Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
CSD19531Q5AT
  • В избранное
  • В сравнение
CSD19531Q5AT

CSD19531Q5AT

CSD19531Q5AT
;
CSD19531Q5AT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TEXAS INSTRUMENTS
  • Артикул:
    CSD19531Q5AT
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 100A 8VSONВсе характеристики

Минимальная цена CSD19531Q5AT при покупке от 1 шт 561.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CSD19531Q5AT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CSD19531Q5AT

CSD19531Q5AT от Texas Instruments — MOSFET N-канальный с напряжением блокировки 100В и током прямого тока 100А.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Напряжение блокировки: 100В
    • Ток прямого тока: 100А
    • Номинальное напряжение включения: 8В
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый динамический ток
    • Высокая надежность и долговечность
    • Уменьшение тепловыделения благодаря низкому коэффициенту теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева
    • Необходимо учесть влияние на работу при высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Использование в высокопроизводительных электронных системах
    • Применяется в преобразователях питания
    • Подходит для управления мощными нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Преобразователи напряжения
    • Мощные инверторы
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики CSD19531Q5AT

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.4mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3870 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.3W (Ta), 125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-VSONP (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    CSD19531

Техническая документация

 CSD19531Q5AT.pdf
pdf. 0 kb
  • 329 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    561 ₽
  • 10
    372 ₽
  • 25
    337 ₽
  • 100
    289 ₽
  • 250
    258 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TEXAS INSTRUMENTS
  • Артикул:
    CSD19531Q5AT
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V 100A 8VSONВсе характеристики

Минимальная цена CSD19531Q5AT при покупке от 1 шт 561.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CSD19531Q5AT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CSD19531Q5AT

CSD19531Q5AT от Texas Instruments — MOSFET N-канальный с напряжением блокировки 100В и током прямого тока 100А.

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Напряжение блокировки: 100В
    • Ток прямого тока: 100А
    • Номинальное напряжение включения: 8В
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый динамический ток
    • Высокая надежность и долговечность
    • Уменьшение тепловыделения благодаря низкому коэффициенту теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева
    • Необходимо учесть влияние на работу при высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Использование в высокопроизводительных электронных системах
    • Применяется в преобразователях питания
    • Подходит для управления мощными нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы питания
    • Преобразователи напряжения
    • Мощные инверторы
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики CSD19531Q5AT

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.4mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3870 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.3W (Ta), 125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-VSONP (5x6)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    CSD19531

Техническая документация

 CSD19531Q5AT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPB180N08S402ATMA1MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
    1 204Кешбэк 180 баллов
    FQT4N25TFMOSFET N-CH 250V 830MA SOT223-4
    109Кешбэк 16 баллов
    SI7862ADP-T1-E3MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8
    934Кешбэк 140 баллов
    PMN48XPAXMOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
    119Кешбэк 17 баллов
    NTD4858NT4GMOSFET N-CH 25V 11.2A/73A DPAK
    202Кешбэк 30 баллов
    IRFS41N15DTRLPHEXFET POWER MOSFET
    545Кешбэк 81 балл
    STD3N62K3Транзистор: MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
    110Кешбэк 16 баллов
    ZVN4106FTAMOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
    149Кешбэк 22 балла
    CSD16410Q5AMOSFET N-CH 25V 16A/59A 8VSON
    241Кешбэк 36 баллов
    FDD86113LZТранзистор: MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
    246Кешбэк 36 баллов
    IPD082N10N3GATMA1MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
    252Кешбэк 37 баллов
    IXFH18N90PMOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
    2 295Кешбэк 344 балла
    NP50P04SDG-E1-AYMOSFET P-CH 40V 50A TO252
    499Кешбэк 74 балла
    IRFS3107TRLPBFMOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
    899Кешбэк 134 балла
    FDB120N10MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
    528Кешбэк 79 баллов
    IRFR1N60ATRPBFMOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    STD65N55F3MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
    487Кешбэк 73 балла
    STU9HN65M2MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
    267Кешбэк 40 баллов
    STD9NM60NMOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
    207Кешбэк 31 балл
    VN3205N8-GMOSFET N-CH 50V 1.5A TO243AA
    337Кешбэк 50 баллов
    IRFU420PBFMOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
    122Кешбэк 18 баллов
    DMN6040SVT-7MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
    123Кешбэк 18 баллов
    IRFI840GPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3
    298Кешбэк 44 балла
    FQD1N80TMMOSFET N-CH 800V 1A DPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    IRFR024MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
    172Кешбэк 25 баллов
    FDA2712MOSFET N-CH 250V 64A TO3PN
    2 175Кешбэк 326 баллов
    FDS6675BZТранзистор: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
    160Кешбэк 24 балла
    FQP17N08MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
    76Кешбэк 11 баллов
    STL24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
    706Кешбэк 105 баллов
    AUIRLR3105MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП