Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52-B30J
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52-B30J

BZT52-B30J

BZT52-B30J
;
BZT52-B30J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    BZT52-B30J
  • Описание:
    DIODE ZENER 30V 590MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52-B30J при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52-B30J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52-B30J

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Описание: Диод-зендер маркировки BZT52-B30J производства Nexperia USA Inc.
    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение zener: 30В
      • Максимальная мощность: 590 мВт
      • Пакет: SOD123
    • Плюсы:
      • Высокая стабильность напряжения
      • Устойчивость к перегреву
      • Компактный размер
      • Надежность работы при различных условиях
    • Минусы:
      • Низкая максимальная мощность по сравнению с некоторыми аналогами
      • Требует дополнительных элементов для некоторых применений
    • Общее назначение: Используется для стабилизации напряжения в электронных устройствах, защиты от обратного напряжения и ограничения пиков напряжения.
    • Применение:
      • Системы питания
      • Автомобильные системы
      • Инверторы
      • Радиоэлектроника
      • Датчики
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52-B30J

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    30 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    590 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    40 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 21 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52-B30

Техническая документация

 BZT52-B30J.pdf
pdf. 0 kb
  • 9474 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 100
    15.7 ₽
  • 1000
    8.8 ₽
  • 10000
    7.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Nexperia
  • Артикул:
    BZT52-B30J
  • Описание:
    DIODE ZENER 30V 590MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52-B30J при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52-B30J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52-B30J

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Описание: Диод-зендер маркировки BZT52-B30J производства Nexperia USA Inc.
    • Основные параметры:
      • Номинальное напряжение zener: 30В
      • Максимальная мощность: 590 мВт
      • Пакет: SOD123
    • Плюсы:
      • Высокая стабильность напряжения
      • Устойчивость к перегреву
      • Компактный размер
      • Надежность работы при различных условиях
    • Минусы:
      • Низкая максимальная мощность по сравнению с некоторыми аналогами
      • Требует дополнительных элементов для некоторых применений
    • Общее назначение: Используется для стабилизации напряжения в электронных устройствах, защиты от обратного напряжения и ограничения пиков напряжения.
    • Применение:
      • Системы питания
      • Автомобильные системы
      • Инверторы
      • Радиоэлектроника
      • Датчики
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52-B30J

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    30 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    590 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    40 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 21 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    900 mV @ 10 mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TA)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52-B30

Техническая документация

 BZT52-B30J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZX884-C51,315Диод: DIODE ZENER 51V 250MW DFN1006-2
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52-B62JDIODE ZENER 62V 590MW SOD123
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52-B39JDIODE ZENER 39V 590MW SOD123
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52-B33JДиод: DIODE ZENER 33V 590MW SOD123
    41Кешбэк 6 баллов
    PZU6.2BA,115Диод: DIODE ZENER 6.2V 320MW SOD323
    41Кешбэк 6 баллов
    BZV55-B11,135Диод: DIODE ZENER 11V 500MW LLDS
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52-B30JDIODE ZENER 30V 590MW SOD123
    41Кешбэк 6 баллов
    BZV55-B9V1,115Диод: DIODE ZENER 9.1V 500MW LLDS
    41Кешбэк 6 баллов
    BZV55-B4V7,135Диод: DIODE ZENER 4.7V 500MW LLDS
    41Кешбэк 6 баллов
    BZV55-B27,115Диод: DIODE ZENER 27V 500MW LLDS
    41Кешбэк 6 баллов
    BZV55-B39,115Диод: DIODE ZENER 39V 500MW LLDS
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52H-B9V1,115Диод: DIODE ZENER 9.1V 375MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    PDZ7.5BFДиод: DIODE ZENER 7.6V 400MW SOD323
    41Кешбэк 6 баллов
    NZX7V5X,133Диод: DIODE ZENER 7.26V 500MW ALF2
    41Кешбэк 6 баллов
    PZU4.3BA,115Диод: DIODE ZENER 4.3V 320MW SOD323
    41Кешбэк 6 баллов
    BZV55-B68,115Диод: DIODE ZENER 68V 500MW LLDS
    41Кешбэк 6 баллов
    PZU18B2A,115Диод: DIODE ZENER 18V 320MW SOD323
    41Кешбэк 6 баллов
    NZX6V2C,133Диод: DIODE ZENER 6.15V 500MW ALF2
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52H-B24,115Диод: DIODE ZENER 24V 375MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52H-B12,115Диод: DIODE ZENER 12V 375MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    SZMM3Z3V9T1GXSZMM3Z3V9T1G/SOD323/SOD2
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52H-B3V6,115Диод: DIODE ZENER 3.6V 375MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    BZX8450-C2V4-QRBZX8450-C2V4-Q/SOT23/TO-236AB
    41Кешбэк 6 баллов
    BZX84-B5V1,215Диод: DIODE ZENER 5.1V 250MW TO236AB
    41Кешбэк 6 баллов
    SZMM3Z15VT1GXДиод: SZMM3Z15VT1G/SOD323/SOD2
    41Кешбэк 6 баллов
    BZX884-C3V6,315Диод: DIODE ZENER 3.6V 250MW DFN1006-2
    42Кешбэк 6 баллов
    MM5Z15VT5GFVOLTAGE REGULATOR DIODES
    43Кешбэк 6 баллов
    PZU5.1BL,315Диод: DIODE ZENER 5.1V 250MW DFN1006-2
    43Кешбэк 6 баллов
    MM5Z18VT5GFДиод: VOLTAGE REGULATOR DIODES
    43Кешбэк 6 баллов
    PZU36BA,115DIODE ZENER 36V 320MW SOD323
    43Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП