Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZT52B36-E3-18
  • В избранное
  • В сравнение
BZT52B36-E3-18

BZT52B36-E3-18

BZT52B36-E3-18
;
BZT52B36-E3-18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZT52B36-E3-18
  • Описание:
    DIODE ZENER 36V 410MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52B36-E3-18 при покупке от 1 шт 49.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B36-E3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B36-E3-18

BZT52B36-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Тип компонента: Зеноровский диод
  • Номинальное напряжение: 36В
  • Максимальная мощность: 410 мВт
  • Форм-фактор: SOD123
  • Основные параметры:
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Высокая стабильность напряжения
    • Быстрый ответ на изменение напряжения
  • Плюсы:
    • Высокая точность регулирования напряжения
    • Устойчивость к перегрузкам и импульсным нагрузкам
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокое энергопотребление при работе в режиме регулирования
    • Необходимость дополнительной защиты от перегрева
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита цепей от скачков напряжения
    • Согласование сопротивлений
  • Применение:
    • Радиоэлектронное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B36-E3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    36 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    40 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 27 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52B36

Техническая документация

 BZT52B36-E3-18.pdf
pdf. 0 kb
  • 4997 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    49 ₽
  • 100
    20.7 ₽
  • 1000
    9.3 ₽
  • 5000
    8.5 ₽
  • 20000
    6.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZT52B36-E3-18
  • Описание:
    DIODE ZENER 36V 410MW SOD123Все характеристики

Минимальная цена BZT52B36-E3-18 при покупке от 1 шт 49.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B36-E3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B36-E3-18

BZT52B36-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Тип компонента: Зеноровский диод
  • Номинальное напряжение: 36В
  • Максимальная мощность: 410 мВт
  • Форм-фактор: SOD123
  • Основные параметры:
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Высокая стабильность напряжения
    • Быстрый ответ на изменение напряжения
  • Плюсы:
    • Высокая точность регулирования напряжения
    • Устойчивость к перегрузкам и импульсным нагрузкам
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокое энергопотребление при работе в режиме регулирования
    • Необходимость дополнительной защиты от перегрева
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита цепей от скачков напряжения
    • Согласование сопротивлений
  • Применение:
    • Радиоэлектронное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B36-E3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    36 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    410 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    40 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 27 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Base Product Number
    BZT52B36

Техническая документация

 BZT52B36-E3-18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMSZ4705-E3-08Диод: DIODE ZENER 18V 500MW SOD123
    47.5Кешбэк 7 баллов
    TZMB7V5-GS18DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD80
    47.5Кешбэк 7 баллов
    SML4750A-E3/61Диод: DIODE ZENER 27V 1W DO214AC
    47.5Кешбэк 7 баллов
    BZX84B22-G3-08DIODE ZENER 22V 300MW SOT23-3
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B5V6-TR3DIODE ZENER 5.6V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5256C-E3-18DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
    49Кешбэк 7 баллов
    TZQ5222B-GS18Диод: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B30-TRDIODE ZENER 30V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    BZM55B3V0-TRДиод: DIODE ZENER 3V 500MW MICROMELF
    49Кешбэк 7 баллов
    BZT55B3V9-GS08DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD80
    49Кешбэк 7 баллов
    BZT52B36-E3-18DIODE ZENER 36V 410MW SOD123
    49Кешбэк 7 баллов
    ZM4751A-GS18Диод: DIODE ZENER 30V 1W DO213AB
    49Кешбэк 7 баллов
    SMAZ5926B-E3/61DIODE ZENER 11V 500MW DO214AC
    49Кешбэк 7 баллов
    BZD27C100P-E3-08Диод: DIODE ZENER 100V 800MW DO219AB
    51Кешбэк 7 баллов
    ZM4742A-GS18Диод: DIODE ZENER 12V 1W DO213AB
    51Кешбэк 7 баллов
    BZG03C75-HM3-08DIODE ZENER 75V 1.25W DO214AC
    51Кешбэк 7 баллов
    MMSZ5232C-HE3-08Диод: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123
    51Кешбэк 7 баллов
    BZD27C68P-E3-18DIODE ZENER 68V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C51P-E3-08Диод: DIODE ZENER 51V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C13P-E3-08Диод: DIODE ZENER 13V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C110P-E3-08Диод: DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB
    53Кешбэк 7 баллов
    SML4739A-E3/61Диод: DIODE ZENER 9.1V 1W DO214AC
    53Кешбэк 7 баллов
    BZD27C120P-E3-08Диод: DIODE ZENER 120V 800MW DO219AB
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C3V6-TRDIODE ZENER 3.6V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C7V5-TRДиод: DIODE ZENER 7.5V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZD27C160P-E3-08Диод: DIODE ZENER 160V 800MW DO219AB
    55Кешбэк 8 баллов
    BZX85C8V2-TRДиод: DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41
    55Кешбэк 8 баллов
    BZT52C6V8-G3-08DIODE ZENER 6.8V 410MW SOD123
    55Кешбэк 8 баллов
    MMSZ5238C-E3-08DIODE ZENER 8.7V 500MW SOD123
    55Кешбэк 8 баллов
    BZG05C12-M3-08Диод: DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
    55Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП