Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CG2H30070F
CG2H30070F

CG2H30070F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CG2H30070F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28VВсе характеристики

Минимальная цена CG2H30070F при покупке от 1 шт 95395.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CG2H30070F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CG2H30070F

  • Тип транзистора
    GaN HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 4GHz
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    1 A
  • Мощность передачи
    75W
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Корпус
    440224
  • Исполнение корпуса
    440224
  • Base Product Number
    CG2H30070

Техническая документация

 CG2H30070F.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    95 395 ₽
  • 10
    83 253 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CG2H30070F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28VВсе характеристики

Минимальная цена CG2H30070F при покупке от 1 шт 95395.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CG2H30070F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CG2H30070F

  • Тип транзистора
    GaN HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 4GHz
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    1 A
  • Мощность передачи
    75W
  • Нормальное напряжение
    120 V
  • Корпус
    440224
  • Исполнение корпуса
    440224
  • Base Product Number
    CG2H30070

Техническая документация

 CG2H30070F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V SC70-4
    3 350Кешбэк 502 балла
    BLP9H10S-500AWTYТранзистор: BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP
    10 487Кешбэк 1 573 балла
    2SK3491-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    57Кешбэк 8 баллов
    ON5233,118Транзистор: ON5233 - RF MOSFET
    113Кешбэк 16 баллов
    TAV-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V FG873
    2 790Кешбэк 418 баллов
    2SK3820-DL-1EXNCH 4V DRIVE SERIES
    248Кешбэк 37 баллов
    GTVA311801FA-V1-R250Транзистор: GAN HEMT 50V 180W 2.7-3.1GHZ
    69 521Кешбэк 10 428 баллов
    NTE221Транзистор: MOSFET N-CH VHF AMP/MIX
    2 217Кешбэк 332 балла
    BLA9H0912L-700UТранзистор: BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
    79 168Кешбэк 11 875 баллов
    VRF151MPТранзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    26 415Кешбэк 3 962 балла
    TPIC46L02DBLEМикросхема: LOW SIDE PRE FET DRIVER
    196Кешбэк 29 баллов
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    150Кешбэк 22 балла
    FSS262-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK3230-T1-ASMALL SIGNAL FET
    59Кешбэк 8 баллов
    PTVA030121EA-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-36265-2
    8 855Кешбэк 1 328 баллов
    C4H22W500AZТранзистор: C4H22W500AZ/SOT1273/TRAYD
    26 006Кешбэк 3 900 баллов
    CG2H80015D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    25 919Кешбэк 3 887 баллов
    BLS9G3135L-115UТранзистор: BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
    27 506Кешбэк 4 125 баллов
    UPA570T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    47 469Кешбэк 7 120 баллов
    BLP9LA25SZТранзистор: BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
    3 353Кешбэк 502 балла
    TA9110KPA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V
    4 619Кешбэк 692 балла
    MCH6634-TL-EТранзистор: PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    18.5Кешбэк 2 балла
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    390Кешбэк 58 баллов
    CGH27015FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    24 011Кешбэк 3 601 балл
    BLA9G1011L-300GUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 32V SOT502F
    56 290Кешбэк 8 443 балла
    BLC10G27LS-320AVTZТранзистор: BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD
    15 470Кешбэк 2 320 баллов
    CPH3408-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    89Кешбэк 13 баллов
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    65Кешбэк 9 баллов
    BLF898SUТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B
    62 420Кешбэк 9 363 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП