Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZX55C12-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
BZX55C12-TAP

BZX55C12-TAP

BZX55C12-TAP
;
BZX55C12-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZX55C12-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 12V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена BZX55C12-TAP при покупке от 1 шт 19.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX55C12-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX55C12-TAP

BZX55C12-TAP Vishay General Semiconductor - Диод Зендер 12В 500мВт DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение зенда: 12В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долгий срок службы
    • Малый размер корпуса (DO35)
  • Минусы:
    • Низкий ток зенда
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких мощностях
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от вольтажных скачков
    • Снижение напряжения до уровня зенда
  • Применение:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Игровые консоли
    • Компьютерное оборудование
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики BZX55C12-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    12 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 9.1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    BZX55C12

Техническая документация

 BZX55C12-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 13235 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    19 ₽
  • 100
    4.9 ₽
  • 20000
    5.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    BZX55C12-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 12V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена BZX55C12-TAP при покупке от 1 шт 19.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX55C12-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX55C12-TAP

BZX55C12-TAP Vishay General Semiconductor - Диод Зендер 12В 500мВт DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение зенда: 12В
    • Максимальная мощность: 500мВт
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Долгий срок службы
    • Малый размер корпуса (DO35)
  • Минусы:
    • Низкий ток зенда
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких мощностях
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения в электронных схемах
    • Защита от вольтажных скачков
    • Снижение напряжения до уровня зенда
  • Применение:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Игровые консоли
    • Компьютерное оборудование
    • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики BZX55C12-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    12 V
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    20 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 9.1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    BZX55C12

Техническая документация

 BZX55C12-TAP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1SMA4728_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    61Кешбэк 9 баллов
    1SMA4744_R1_00001Диод: SMA, ZENER
    66Кешбэк 9 баллов
    1SMA4730_R1_00001Диод: SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    66Кешбэк 9 баллов
    1SMA4734_R1_00001SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
    80Кешбэк 12 баллов
    1SMB2EZ15_R1_00001GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICO
    80Кешбэк 12 баллов
    JANTX1N4622-1DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
    2 159Кешбэк 323 балла
    JANTX1N4121-1DIODE ZENER 33V 500MW DO35
    2 516Кешбэк 377 баллов
    1N758ATRDIODE ZENER 10V 500MW DO35
    7.2Кешбэк 1 балл
    FLZ10VADIODE ZENER 9.4V 500MW SOD80
    8.5Кешбэк 1 балл
    1N962BTRDIODE ZENER 11V 500MW DO35
    12Кешбэк 1 балл
    1N964ADIODE ZENER 13V 500MW DO7
    29.6Кешбэк 4 балла
    JANTX1N4100-1DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
    1 710Кешбэк 256 баллов
    MMBZ5250BLT3DIODE ZENER 20V 225MW SOT23-3
    54Кешбэк 8 баллов
    BZG03C150DIODE ZENER 150V 1.5W SMA
    57Кешбэк 8 баллов
    TZMC43-GS18DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
    15Кешбэк 2 балла
    BZX84B15-E3-08Диод: DIODE ZENER 15V 300MW SOT23-3
    15.8Кешбэк 2 балла
    TZMC33-M-18DIODE ZENER 33V 500MW SOD80
    16Кешбэк 2 балла
    TLZ20C-GS08DIODE ZENER 20V 500MW SOD80
    16Кешбэк 2 балла
    MMSZ5250B-7DIODE ZENER 20V 500MW SOD123
    16Кешбэк 2 балла
    TLZ15A-GS18DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
    16.6Кешбэк 2 балла
    TLZ11C-GS18DIODE ZENER 11V 500MW SOD80
    16.6Кешбэк 2 балла
    TLZ15B-GS18DIODE ZENER 15V 500MW SOD80
    16.6Кешбэк 2 балла
    TLZ12B-GS18DIODE ZENER 12V 500MW SOD80
    16.6Кешбэк 2 балла
    TZX20C-TAPDIODE ZENER 20V 500MW DO35
    17Кешбэк 2 балла
    MMSZ4713-E3-18DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
    18Кешбэк 2 балла
    BZM55C68-TR3DIODE ZENER 68V 500MW MICROMELF
    18Кешбэк 2 балла
    MMSZ4683-HE3-08DIODE ZENER 3V 500MW SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    BZX384C62-G3-18DIODE ZENER 62V 200MW SOD323
    19.2Кешбэк 2 балла
    BZX84B24-G3-18DIODE ZENER 23.5V 300MW SOT23-3
    19.4Кешбэк 2 балла
    TZS4708-GS08DIODE ZENER 22V 500MW SOD80
    19.7Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП