Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BZT52B3V0 RHG

BZT52B3V0 RHG

BZT52B3V0 RHG
;
BZT52B3V0 RHG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена BZT52B3V0 RHG при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B3V0 RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B3V0 RHG

BZT52B3V0 RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 3V 500MW SOD123F

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 3В
    • Мощность: 500мВт
    • Тип корпуса: SOD123F
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при изменении температуры
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес корпуса
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление при прямом подключении
    • Высокие требования к условиям эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Защита электронных устройств от перенапряжений
    • Контроль напряжения в различных схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
    • Автомобильная электроника
    • Игровые консоли и периферия
    • Медицинское оборудование
    • Системы контроля и управления
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B3V0 RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    100 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    9 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

BZT52B3V0 RHG.pdf
pdf. 0 kb
  • 5768 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35 ₽
  • 100
    13.3 ₽
  • 1000
    8.5 ₽
  • 6000
    6.2 ₽
  • 15000
    5.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена BZT52B3V0 RHG при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZT52B3V0 RHG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZT52B3V0 RHG

BZT52B3V0 RHG Taiwan Semiconductor Corporation DIODE ZENER 3V 500MW SOD123F

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 3В
    • Мощность: 500мВт
    • Тип корпуса: SOD123F
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения при изменении температуры
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес корпуса
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление при прямом подключении
    • Высокие требования к условиям эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Защита электронных устройств от перенапряжений
    • Контроль напряжения в различных схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
    • Автомобильная электроника
    • Игровые консоли и периферия
    • Медицинское оборудование
    • Системы контроля и управления
Выбрано: Показать

Характеристики BZT52B3V0 RHG

  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3 V
  • Допуск
    ±2%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    100 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    9 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 10 mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123F
  • Исполнение корпуса
    SOD-123F
  • Base Product Number
    BZT52

Техническая документация

BZT52B3V0 RHG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории