Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
C3M0280090D
  • В избранное
  • В сравнение
C3M0280090D

C3M0280090D

C3M0280090D
;
C3M0280090D

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    WOLFSPEED
  • Артикул:
    C3M0280090D
  • Описание:
    SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена C3M0280090D при покупке от 1 шт 1988.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0280090D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание C3M0280090D

C3M0280090D Wolfspeed SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3 — это полупроводниковый транзистор, предназначенный для применения в высоковольтных и высокопроизводительных электрических системах. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки: 900В
  • Номинальный ток: 11.5А
  • Тип: N-канальный SICFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor)
  • Пакет: TO247-3

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
  • Малое энергетическое сопротивление
  • Устойчивость к тепловым нагрузкам
  • Долгий срок службы из-за отсутствия необходимости в охлаждении

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
  • Требуются специфические знания для работы и обслуживания
  • Сложнее в интеграции в некоторые существующие системы

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуются высокие напряжения и токи, такие как:

  • Электромобили и гибридные автомобили
  • Промышленные приводы
  • Инверторы для управления мощностью
  • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики C3M0280090D

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 7.5A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.5 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +18V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    54W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    C3M0280090

Техническая документация

 C3M0280090D.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 988 ₽
  • 5
    1 949 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    WOLFSPEED
  • Артикул:
    C3M0280090D
  • Описание:
    SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена C3M0280090D при покупке от 1 шт 1988.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0280090D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание C3M0280090D

C3M0280090D Wolfspeed SICFET N-CH 900V 11.5A TO247-3 — это полупроводниковый транзистор, предназначенный для применения в высоковольтных и высокопроизводительных электрических системах. Основные параметры:

  • Номинальное напряжение блокировки: 900В
  • Номинальный ток: 11.5А
  • Тип: N-канальный SICFET (Silicon Carbide Field-Effect Transistor)
  • Пакет: TO247-3

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями и токами
  • Малое энергетическое сопротивление
  • Устойчивость к тепловым нагрузкам
  • Долгий срок службы из-за отсутствия необходимости в охлаждении

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
  • Требуются специфические знания для работы и обслуживания
  • Сложнее в интеграции в некоторые существующие системы

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуются высокие напряжения и токи, такие как:

  • Электромобили и гибридные автомобили
  • Промышленные приводы
  • Инверторы для управления мощностью
  • Системы хранения энергии
Выбрано: Показать

Характеристики C3M0280090D

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    900 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360mOhm @ 7.5A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.5V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.5 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +18V, -8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 600 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    54W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    C3M0280090

Техническая документация

 C3M0280090D.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BUK7K13-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
    447Кешбэк 67 баллов
    PSMN2R0-30YL,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    449Кешбэк 67 баллов
    BUK768R1-40E,118MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    455Кешбэк 68 баллов
    PSMN1R7-30YL,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    455Кешбэк 68 баллов
    PHP18NQ11T,127MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB
    461Кешбэк 69 баллов
    PSMN2R6-40YS,115MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
    463Кешбэк 69 баллов
    BUK7Y4R8-60EXMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
    469Кешбэк 70 баллов
    PSMN1R0-30YLC,115MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
    471Кешбэк 70 баллов
    BUK7Y12-100EXMOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56
    471Кешбэк 70 баллов
    PSMN4R0-60YS,115MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK56
    475Кешбэк 71 балл
    PSMN8R7-80BS,118MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
    475Кешбэк 71 балл
    PSMN1R0-25YLDXMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
    479Кешбэк 71 балл
    BUK9K13-60EXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 40A LFPAK56D
    487Кешбэк 73 балла
    PSMN0R9-25YLC,115Транзистор: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
    493Кешбэк 73 балла
    BUK9Y8R5-80EXMOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56
    495Кешбэк 74 балла
    BUK969R0-60E,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    511Кешбэк 76 баллов
    PHB47NQ10T,118MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
    513Кешбэк 76 баллов
    BUK768R3-60E,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    527Кешбэк 79 баллов
    PSMN4R6-60BS,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    531Кешбэк 79 баллов
    BUK9217-75B,118MOSFET N-CH 75V 64A DPAK
    548Кешбэк 82 балла
    PSMN015-60PS,127MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
    569Кешбэк 85 баллов
    PSMN4R5-40PS,127MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    581Кешбэк 87 баллов
    PHP18NQ10T,127MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
    581Кешбэк 87 баллов
    PHP29N08T,127MOSFET N-CH 75V 27A TO220AB
    583Кешбэк 87 баллов
    BUK9240-100A,118MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
    584Кешбэк 87 баллов
    BUK766R0-60E,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    585Кешбэк 87 баллов
    BUK966R5-60E,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    587Кешбэк 88 баллов
    PSMN9R5-100BS,118MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK
    587Кешбэк 88 баллов
    PSMN3R4-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    593Кешбэк 88 баллов
    BUK9608-55B,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    595Кешбэк 89 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП