Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
CGH40010P
  • В избранное
  • В сравнение
CGH40010P

CGH40010P

CGH40010P
;
CGH40010P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CGH40010P
  • Описание:
    RF MOSFET HEMT 28V 440196Все характеристики

Минимальная цена CGH40010P при покупке от 1 шт 22704.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH40010P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CGH40010P

CGH40010P Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440196

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET HEMT (High Electron Mobility Transistor)
    • Номинальное напряжение: 28В
    • Идентификационный номер: 440196
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокая надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Малый размер и низкая тепловая индуктивность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимо соблюдать особые требования к охлаждению из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Работа в радиочастотном диапазоне
    • Усиление сигналов в радиосвязи и телевидении
    • Применяются в системах спутниковой связи
    • Используются в мобильных устройствах для передачи данных
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковая связь
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Беспроводные сети и устройства
    • Автомобильные системы связи
    • Профессиональное оборудование для радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики CGH40010P

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 6GHz
  • Усиление
    14.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    12.5W
  • Нормальное напряжение
    28 V
  • Корпус
    440196
  • Исполнение корпуса
    440196
  • Base Product Number
    CGH40010

Техническая документация

 CGH40010P.pdf
pdf. 0 kb
  • 90 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    22 704 ₽
  • 10
    19 071 ₽
  • 80
    16 728 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CGH40010P
  • Описание:
    RF MOSFET HEMT 28V 440196Все характеристики

Минимальная цена CGH40010P при покупке от 1 шт 22704.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH40010P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CGH40010P

CGH40010P Wolfspeed RF MOSFET HEMT 28V 440196

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET HEMT (High Electron Mobility Transistor)
    • Номинальное напряжение: 28В
    • Идентификационный номер: 440196
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Высокий коэффициент усиления
    • Высокая надежность при работе в радиочастотном диапазоне
    • Малый размер и низкая тепловая индуктивность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
    • Необходимо соблюдать особые требования к охлаждению из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Работа в радиочастотном диапазоне
    • Усиление сигналов в радиосвязи и телевидении
    • Применяются в системах спутниковой связи
    • Используются в мобильных устройствах для передачи данных
  • В каких устройствах применяется:
    • Спутниковая связь
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Беспроводные сети и устройства
    • Автомобильные системы связи
    • Профессиональное оборудование для радиосвязи
Выбрано: Показать

Характеристики CGH40010P

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 6GHz
  • Усиление
    14.5dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Тестовый ток
    200 mA
  • Мощность передачи
    12.5W
  • Нормальное напряжение
    28 V
  • Корпус
    440196
  • Исполнение корпуса
    440196
  • Base Product Number
    CGH40010

Техническая документация

 CGH40010P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G24LS-150GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
    14 453Кешбэк 2 167 баллов
    BLC8G20LS-400AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
    15 036Кешбэк 2 255 баллов
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    17 070Кешбэк 2 560 баллов
    BLC8G27LS-60AVYТранзистор: TRANS RF 60W LDMOS DFM6F
    7 803Кешбэк 1 170 баллов
    BLF8G27LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    14 453Кешбэк 2 167 баллов
    BLF7G27L-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
    14 225Кешбэк 2 133 балла
    BLF8G24LS-150GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
    14 453Кешбэк 2 167 баллов
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    15 068Кешбэк 2 260 баллов
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    17 580Кешбэк 2 637 баллов
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    72 752Кешбэк 10 912 баллов
    BLF7G20L-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A
    16 007Кешбэк 2 401 балл
    BLF8G24LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    12 042Кешбэк 1 806 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    22 704Кешбэк 3 405 баллов
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 352Кешбэк 1 252 балла
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    15 068Кешбэк 2 260 баллов
    BLF8G27LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
    12 042Кешбэк 1 806 баллов
    BLF6G15L-40BRN,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A
    12 263Кешбэк 1 839 баллов
    BLF884PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
    34 180Кешбэк 5 127 баллов
    BLF884P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121A
    34 180Кешбэк 5 127 баллов
    2N4340JFET N-CH 50V TO18
    2 755Кешбэк 413 баллов
    BLF8G20LS-400PVUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    BLC2425M8LS300PZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501
    20 880Кешбэк 3 132 балла
    BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    19 681Кешбэк 2 952 балла
    BLF7G10L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
    23 382Кешбэк 3 507 баллов
    VRF151Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    12 993Кешбэк 1 948 баллов
    BLF882SUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B
    21 913Кешбэк 3 286 баллов
    BLF6G22LS-130,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    19 331Кешбэк 2 899 баллов
    BLF182XRUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    31 417Кешбэк 4 712 баллов
    BLF7G20LS-200,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    17 020Кешбэк 2 553 балла
    STAC2932FТранзистор: TRANS RF PWR N-CH STAC244F
    16 024Кешбэк 2 403 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП