Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - мостовые выпрямители
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
  • В избранное
  • В сравнение
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
;
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
  • Описание:
    LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311Все характеристики

Минимальная цена DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 при покупке от 1 шт 10842.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311 — это полупроводниковый элемент, конкретно полевой транзистор N-канального типа. Основные характеристики и особенности:

  • Номинальный ток стока (ID): 20 А
  • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 12 В
  • Низкое энергопотребление: до 2 мА при неактивном состоянии
  • Минимальное время переключения (trrd): 1 нс
  • Технология производства: SiC (silicon carbide)
  • Пакет: TO-247

Плюсы:

  • Высокая эффективность в режиме низкого напряжения
  • Низкое энергопотребление в режиме ожидания
  • Быстрое переключение
  • Устойчивость к шумам

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требует специфического проектирования для эффективной работы

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных системах
  • Привод управления двигателей
  • Инверторы и преобразователи

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем
  • Энергоэффективных системах питания
  • Приборах для домашнего использования, требующих высокой эффективности
Выбрано: Показать

Характеристики DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

  • Package
    Tray
  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1.2 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.85 V @ 20 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    58 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-EASY1B-1

Техническая документация

 DDB2U20N12W1RFB11BPSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 147 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    10 842 ₽
  • 5
    10 544 ₽
  • 24
    8 013 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
  • Описание:
    LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311Все характеристики

Минимальная цена DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 при покупке от 1 шт 10842.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 Infineon Technologies LOW POWER EASY AG-EASY1B-2311 — это полупроводниковый элемент, конкретно полевой транзистор N-канального типа. Основные характеристики и особенности:

  • Номинальный ток стока (ID): 20 А
  • Номинальное напряжение блокировки (VDS): 12 В
  • Низкое энергопотребление: до 2 мА при неактивном состоянии
  • Минимальное время переключения (trrd): 1 нс
  • Технология производства: SiC (silicon carbide)
  • Пакет: TO-247

Плюсы:

  • Высокая эффективность в режиме низкого напряжения
  • Низкое энергопотребление в режиме ожидания
  • Быстрое переключение
  • Устойчивость к шумам

Минусы:

  • Высокая цена по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требует специфического проектирования для эффективной работы

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения в электронных системах
  • Привод управления двигателей
  • Инверторы и преобразователи

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем
  • Энергоэффективных системах питания
  • Приборах для домашнего использования, требующих высокой эффективности
Выбрано: Показать

Характеристики DDB2U20N12W1RFB11BPSA1

  • Package
    Tray
  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    1.2 kV
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    20 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.85 V @ 20 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    58 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    AG-EASY1B-1

Техническая документация

 DDB2U20N12W1RFB11BPSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DB15-043PH BRIDGE DB 400V 25A
    717Кешбэк 107 баллов
    KBPC10/15/2516FP1PH BRIDGE KBPC 1600V 25A
    721Кешбэк 108 баллов
    KBPC3514WP1PH BRIDGE KBPC 1400V 35A
    737Кешбэк 110 баллов
    KBPC3512WP1PH BRIDGE KBPC 1200V 35A
    748Кешбэк 112 баллов
    KBPC3512FP1PH BRIDGE KBPC 1200V 35A
    756Кешбэк 113 баллов
    KBPC3516WP1PH BRIDGE KBPC 1600V 35A
    774Кешбэк 116 баллов
    KBPC5004FP1PH BRIDGE KBPC 400V 50A
    793Кешбэк 118 баллов
    KBPC3504FPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 400V 35A
    793Кешбэк 118 баллов
    DB15-163PH BRIDGE DB 1600V 25A
    793Кешбэк 118 баллов
    KBPC3516FP1PH BRIDGE KBPC 1600V 35A
    800Кешбэк 120 баллов
    DB25-013PH BRIDGE DB 100V 25A
    800Кешбэк 120 баллов
    DB25-103PH BRIDGE DB 1000V 25A
    806Кешбэк 120 баллов
    DB15-123PH BRIDGE DB 1200V 25A
    826Кешбэк 123 балла
    DB35-043PH BRIDGE DB 400V 35A
    830Кешбэк 124 балла
    KBPC5002FPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 200V 50A
    836Кешбэк 125 баллов
    DB35-063PH BRIDGE DB 600V 35A
    852Кешбэк 127 баллов
    DB25-083PH BRIDGE DB 800V 25A
    863Кешбэк 129 баллов
    KBPC5010WPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 1000V 50A
    880Кешбэк 132 балла
    KBPC5008FP1PH BRIDGE KBPC 800V 50A
    882Кешбэк 132 балла
    KBPC5010FPДиод: 1PH BRIDGE KBPC 1000V 50A
    886Кешбэк 132 балла
    DB35-163PH BRIDGE DB 1600V 35A
    902Кешбэк 135 баллов
    KBPC5012FP1PH BRIDGE KBPC 1200V 50A
    921Кешбэк 138 баллов
    KBPC3501WP1PH BRIDGE KBPC 100V 35A
    971Кешбэк 145 баллов
    DB25-063PH BRIDGE DB 600V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    DB25-043PH BRIDGE DB 400V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    DB15-10Диод: 3PH BRIDGE DB 1000V 25A
    973Кешбэк 145 баллов
    KBPC5008WP1PH BRIDGE KBPC 800V 50A
    1 002Кешбэк 150 баллов
    DB35-083PH BRIDGE DB 800V 35A
    1 019Кешбэк 152 балла
    DB15-083PH BRIDGE DB 800V 25A
    1 023Кешбэк 153 балла
    KBPC10/15/2501WP1PH BRIDGE KBPC 100V 25A
    1 032Кешбэк 154 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Модули
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП