Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
CLF1G0035-100PU
  • В избранное
  • В сравнение
CLF1G0035-100PU

CLF1G0035-100PU

CLF1G0035-100PU
;
CLF1G0035-100PU

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    CLF1G0035-100PU
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOSTВсе характеристики

Минимальная цена CLF1G0035-100PU при покупке от 1 шт 56380.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CLF1G0035-100PU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CLF1G0035-100PU

CLF1G0035-100PU от NXP USA Inc.

  • Тип: RF MOSFET HEMT (High Electron Mobility Transistor)
  • Номинальное напряжение: 50В
  • Технология: LDMOST (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)

Основные параметры:

  • Питание: до 50В
  • Максимальная токовая способность: 35А (в зависимости от условий)
  • Частота: до нескольких ГГц
  • Эффективность: высокая
  • Скорость переключения: высокая

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения: позволяет использовать при больших частотах
  • Высокая эффективность: снижает потери энергии
  • Устойчивость к скачкам напряжения: обеспечивает надежную работу в различных условиях
  • Низкий уровень шума: важен для радиоэлектронных устройств

Минусы:

  • Высокая стоимость: по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуются специальные условия работы: например, охлаждение
  • Необходим специальный опыт при выборе и применении: требуются знания специфических характеристик

Общее назначение:

  • Используется в радиоэлектронных устройствах
  • Применяется в системах связи
  • Входит в состав радиоприемников и передатчиков
  • Используется в.radionavigational and telemetry systems
Выбрано: Показать

Характеристики CLF1G0035-100PU

  • Тип транзистора
    GaN HEMT
  • Частота
    3GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    100W
  • Нормальное напряжение
    150 V
  • Корпус
    SOT-1228A
  • Исполнение корпуса
    LDMOST
  • Base Product Number
    CLF1G0035

Техническая документация

 CLF1G0035-100PU.pdf
pdf. 0 kb
  • 25 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    56 380 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    CLF1G0035-100PU
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOSTВсе характеристики

Минимальная цена CLF1G0035-100PU при покупке от 1 шт 56380.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CLF1G0035-100PU с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CLF1G0035-100PU

CLF1G0035-100PU от NXP USA Inc.

  • Тип: RF MOSFET HEMT (High Electron Mobility Transistor)
  • Номинальное напряжение: 50В
  • Технология: LDMOST (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)

Основные параметры:

  • Питание: до 50В
  • Максимальная токовая способность: 35А (в зависимости от условий)
  • Частота: до нескольких ГГц
  • Эффективность: высокая
  • Скорость переключения: высокая

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения: позволяет использовать при больших частотах
  • Высокая эффективность: снижает потери энергии
  • Устойчивость к скачкам напряжения: обеспечивает надежную работу в различных условиях
  • Низкий уровень шума: важен для радиоэлектронных устройств

Минусы:

  • Высокая стоимость: по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуются специальные условия работы: например, охлаждение
  • Необходим специальный опыт при выборе и применении: требуются знания специфических характеристик

Общее назначение:

  • Используется в радиоэлектронных устройствах
  • Применяется в системах связи
  • Входит в состав радиоприемников и передатчиков
  • Используется в.radionavigational and telemetry systems
Выбрано: Показать

Характеристики CLF1G0035-100PU

  • Тип транзистора
    GaN HEMT
  • Частота
    3GHz
  • Усиление
    14dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    100W
  • Нормальное напряжение
    150 V
  • Корпус
    SOT-1228A
  • Исполнение корпуса
    LDMOST
  • Base Product Number
    CLF1G0035

Техническая документация

 CLF1G0035-100PU.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
    30Кешбэк 4 балла
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    32Кешбэк 4 балла
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    34.4Кешбэк 5 баллов
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    35.5Кешбэк 5 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    MMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    44Кешбэк 6 баллов
    MMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    44Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ310LT3GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    47.5Кешбэк 7 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    51Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ309LT1GТранзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    91Кешбэк 13 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    104Кешбэк 15 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 231Кешбэк 184 балла
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    3 518Кешбэк 527 баллов
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 688Кешбэк 703 балла
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 688Кешбэк 703 балла
    BLM7G1822S-20PBGYRF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121
    5 351Кешбэк 802 балла
    BLP8G10S-45PGYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP
    5 653Кешбэк 847 баллов
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 000Кешбэк 1 050 баллов
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 000Кешбэк 1 050 баллов
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 477Кешбэк 1 121 балл
    BLF6G27-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    7 503Кешбэк 1 125 баллов
    BLM8G0710S-15PBGYRF FET LDMOS 65V 36.1DB SOT12122
    8 563Кешбэк 1 284 балла
    BLF8G27LS-100JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    11 540Кешбэк 1 731 балл
    BLF8G27LS-100UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
    11 540Кешбэк 1 731 балл
    BLF6G22-45,135Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT608A
    11 850Кешбэк 1 777 баллов
    BLF6G22LS-40P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
    12 015Кешбэк 1 802 балла
    BLF7G24LS-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    12 091Кешбэк 1 813 баллов
    BLF542,112Транзистор: RF FET NCHA 65V 16DB SOT171A
    12 135Кешбэк 1 820 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП