Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
BYM11-50-E3/96
  • В избранное
  • В сравнение
BYM11-50-E3/96

BYM11-50-E3/96

BYM11-50-E3/96
;
BYM11-50-E3/96

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    BYM11-50-E3/96
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213ABВсе характеристики

Минимальная цена BYM11-50-E3/96 при покупке от 1 шт 108.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYM11-50-E3/96 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYM11-50-E3/96

BYM11-50-E3/96 Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 50В 1А DO213AB

  • Основные параметры:
    • Тип: Общего назначения
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 1А
    • Объемная единица: DO213AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Средняя скорость перехода
    • Высокие потери при высоком токе
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Прерывание малых токов
    • Изоляция цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Автомобильные системы
    • Малогабаритные электроприборы
    • Цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BYM11-50-E3/96

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    150 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Исполнение корпуса
    DO-213AB
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    BYM11

Техническая документация

 BYM11-50-E3/96.pdf
pdf. 0 kb
  • 5625 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    108 ₽
  • 100
    44 ₽
  • 1000
    28.5 ₽
  • 3000
    22.8 ₽
  • 24000
    18.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    BYM11-50-E3/96
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213ABВсе характеристики

Минимальная цена BYM11-50-E3/96 при покупке от 1 шт 108.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BYM11-50-E3/96 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BYM11-50-E3/96

BYM11-50-E3/96 Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 50В 1А DO213AB

  • Основные параметры:
    • Тип: Общего назначения
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 1А
    • Объемная единица: DO213AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Средняя скорость перехода
    • Высокие потери при высоком токе
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Прерывание малых токов
    • Изоляция цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные часы и другие цифровые часы
    • Автомобильные системы
    • Малогабаритные электроприборы
    • Цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BYM11-50-E3/96

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    150 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Исполнение корпуса
    DO-213AB
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    BYM11

Техническая документация

 BYM11-50-E3/96.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SS24S-M3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 2A 40V DO-214AC
    106Кешбэк 15 баллов
    SB3H100-E3/54DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD
    106Кешбэк 15 баллов
    GP10M-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    106Кешбэк 15 баллов
    SSA33L-E3/5ATДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
    106Кешбэк 15 баллов
    ES2DHE3_A/IDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
    106Кешбэк 15 баллов
    RMPG06G-E3/53DIODE GPP 1A 400V 150NS MPG06
    106Кешбэк 15 баллов
    SBYV27-50-E3/54DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC
    106Кешбэк 15 баллов
    U2D-E3/52TDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
    106Кешбэк 15 баллов
    RS2JHE3_A/HДиод: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
    106Кешбэк 15 баллов
    SB2H90-E3/54DIODE SCHOTTKY 90V 2A DO204AC
    106Кешбэк 15 баллов
    S3KHE3_A/HDIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB
    106Кешбэк 15 баллов
    EGL41D-E3/96DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
    106Кешбэк 15 баллов
    RGP10B-E3/54DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    108Кешбэк 16 баллов
    SS8PH9-M3/87AДиод: DIODE SCHOTTKY 90V 8A TO277A
    108Кешбэк 16 баллов
    B330LA-E3/5ATDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
    108Кешбэк 16 баллов
    BYM11-50-E3/96DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
    108Кешбэк 16 баллов
    1N4947GP-E3/54DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
    108Кешбэк 16 баллов
    GL34A-E3/98DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA
    108Кешбэк 16 баллов
    ESH1DHE3_A/HDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    108Кешбэк 16 баллов
    EGL41D-E3/97DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
    108Кешбэк 16 баллов
    S3JHE3_A/IDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
    108Кешбэк 16 баллов
    BY253P-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
    108Кешбэк 16 баллов
    SSA33LHE3_A/HDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO214AC
    108Кешбэк 16 баллов
    BYG22B-E3/TR3DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC
    108Кешбэк 16 баллов
    RS2B-E3/52TDIODE GEN PURP 100V 1.5A DO214AA
    108Кешбэк 16 баллов
    BY251P-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    108Кешбэк 16 баллов
    SS3P6L-M3/86AДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 3A TO277A
    108Кешбэк 16 баллов
    RGP10D-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    108Кешбэк 16 баллов
    EGL41G-E3/97DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
    108Кешбэк 16 баллов
    SB160-E3/53DIODE SCHOTTKY 1A 60V DO-41
    108Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП