Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
CGHV59070F
  • В избранное
  • В сравнение
CGHV59070F

CGHV59070F

CGHV59070F
;
CGHV59070F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CGHV59070F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440224Все характеристики

Минимальная цена CGHV59070F при покупке от 1 шт 148649.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV59070F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CGHV59070F

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: CGHV59070F
      • Производитель: Wolfspeed
      • Тип: RF MOSFET HEMT
      • Номинальное напряжение: 50В
      • Инфраструктурная характеристика: 440224
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения
      • Эффективность при работе в радиочастотном диапазоне
      • Высокая мощность
      • Устойчивость к перегреву
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют специального оборудования для монтажа и тестирования
    • Общее назначение:
      • Используется в радиоэлектронных устройствах
      • Применяется в системах передачи данных и сигналов
      • Подходит для работы в высокочастотных диапазонах
    • В каких устройствах применяется:
      • Системы мобильной связи
      • Радиолокационное оборудование
      • Источники питания высокой мощности
      • Автомобильные системы навигации и связи
Выбрано: Показать

Характеристики CGHV59070F

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    4.4GHz ~ 5.9GHz
  • Усиление
    13.3dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    150 mA
  • Мощность передачи
    76W
  • Нормальное напряжение
    150 V
  • Корпус
    440224
  • Исполнение корпуса
    440224
  • Base Product Number
    CGHV59070

Техническая документация

 CGHV59070F.pdf
pdf. 0 kb
  • 30 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    148 649 ₽
  • 10
    130 687 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed
  • Артикул:
    CGHV59070F
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440224Все характеристики

Минимальная цена CGHV59070F при покупке от 1 шт 148649.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CGHV59070F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CGHV59070F

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Маркировка: CGHV59070F
      • Производитель: Wolfspeed
      • Тип: RF MOSFET HEMT
      • Номинальное напряжение: 50В
      • Инфраструктурная характеристика: 440224
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения
      • Эффективность при работе в радиочастотном диапазоне
      • Высокая мощность
      • Устойчивость к перегреву
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
      • Требуют специального оборудования для монтажа и тестирования
    • Общее назначение:
      • Используется в радиоэлектронных устройствах
      • Применяется в системах передачи данных и сигналов
      • Подходит для работы в высокочастотных диапазонах
    • В каких устройствах применяется:
      • Системы мобильной связи
      • Радиолокационное оборудование
      • Источники питания высокой мощности
      • Автомобильные системы навигации и связи
Выбрано: Показать

Характеристики CGHV59070F

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    4.4GHz ~ 5.9GHz
  • Усиление
    13.3dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    150 mA
  • Мощность передачи
    76W
  • Нормальное напряжение
    150 V
  • Корпус
    440224
  • Исполнение корпуса
    440224
  • Base Product Number
    CGHV59070

Техническая документация

 CGHV59070F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    WP4806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 48V DC ~ 6GHZ, 25W
    25 268Кешбэк 3 790 баллов
    WP2806045UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W
    28 047Кешбэк 4 207 баллов
    WPGM0206012Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    92 633Кешбэк 13 894 балла
    WPGM1517050Транзистор: RF GAN HEMT MMIC 2pcs/pack
    173 687Кешбэк 26 053 балла
    SP6122ACUМикросхема: LOW VOLTAGE PFET BUCK CONTROLLER
    91Кешбэк 13 баллов
    2SK1482-T-AZSMALL SIGNAL FET
    111Кешбэк 16 баллов
    MRF300ANТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    14 110Кешбэк 2 116 баллов
    MRF1K50HR5Транзистор: HIGH POWER RF TRANSISTOR
    71 219Кешбэк 10 682 балла
    2SK2552-T1-ASMALL SIGNAL FET
    41Кешбэк 6 баллов
    2SK853A(1)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    43Кешбэк 6 баллов
    2SK3718-T1-AТранзистор: N-CHANNEL J-FET
    44.5Кешбэк 6 баллов
    2SK852-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK852-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA608T(0)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA608T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA509TA-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    54Кешбэк 8 баллов
    2SK3230-T1-ASMALL SIGNAL FET
    59Кешбэк 8 баллов
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    65Кешбэк 9 баллов
    2SK3105-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    135Кешбэк 20 баллов
    NE3515S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    163Кешбэк 24 балла
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    178Кешбэк 26 баллов
    2SK3984-ZK-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    196Кешбэк 29 баллов
    NE3513M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    220Кешбэк 33 балла
    NE3503M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    224Кешбэк 33 балла
    NE3517S03-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    308Кешбэк 46 баллов
    2SK3113-Z-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    322Кешбэк 48 баллов
    MWT-PH33FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    3 211Кешбэк 481 балл
    MWT-5FТранзистор: GAAS MESFET
    12 933Кешбэк 1 939 баллов
    MWT-PH8FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    16 024Кешбэк 2 403 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП