Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
CDBJFSC5650-G
  • В избранное
  • В сравнение
CDBJFSC5650-G

CDBJFSC5650-G

CDBJFSC5650-G
;
CDBJFSC5650-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    CDBJFSC5650-G
  • Описание:
    DIODE, SIC STKY 5A 650V TO-220FВсе характеристики

Минимальная цена CDBJFSC5650-G при покупке от 1 шт 752.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CDBJFSC5650-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CDBJFSC5650-G

CDBJFSC5650-G Comchip Technology DIODE, SIC STKY 5A 650V TO-220F — это силовой диод на основе SiC (силк кремниевого сплава), который предназначен для использования в высоковольтных и высокочастотных приложениях.

  • Основные параметры:
    • Максимальный ток прямого тока (ID): 5 А
    • Максимальное напряжение (VDRM): 650 В
    • Форм-фактор: TO-220F
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при высоких температурах
    • Малый тепловой сопротивление
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Низкая транзитная задержка
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуют специального охлаждения для эффективной работы

Общее назначение: Силовые диоды на основе SiC используются в различных приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность. Это включает:

  • Промышленные преобразователи питания
  • Системы управления двигателем
  • Автомобильные системы
  • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики CDBJFSC5650-G

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 5 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    430pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220F
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    CDBJFSC5650

Техническая документация

 CDBJFSC5650-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 316 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    752 ₽
  • 50
    383 ₽
  • 100
    347 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    CDBJFSC5650-G
  • Описание:
    DIODE, SIC STKY 5A 650V TO-220FВсе характеристики

Минимальная цена CDBJFSC5650-G при покупке от 1 шт 752.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CDBJFSC5650-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CDBJFSC5650-G

CDBJFSC5650-G Comchip Technology DIODE, SIC STKY 5A 650V TO-220F — это силовой диод на основе SiC (силк кремниевого сплава), который предназначен для использования в высоковольтных и высокочастотных приложениях.

  • Основные параметры:
    • Максимальный ток прямого тока (ID): 5 А
    • Максимальное напряжение (VDRM): 650 В
    • Форм-фактор: TO-220F
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при высоких температурах
    • Малый тепловой сопротивление
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Низкая транзитная задержка
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуют специального охлаждения для эффективной работы

Общее назначение: Силовые диоды на основе SiC используются в различных приложениях, где требуется высокая эффективность и надежность. Это включает:

  • Промышленные преобразователи питания
  • Системы управления двигателем
  • Автомобильные системы
  • Энергосберегающие устройства
Выбрано: Показать

Характеристики CDBJFSC5650-G

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    650 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 5 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 µA @ 650 V
  • Емкость @ Vr, F
    430pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-2 Full Pack
  • Исполнение корпуса
    TO-220F
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    CDBJFSC5650

Техническая документация

 CDBJFSC5650-G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RS1M-HFRECTIFIER FAST RECOVERY 1000V 1A
    44.5Кешбэк 6 баллов
    SB560ET-GДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO201AD
    135Кешбэк 20 баллов
    CDBMS160-HFDIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD-123F
    61Кешбэк 9 баллов
    CDBJFSC5650-GDIODE, SIC STKY 5A 650V TO-220F
    752Кешбэк 112 баллов
    ACDBA1100LR-HFDIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
    458Кешбэк 68 баллов
    CDBJSC3650-GDIODE, SIC STKY 3A 650V TO-220-2
    465Кешбэк 69 баллов
    S8KC-HFRECTIFIER GEN PURP 800V 8A SMC
    96Кешбэк 14 баллов
    S1G-HFRECTIFIER GEN PURP 400V 1A SMA
    20.4Кешбэк 3 балла
    ACDBA260-HFDIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
    67Кешбэк 10 баллов
    ACDBQC70-HFAUTOMOTIVE DIODE SCHOTTKY 70V 70
    65Кешбэк 9 баллов
    CGRTS4002-HFDIODE GEN PURP 100V 1A TS/SOD-12
    70Кешбэк 10 баллов
    CDBDSC3650-GDIODE SIC 3A 650V TO-252/DPAK
    465Кешбэк 69 баллов
    S2A-HFRECTIFIER GEN PURP 50V 2A SMA
    78Кешбэк 11 баллов
    CDBB240LR-HFDIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA
    137Кешбэк 20 баллов
    CDBJFSC101200-GDIODE SIC 10A 1200V TO-220F
    2 716Кешбэк 407 баллов
    CUHS15F40,H3FSMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    67Кешбэк 10 баллов
    1SS322(TE85L,F)SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    39Кешбэк 5 баллов
    CUS05F40,H3FDIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC
    35Кешбэк 5 баллов
    BAS316,H3FДиод: DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
    22.2Кешбэк 3 балла
    TBAT54,LMDIODE SCHOTTKY 30V 140MA SOT23
    28Кешбэк 4 балла
    CMF04(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 800V 500MA MFLAT
    126Кешбэк 18 баллов
    CUHS15S40,H3FSBD SINGLE 40V, 1.5A, IN 2 PIN U
    69Кешбэк 10 баллов
    CMS30I30A(TE12L,QMDIODE SCHOTTKY 30V 3A M-FLAT
    109Кешбэк 16 баллов
    CUHS15F30,H3FSBD SINGLE 30V, 1.5A, IN 2 PIN U
    70Кешбэк 10 баллов
    JDH2S02SL,L3FX34 HIGH FREQUENCY SCHOTTKY BARR
    78Кешбэк 11 баллов
    CRS30I40A(TE85L,QMDIODE SCHOTTKY 40V 3A S-FLAT
    109Кешбэк 16 баллов
    CRS15I30B(TE85L,QMДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A S-FLAT
    84Кешбэк 12 баллов
    CRS15(TE85L,Q,M)DIODE SCHOTTKY 30V 3A S-FLAT
    100Кешбэк 15 баллов
    CRS13(TE85L,Q,M)Диод: DIODE SCHOTTKY 60V 1A S-FLAT
    123Кешбэк 18 баллов
    CRS20I40A(TE85L,QMДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A S-FLAT
    102Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП