G ON SEMICONDUCTOR MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 — это норамальный полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с негативным зарядом.

Основные параметры:

Номинальное напряжение блокировки V_DS(on): 100В
Номинальный ток нагрузки I_D: 170mA
Форма корпуса: SOT23-3

Плюсы:

Высокая надежность и долговечность
Низкий коэффициент включения (R_DS(on)) при номинальных условиях
Малые размеры и легкость применения в компактных устройствах
Высокая скорость переключения

Минусы:

Требует дополнительного охлаждения при высоких токах или частотах работы
Не рекомендуется для использования в высокочастотных приложениях без дополнительной компонентной базы

Общее назначение:

Регулирование напряжения
Передача сигнала
Контроль тока

В каких устройствах применяется:

Электронные блоки питания
Системы управления мощностью
Автомобильные системы
Игровые приставки и электронные устройства

Техническая документация