Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZD27C68P-E3-18
  • В избранное
  • В сравнение
BZD27C68P-E3-18

BZD27C68P-E3-18

BZD27C68P-E3-18
;
BZD27C68P-E3-18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZD27C68P-E3-18
  • Описание:
    DIODE ZENER 68V 800MW DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена BZD27C68P-E3-18 при покупке от 1 шт 53.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZD27C68P-E3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZD27C68P-E3-18

BZD27C68P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 68В 800МВ DO219AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания (VZ) - 68В
    • Максимальная мощность при рабочем сопротивлении (PZ) - 800мВт
    • Форма пакета - DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер
    • Высокая скорость срабатывания
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от перенапряжений
    • Снижение уровня входного напряжения до безопасного значения
    • Установка стабильного выходного напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Инверторы
    • Аудио- и видеозаписывающие устройства
    • Периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BZD27C68P-E3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    68 V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    80 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 51 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Base Product Number
    BZD27C68

Техническая документация

 BZD27C68P-E3-18.pdf
pdf. 0 kb
  • 86672 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    53 ₽
  • 100
    15 ₽
  • 1000
    14 ₽
  • 20000
    12.8 ₽
  • 50000
    11.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZD27C68P-E3-18
  • Описание:
    DIODE ZENER 68V 800MW DO219ABВсе характеристики

Минимальная цена BZD27C68P-E3-18 при покупке от 1 шт 53.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZD27C68P-E3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZD27C68P-E3-18

BZD27C68P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE ZENER 68В 800МВ DO219AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания (VZ) - 68В
    • Максимальная мощность при рабочем сопротивлении (PZ) - 800мВт
    • Форма пакета - DO219AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер
    • Высокая скорость срабатывания
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами
    • Могут быть чувствительны к скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от перенапряжений
    • Снижение уровня входного напряжения до безопасного значения
    • Установка стабильного выходного напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Инверторы
    • Аудио- и видеозаписывающие устройства
    • Периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BZD27C68P-E3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    68 V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    80 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 51 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-219AB
  • Исполнение корпуса
    DO-219AB (SMF)
  • Base Product Number
    BZD27C68

Техническая документация

 BZD27C68P-E3-18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMSZ4705-E3-08Диод: DIODE ZENER 18V 500MW SOD123
    47.5Кешбэк 7 баллов
    TZMB7V5-GS18DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD80
    47.5Кешбэк 7 баллов
    SML4750A-E3/61Диод: DIODE ZENER 27V 1W DO214AC
    47.5Кешбэк 7 баллов
    BZX84B22-G3-08DIODE ZENER 22V 300MW SOT23-3
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B5V6-TR3DIODE ZENER 5.6V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5256C-E3-18DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
    49Кешбэк 7 баллов
    TZQ5222B-GS18Диод: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B30-TRDIODE ZENER 30V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B3V0-TRДиод: DIODE ZENER 3V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    BZT55B3V9-GS08DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
    49Кешбэк 7 баллов
    BZT52B36-E3-18DIODE ZENER 36V 410MW SOD123
    49Кешбэк 7 баллов
    ZM4751A-GS18Диод: DIODE ZENER 30V 1W DO213AB
    49Кешбэк 7 баллов
    SMAZ5926B-E3/61DIODE ZENER 11V 500MW DO214AC
    49Кешбэк 7 баллов
    BZD27C100P-E3-08Диод: DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB
    51Кешбэк 7 баллов
    ZM4742A-GS18Диод: DIODE ZENER 12V 1W DO213AB
    51Кешбэк 7 баллов
    BZG03C75-HM3-08DIODE ZENER 75V 1.25W DO214AC
    51Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5232C-HE3-08Диод: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123
    51Кешбэк 7 баллов
    BZD27C68P-E3-18DIODE ZENER 68V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C51P-E3-08Диод: DIODE ZENER 51V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C13P-E3-08Диод: DIODE ZENER 13V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C110P-E3-08Диод: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    SML4739A-E3/61Диод: DIODE ZENER 9.1V 1W DO214AC
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C120P-E3-08Диод: DIODE ZENER 120V 800MW DO219AB
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C3V6-TRDIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C7V5-TRДиод: DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZD27C160P-E3-08Диод: DIODE ZENER 160V 800MW DO219AB
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C8V2-TRДиод: DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZT52C6V8-G3-08DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123
    55Кешбэк 8 баллов
    MMSZ5238C-E3-08DIODE ZENER 8.7V 500MW SOD123
    55Кешбэк 8 баллов
    BZG05C12-M3-08Диод: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
    55Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП