Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DDTC114EE-7-F

DDTC114EE-7-F

DDTC114EE-7-F
;
DDTC114EE-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC114EE-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523Все характеристики

Минимальная цена DDTC114EE-7-F при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC114EE-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC114EE-7-F

DDTC114EE-7-F — это транзистор Транспреаис NPN с мощностью 150 мВт и корпусом SOT523 от компании Diodes Incorporated.

  • Основные параметры:
    • VCEO: 40 В
    • IC: 150 mA
    • Ptot: 150 мВт
    • Температура: -40°C до +125°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер корпуса SOT523
    • Надежная работа при больших температурах
  • Минусы:
    • Не подходит для очень высоких частот
    • Могут быть проблемы с термическим дизайном при длительной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Распределение сигналов
    • Применяется в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (сотовые телефоны, планшеты)
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли
    • Компьютерное оборудование
    • Телевизоры и аудиосистемы
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC114EE-7-F

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-523
  • Исполнение корпуса
    SOT-523
  • Base Product Number
    DDTC114

Техническая документация

DDTC114EE-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 4750 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    52 ₽
  • 100
    19.4 ₽
  • 1000
    12.6 ₽
  • 6000
    9.5 ₽
  • 15000
    8.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC114EE-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523Все характеристики

Минимальная цена DDTC114EE-7-F при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC114EE-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC114EE-7-F

DDTC114EE-7-F — это транзистор Транспреаис NPN с мощностью 150 мВт и корпусом SOT523 от компании Diodes Incorporated.

  • Основные параметры:
    • VCEO: 40 В
    • IC: 150 mA
    • Ptot: 150 мВт
    • Температура: -40°C до +125°C
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к перегреву
    • Малый размер корпуса SOT523
    • Надежная работа при больших температурах
  • Минусы:
    • Не подходит для очень высоких частот
    • Могут быть проблемы с термическим дизайном при длительной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Усилители сигнала
    • Распределение сигналов
    • Применяется в цифровых и аналоговых схемах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (сотовые телефоны, планшеты)
    • Автомобильные системы
    • Игровые консоли
    • Компьютерное оборудование
    • Телевизоры и аудиосистемы
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC114EE-7-F

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-523
  • Исполнение корпуса
    SOT-523
  • Base Product Number
    DDTC114

Техническая документация

DDTC114EE-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории