Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
CGHV1F006S
CGHV1F006S

CGHV1F006S

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV1F006S
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFNВсе характеристики

Минимальная цена CGHV1F006S при покупке от 1 шт 16835.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV1F006S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGHV1F006S

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    16dB
  • Тестовое напряжение
    40 V
  • Current Rating (Amps)
    950mA
  • Тестовый ток
    60 mA
  • Мощность передачи
    8W
  • Нормальное напряжение
    100 V
  • Корпус
    12-VFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    12-DFN (4x3)
  • Base Product Number
    CGHV1
Техническая документация
 CGHV1F006S.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 727 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    16 835 ₽
  • 10
    14 048 ₽
  • 25
    13 353 ₽
  • 100
    12 605 ₽
  • 250
    12 224 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV1F006S
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFNВсе характеристики

Минимальная цена CGHV1F006S при покупке от 1 шт 16835.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV1F006S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGHV1F006S

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    6GHz
  • Усиление
    16dB
  • Тестовое напряжение
    40 V
  • Current Rating (Amps)
    950mA
  • Тестовый ток
    60 mA
  • Мощность передачи
    8W
  • Нормальное напряжение
    100 V
  • Корпус
    12-VFDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    12-DFN (4x3)
  • Base Product Number
    CGHV1
Техническая документация
 CGHV1F006S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G24LS-100VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    ARF465BGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    BLF6G15L-40BRN,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 22DB SOT1112A
    BLS6G2731S-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    CGH40006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    MMRF1306HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-1230
    NPT25015DТранзистор: HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC
    BLF10H6600PSUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    BLF647PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    AFT26H250-24SR6Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
    AFT09MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
    MMRF1312HR5Транзистор: TRANS 900-1215MHZ 1000W PEAK 50V
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    AFT20S015NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    MMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    MRF6VP11KHR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI1230S-4
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    BF1205,115Транзистор: FET RF 10V 800MHZ 6TSSOP
    BLF6G22-45,135Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A
    VRF150Транзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    AFT05MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
    BLL6H0514L-130,112Транзистор
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    CGH55015F2Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    BF256CТранзистор: JFET N-CH 30V 18MA TO92
    BLF6G22LS-130,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП