Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
CGH40035F
CGH40035F

CGH40035F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CGH40035F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193Все характеристики

Минимальная цена CGH40035F при покупке от 1 шт 56343.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH40035F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGH40035F

  • Package
    Tray
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 4GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    10.5A
  • Тестовый ток
    500 mA
  • Мощность передачи
    45W
  • Нормальное напряжение
    84 V
  • Корпус
    440193
  • Исполнение корпуса
    440193
  • Base Product Number
    CGH40
Техническая документация
 CGH40035F.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 539 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    56 343 ₽
  • 10
    47 395 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CGH40035F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193Все характеристики

Минимальная цена CGH40035F при покупке от 1 шт 56343.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGH40035F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGH40035F

  • Package
    Tray
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    0Hz ~ 4GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    10.5A
  • Тестовый ток
    500 mA
  • Мощность передачи
    45W
  • Нормальное напряжение
    84 V
  • Корпус
    440193
  • Исполнение корпуса
    440193
  • Base Product Number
    CGH40
Техническая документация
 CGH40035F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G10LS-270GVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    15 165Кешбэк 2 274 балла
    ARF1500Транзистор: MOSFET RF N-CH 500V 60A T1
    57 945Кешбэк 8 691 балл
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    43Кешбэк 6 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 208Кешбэк 181 балл
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    4 238Кешбэк 635 баллов
    A2I08H040GNR1Транзистор: IC RF LDMOS AMP
    1 417Кешбэк 212 баллов
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    45 856Кешбэк 6 878 баллов
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    17 693Кешбэк 2 653 балла
    MRF8P9040NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V TO272-4
    4 246Кешбэк 636 баллов
    MMBFJ211Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    123Кешбэк 18 баллов
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    17 693Кешбэк 2 653 балла
    BLF8G09LS-400PGWQТранзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V CDFM8
    16 974Кешбэк 2 546 баллов
    MRF166CТранзистор: FET RF 65V 500MHZ 319-07
    13 945Кешбэк 2 091 балл
    BLF183XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    37 445Кешбэк 5 616 баллов
    BLC8G20LS-400AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
    15 133Кешбэк 2 269 баллов
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    3 325Кешбэк 498 баллов
    MRF137Транзистор: FET RF 65V 400MHZ 211-07
    13 228Кешбэк 1 984 балла
    2SK209-BL(TE85L,F)Транзистор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    129Кешбэк 19 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    62 368Кешбэк 9 355 баллов
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    15 165Кешбэк 2 274 балла
    BLF6G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    14 294Кешбэк 2 144 балла
    CGH40090PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    91 761Кешбэк 13 764 балла
    MRF148AТранзистор: FET RF 120V 175MHZ 211-07
    13 919Кешбэк 2 087 баллов
    BLC8G27LS-180AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
    11 818Кешбэк 1 772 балла
    MRF6S19100NBR1Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    10 020Кешбэк 1 503 балла
    ARF460AGТранзистор: FET RF N-CH 500V 14A TO247
    10 565Кешбэк 1 584 балла
    BLS6G2731-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
    56 062Кешбэк 8 409 баллов
    ARF465AGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    11 527Кешбэк 1 729 баллов
    CGH40180PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    128 340Кешбэк 19 251 балл
    BLF7G10LS-250,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
    19 647Кешбэк 2 947 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП