Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
DDTA115EUA-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
DDTA115EUA-7-F

DDTA115EUA-7-F

DDTA115EUA-7-F
;
DDTA115EUA-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTA115EUA-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323Все характеристики

Минимальная цена DDTA115EUA-7-F при покупке от 1 шт 34.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTA115EUA-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTA115EUA-7-F

Транзистор DDTA115EUA-7-F от Diodes Incorporated – это предобъединённый (pre-biased) PNP транзистор в корпусе SOT323, предназначенный для использования в качестве переключателя или усилителя в различных электронных схемах.

  • Основные параметры:
  • Тип транзистора: PNP
  • Мощность рассеяния: 200 мВт
  • Корпус: SOT323
  • Предварительное смещение: Да (pre-biased) – упрощает схему, устраняя необходимость в дополнительных резисторах для установки рабочей точки.
  • Напряжение коллектор-эмиттер: -25 В
  • Ток коллектора: -150 мА
  • Коэффициент усиления по току (hFE): Обычно от 120 до 480 (зависит от тока коллектора)

Плюсы:

  • Упрощение схемы благодаря предварительному смещению.
  • Компактный корпус SOT323 позволяет использовать в миниатюрных устройствах.
  • Низкая стоимость.

Минусы:

  • Ограниченная мощность рассеяния (200 мВт).
  • Ограниченные параметры по напряжению и току по сравнению с более крупными транзисторами.
  • hFE может значительно варьироваться.

Общее назначение:

Используется в качестве переключателя или низкочастотного усилителя.

Применяется в:

  • Потребительской электронике.
  • Портативных устройствах.
  • Схемах управления малой мощности.
  • Логических схемах.
  • В качестве нагрузки в цифровых схемах.
Выбрано: Показать

Характеристики DDTA115EUA-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    82 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    DDTA115

Техническая документация

 DDTA115EUA-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 1706 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    34 ₽
  • 100
    29 ₽
  • 1000
    16 ₽
  • 6000
    7.4 ₽
  • 24000
    5.9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTA115EUA-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323Все характеристики

Минимальная цена DDTA115EUA-7-F при покупке от 1 шт 34.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTA115EUA-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTA115EUA-7-F

Транзистор DDTA115EUA-7-F от Diodes Incorporated – это предобъединённый (pre-biased) PNP транзистор в корпусе SOT323, предназначенный для использования в качестве переключателя или усилителя в различных электронных схемах.

  • Основные параметры:
  • Тип транзистора: PNP
  • Мощность рассеяния: 200 мВт
  • Корпус: SOT323
  • Предварительное смещение: Да (pre-biased) – упрощает схему, устраняя необходимость в дополнительных резисторах для установки рабочей точки.
  • Напряжение коллектор-эмиттер: -25 В
  • Ток коллектора: -150 мА
  • Коэффициент усиления по току (hFE): Обычно от 120 до 480 (зависит от тока коллектора)

Плюсы:

  • Упрощение схемы благодаря предварительному смещению.
  • Компактный корпус SOT323 позволяет использовать в миниатюрных устройствах.
  • Низкая стоимость.

Минусы:

  • Ограниченная мощность рассеяния (200 мВт).
  • Ограниченные параметры по напряжению и току по сравнению с более крупными транзисторами.
  • hFE может значительно варьироваться.

Общее назначение:

Используется в качестве переключателя или низкочастотного усилителя.

Применяется в:

  • Потребительской электронике.
  • Портативных устройствах.
  • Схемах управления малой мощности.
  • Логических схемах.
  • В качестве нагрузки в цифровых схемах.
Выбрано: Показать

Характеристики DDTA115EUA-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    82 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    DDTA115

Техническая документация

 DDTA115EUA-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DDTC123TCA-7Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    32Кешбэк 4 балла
    DDTC114GCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    32Кешбэк 4 балла
    DDTC143FCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    34Кешбэк 5 баллов
    DDTA143XUA-7Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
    34Кешбэк 5 баллов
    DDTC144TUA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
    34Кешбэк 5 баллов
    DDTC124XUA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
    34Кешбэк 5 баллов
    DDTA115EUA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
    34Кешбэк 5 баллов
    DDTC114ECA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    35Кешбэк 5 баллов
    DDTB122TU-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
    36Кешбэк 5 баллов
    DDTA123JCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    DDTC143ZCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    DDTC143XCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC113ZCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC114YCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC143TCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC115ECA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC114WCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTA142JE-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTA114WCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC144VCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTA143ECA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC113TE-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTA123TCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC144ECA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC113TCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC124TCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC123TE-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTA124ECA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTC144TCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов
    DDTA144WCA-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
    38Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Симисторы
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП