Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
BZX85C3V9-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
BZX85C3V9-TAP

BZX85C3V9-TAP

BZX85C3V9-TAP
;
BZX85C3V9-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    BZX85C3V9-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41Все характеристики

Минимальная цена BZX85C3V9-TAP при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX85C3V9-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX85C3V9-TAP

BZX85C3V9-TAP Vishay General Semiconductor - Диод Зендер:

  • Напряжение отсечки (VZ): 3.9 В
  • Мощность: 1.3 Вт
  • Форм-фактор: DO41

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон температур: от -55°C до +150°C
  • Ток отсечки: до 650 мА
  • Сопротивление: при 25°C - 70 Ом

Плюсы:

  • Высокая точность напряжения отсечки
  • Устойчивость к перегреву
  • Короткий время реакции
  • Надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокие требования к установке и подключению
  • Не рекомендован для высокочастотных применений

Общее назначение:

  • Отсечение избыточного напряжения
  • Удержание стабильного напряжения
  • Защита электронных схем от ударных напряжений

В каких устройствах применяется:

  • Телевизоры и мониторы
  • Автомобильные системы
  • Переносные устройства
  • Мобильные телефоны
  • Электронные часы и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BZX85C3V9-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.9 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    1.3 W
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Base Product Number
    BZX85C3V9

Техническая документация

 BZX85C3V9-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 7880 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    36 ₽
  • 50
    15.6 ₽
  • 250
    10.7 ₽
  • 1000
    9.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    BZX85C3V9-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41Все характеристики

Минимальная цена BZX85C3V9-TAP при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BZX85C3V9-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BZX85C3V9-TAP

BZX85C3V9-TAP Vishay General Semiconductor - Диод Зендер:

  • Напряжение отсечки (VZ): 3.9 В
  • Мощность: 1.3 Вт
  • Форм-фактор: DO41

Основные параметры:

  • Рабочий диапазон температур: от -55°C до +150°C
  • Ток отсечки: до 650 мА
  • Сопротивление: при 25°C - 70 Ом

Плюсы:

  • Высокая точность напряжения отсечки
  • Устойчивость к перегреву
  • Короткий время реакции
  • Надежность и долговечность

Минусы:

  • Высокие требования к установке и подключению
  • Не рекомендован для высокочастотных применений

Общее назначение:

  • Отсечение избыточного напряжения
  • Удержание стабильного напряжения
  • Защита электронных схем от ударных напряжений

В каких устройствах применяется:

  • Телевизоры и мониторы
  • Автомобильные системы
  • Переносные устройства
  • Мобильные телефоны
  • Электронные часы и другие цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики BZX85C3V9-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3.9 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    1.3 W
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    15 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 1 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Base Product Number
    BZX85C3V9

Техническая документация

 BZX85C3V9-TAP.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BZM55B4V3-TRDIODE ZENER 4.3V 500MW MICROMELF
    33Кешбэк 4 балла
    BZX584C12-G3-08Диод: DIODE ZENER IND 300MW SOD523
    33.3Кешбэк 4 балла
    PLZ8V2B-HG3_A/HDIODE ZENER 7.99V 960MW DO219AC
    33.4Кешбэк 5 баллов
    PLZ2V4B-HG3_A/HDIODE ZENER 2.53V 960MW DO219AC
    33.4Кешбэк 5 баллов
    PLZ6V2C-HG3_A/HDIODE ZENER 6.28V 960MW DO219AC
    33.4Кешбэк 5 баллов
    PLZ2V7A-HG3_A/HDIODE ZENER 2.65V 960MW DO219AC
    33.4Кешбэк 5 баллов
    PLZ7V5C-HG3_A/HDIODE ZENER 7.48V 960MW DO219AC
    33.4Кешбэк 5 баллов
    BZM55B5V1-TRДиод: DIODE ZENER 5.1V 500MW MICROMELF
    34Кешбэк 5 баллов
    TZMC43-GS08Диод: DIODE ZENER 43V 500MW SOD80
    34Кешбэк 5 баллов
    BZM55B5V6-TRДиод: DIODE ZENER 5.6V 500MW MICROMELF
    34.4Кешбэк 5 баллов
    PLZ24B-HG3_A/HDIODE ZENER 23.19V 500MW DO219AC
    34.6Кешбэк 5 баллов
    BZD27B3V9P-M3-08DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
    35Кешбэк 5 баллов
    BZD27C6V2P-E3-08Диод: DIODE ZENER 6.2V 800MW DO219AB
    35Кешбэк 5 баллов
    BZX884B10L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B39L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B30L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B22L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B27L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B13L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B8V2L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B12L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B43L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B18L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    ZPY5V6-TAPДиод: DIODE ZENER 5.6V 1.3W DO41
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX85C3V9-TAPДиод: DIODE ZENER 3.9V 1.3W DO41
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B36L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B9V1L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX584C27-G3-08Диод: DIODE ZENER IND 300MW SOD523
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B24L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов
    BZX884B11L-G3-08ZENER DIODE DFN1006-2A
    36Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП