CGHV35150F

CGHV35150F MACOM Technology Solutions

• RF MOSFET HEMT (High Electron Mobility Transistor)
• Номинальное напряжение: 50В
• Рабочая частота: до 44 GHz
• Потребляемая мощность: до 1.25 Вт

Основные параметры:

• Максимальная рабочая температура: +150°C
• Тип соединения: SMT (Surface Mount Technology)
• Количество элементов в упаковке: 1 шт.

Плюсы:

• Высокая скорость передачи данных
• Эффективность работы при высоких частотах
• Устойчивость к перегрузкам
• Малый размер и легкость интеграции

Минусы:

• Высокая стоимость
• Необходимость использования специального оборудования для монтажа
• Требуются дополнительные меры охлаждения при работе под нагрузкой

Общее назначение:

• Использование в радиолокационных системах
• Радиостанции высокой мощности
• Системы спутниковой связи
• Телекоммуникационное оборудование

Применяется в:

• Стационарных радиолокационных станциях
• Мобильных радиолокационных комплексах
• Коммуникационных сетях с высокой скоростью передачи данных
• Спутниковых системах связи