Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
CGHV35150F
CGHV35150F

CGHV35150F

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV35150F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193Все характеристики

Минимальная цена CGHV35150F при покупке от 1 шт 96274.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV35150F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGHV35150F

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    2.9GHz ~ 3.5GHz
  • Усиление
    13.3dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    12A
  • Тестовый ток
    500 mA
  • Мощность передачи
    170W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    440193
  • Исполнение корпуса
    440193
  • Base Product Number
    CGHV35150
Техническая документация
 CGHV35150F.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 139 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    96 274 ₽
  • 20
    85 741 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MACOM Technology Solutions
  • Артикул:
    CGHV35150F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193Все характеристики

Минимальная цена CGHV35150F при покупке от 1 шт 96274.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV35150F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики CGHV35150F

  • Package
    Tube
  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    2.9GHz ~ 3.5GHz
  • Усиление
    13.3dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    12A
  • Тестовый ток
    500 mA
  • Мощность передачи
    170W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    440193
  • Исполнение корпуса
    440193
  • Base Product Number
    CGHV35150
Техническая документация
 CGHV35150F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLP05H6350XRYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
    11 496Кешбэк 1 724 балла
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    4 327Кешбэк 649 баллов
    BF1210,115Транзистор: FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP
    63Кешбэк 9 баллов
    NE3511S02-AHJ-FET NCH 13.5DB S02
    1 428Кешбэк 214 баллов
    BLF7G10L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
    24 025Кешбэк 3 603 балла
    BLF6G22-45,135Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A
    9 879Кешбэк 1 481 балл
    BLF7G27L-150P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A
    26 081Кешбэк 3 912 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    57 520Кешбэк 8 628 баллов
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    49 749Кешбэк 7 462 балла
    BLF2425M7LS250P,11Транзистор
    27 638Кешбэк 4 145 баллов
    MRF8P23080HSR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    11 756Кешбэк 1 763 балла
    SD4933MRТранзистор: TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177
    30 914Кешбэк 4 637 баллов
    MMRF1006HR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V NI-1230
    95 499Кешбэк 14 324 балла
    SD4933Транзистор: TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177
    23 994Кешбэк 3 599 баллов
    MRFE6VP5600HR6Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    56 332Кешбэк 8 449 баллов
    MRF141GТранзистор: FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04
    66 600Кешбэк 9 990 баллов
    AFT20S015NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2
    6 364Кешбэк 954 балла
    BLF7G24L-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
    13 563Кешбэк 2 034 балла
    SD4931Транзистор: TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M174
    16 744Кешбэк 2 511 баллов
    MRF6S19100NBR1Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    10 230Кешбэк 1 534 балла
    BLC8G27LS-210PVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513
    15 396Кешбэк 2 309 баллов
    BLF542,112Транзистор: RF FET NCHA 65V 16DB SOT171A
    12 160Кешбэк 1 824 балла
    MRF148AТранзистор: FET RF 120V 175MHZ 211-07
    12 923Кешбэк 1 938 баллов
    BF1201WR,135MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    67Кешбэк 10 баллов
    AFT23S170-13SR3Транзистор: FET RF 65V 2.4GHZ NI780S-2L4S
    26 638Кешбэк 3 995 баллов
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 721Кешбэк 558 баллов
    BLF184XRUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A
    42 030Кешбэк 6 304 балла
    SD2942WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M244
    36 666Кешбэк 5 499 баллов
    BLF573S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
    31 926Кешбэк 4 788 баллов
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    122 901Кешбэк 18 435 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП