Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZX79C12-T50A
  • В избранное
  • В сравнение
BZX79C12-T50A

BZX79C12-T50A

BZX79C12-T50A
;
BZX79C12-T50A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BZX79C12-T50A
  • Описание:
    DIODE ZENER 12V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена BZX79C12-T50A при покупке от 1 шт 20.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX79C12-T50A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX79C12-T50A

BZX79C12-T50A onsemi DIODE ZENER 12V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 12 В
    • Мощность: 500 мВт
    • Тип корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к обмотке для защиты от обратного напряжения
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Обнаружение обратного напряжения
    • Защита электронных схем от ударных напряжений
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Сотовые телефоны и другие портативные устройства
    • Игровые приставки и компьютеры
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BZX79C12-T50A

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    12 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    25 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Base Product Number
    BZX79C12

Техническая документация

 BZX79C12-T50A.pdf
pdf. 0 kb
  • 18430 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    20.8 ₽
  • 100
    6 ₽
  • 1000
    5.3 ₽
  • 10000
    3.2 ₽
  • 25000
    2.96 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    BZX79C12-T50A
  • Описание:
    DIODE ZENER 12V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена BZX79C12-T50A при покупке от 1 шт 20.80 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX79C12-T50A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX79C12-T50A

BZX79C12-T50A onsemi DIODE ZENER 12V 500MW DO35

  • Основные параметры:
    • Напряжение зенера: 12 В
    • Мощность: 500 мВт
    • Тип корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность напряжения
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокие требования к обмотке для защиты от обратного напряжения
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Стабилизация напряжения
    • Обнаружение обратного напряжения
    • Защита электронных схем от ударных напряжений
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Сотовые телефоны и другие портативные устройства
    • Игровые приставки и компьютеры
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BZX79C12-T50A

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    12 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    25 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 8 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.5 V @ 100 mA
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35
  • Base Product Number
    BZX79C12

Техническая документация

 BZX79C12-T50A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SZBZX84C15LT3GДиод: DIODE ZENER 15V 250MW SOT23-3
    19Кешбэк 2 балла
    1N5230BTRDIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
    19.8Кешбэк 2 балла
    SZMM3Z18VT1GДиод: DIODE ZENER 18V 300MW SOD323
    20Кешбэк 3 балла
    SZMMSZ4702T1GDIODE ZENER 15V 500MW SOD123
    20.7Кешбэк 3 балла
    MMBZ5258BLT1GДиод: DIODE ZENER 36V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    MMSZ4688T3GДиод: DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZMMBZ5245BLT1GДиод: DIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    MMSZ4685T1GДиод: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZX84C5V1LT1GДиод: DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZMMSZ4678T1GДиод: DIODE ZENER 1.8V 500MW SOD123
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZMMSZ4703T1GDIODE ZENER 16V 500MW SOD123
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZMMSZ5V1T1GDIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZMMBZ5235BLT1GДиод: DIODE ZENER 6.8V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZBZX84B4V7LT1GДиод: DIODE ZENER 4.7V 250MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    MMBZ5253BLT1GДиод: DIODE ZENER 25V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    MMBZ5254BLT1GДиод: DIODE ZENER 27V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    MMSZ5231BT3GДиод: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZX84C33LT1GДиод: DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZX84C4V3LT3GДиод: DIODE ZENER 4.3V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZBZX84C13LT3GDIODE ZENER 13V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZBZX84C33LT3GДиод: DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    NZ9F6V2T5GДиод: DIODE ZENER 6.2V 250MW SOD923
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZBZX84C9V1LT3GДиод: DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZX79C18-T50ADIODE ZENER 18V 500MW DO35
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZX79C12-T50ADIODE ZENER 12V 500MW DO35
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZBZX84C22LT3GДиод: DIODE ZENER 22V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZMMSZ4690ET1GДиод: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123
    20.8Кешбэк 3 балла
    MM5Z2V7T1GДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD523
    20.8Кешбэк 3 балла
    BZX84C5V1LT3GДиод: DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла
    SZMMBZ5228BLT1GДиод: DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3
    20.8Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП