Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52B13 RHG
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52B13 RHG

BZT52B13 RHG

BZT52B13 RHG
;
BZT52B13 RHG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52B13 RHG
  • Описание:
    DIODE ZENER 13V 500MW SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52B13 RHG при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B13 RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B13 RHG

BZT52B13 RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 13V 500MW SOD123F — это зенорыдовое устройство с напряжением отсечки 13В и мощностью 500 мВт, произведённое компанией Taiwan Semiconductor Corporation.

  • Основные параметры:
    • Напряжение отсечки: 13В
    • Мощность: 500 мВт
    • Тип корпуса: SOD123F
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при изменении температуры
    • Быстрый ответ на изменения напряжения
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать ограничения по максимальному напряжению
    • Мощность может быть недостаточной для высокоточных систем
  • Общее назначение:
    • Удержание постоянного напряжения на выходе
    • Защита электронных схем от скачков напряжения
    • Сглаживание сетевого напряжения
  • Применение:
    • Компьютерная техника
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B13 RHG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    13 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    30 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    90 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

 BZT52B13 RHG.pdf
pdf. 0 kb
  • 1282 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    41 ₽
  • 100
    8.7 ₽
  • 1000
    7.8 ₽
  • 6000
    4.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    BZT52B13 RHG
  • Описание:
    DIODE ZENER 13V 500MW SOD123FВсе характеристики

Минимальная цена BZT52B13 RHG при покупке от 1 шт 41.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B13 RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B13 RHG

BZT52B13 RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 13V 500MW SOD123F — это зенорыдовое устройство с напряжением отсечки 13В и мощностью 500 мВт, произведённое компанией Taiwan Semiconductor Corporation.

  • Основные параметры:
    • Напряжение отсечки: 13В
    • Мощность: 500 мВт
    • Тип корпуса: SOD123F
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при изменении температуры
    • Быстрый ответ на изменения напряжения
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать ограничения по максимальному напряжению
    • Мощность может быть недостаточной для высокоточных систем
  • Общее назначение:
    • Удержание постоянного напряжения на выходе
    • Защита электронных схем от скачков напряжения
    • Сглаживание сетевого напряжения
  • Применение:
    • Компьютерная техника
    • Автомобильные системы
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B13 RHG

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    13 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    30 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    90 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

 BZT52B13 RHG.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZT52B3V0 RHGDIODE ZENER 3V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52C36 RHGДиод: DIODE ZENER 36V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52B36 RHGDIODE ZENER 36V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52C51 RHGDIODE ZENER 51V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52C3V0 RHGДиод: DIODE ZENER 3V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52B11 RHGDIODE ZENER 11V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52C3V9 RHGДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52C47 RHGDIODE ZENER 47V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52B16 RHGDIODE ZENER 16V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52C33 RHGДиод: DIODE ZENER 33V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52C4V3 RHGДиод: DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD123F
    37Кешбэк 5 баллов
    BZT52B15S RRGДиод: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
    39Кешбэк 5 баллов
    UDZS10B R9GDIODE ZENER 10V 200MW SOD323F
    41Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5239B RHGДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5257B RHGДиод: DIODE ZENER 33V 500MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5260B RHGDIODE ZENER 43V 500MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5256B RHGDIODE ZENER 30V 500MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5261B RHGDIODE ZENER 47V 500MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    MMSZ5258B RHGDIODE ZENER 36V 500MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52C3V0S RRGDIODE ZENER 3V 200MW SOD323F
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52B13 RHGDIODE ZENER 13V 500MW SOD123F
    41Кешбэк 6 баллов
    BZT52C47K RKGDIODE ZENER 47V 200MW SOD523F
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52C4V7-G RHGDIODE ZENER 4.7V 350MW SOD123
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52C43K RKGDIODE ZENER 43V 200MW SOD523F
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52C43-G RHGDIODE ZENER 43V 350MW SOD123
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52C3V6K RKGDIODE ZENER 3.6V 200MW SOD523F
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52C4V3K RKGDIODE ZENER 4.3V 200MW SOD523F
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52C5V1K RKGDIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523F
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52C5V6K RKGDIODE ZENER 5.6V 200MW SOD523F
    43Кешбэк 6 баллов
    BZT52C6V2-G RHGDIODE ZENER 6.2V 350MW SOD123
    43Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП