Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
DDTC115ECA-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
DDTC115ECA-7-F

DDTC115ECA-7-F

DDTC115ECA-7-F
;
DDTC115ECA-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC115ECA-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена DDTC115ECA-7-F при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC115ECA-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC115ECA-7-F

DDTC115ECA-7-F — это транзистор типа NPN, выпущенный компанией Diodes Incorporated. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах благодаря своим техническим характеристикам.

  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальная мощность: 200 мВт
  • Количество выводов: 3 (SOT23-3)
  • Применение: Предбиас (TRANS PREBIAS)

Основные параметры:

  • ICBO: Максимальный ток между базой и коллектором при открытом эмиттере
  • VCEO: Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при открытой базе
  • hFE: Угол усиления (коэффициент усиления)
  • Ptot: Общая мощность

Плюсы:

  • Высокая мощность: Может обрабатывать до 200 мВт.
  • Компактность: Использует небольшую схему SOT23-3.
  • Устойчивость к перегреву: Защищен от перегрева благодаря своим характеристикам.

Минусы:

  • Ограниченная динамичность: Может не подойти для высокочастотных приложений из-за ограничений по частоте.
  • Требуется предбиас: Некоторые приложения могут требовать дополнительного питания или сигнала для правильной работы.

Общее назначение:

  • Усилители сигнала: Используются для усиления слабых сигналов.
  • Переключатели: Применяются в системах управления для переключения между разными состояниями.
  • Буферы: Стабилизируют напряжения и управляют нагрузками.

В каких устройствах применяется:

  • Игровые консоли и периферийное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Электронные часы и другие портативные устройства
  • Мобильные телефоны и планшеты
  • Системы управления освещением
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC115ECA-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    82 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    DDTC115

Техническая документация

 DDTC115ECA-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 12436 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 100
    14 ₽
  • 1000
    9 ₽
  • 6000
    6.6 ₽
  • 15000
    5.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC115ECA-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена DDTC115ECA-7-F при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC115ECA-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC115ECA-7-F

DDTC115ECA-7-F — это транзистор типа NPN, выпущенный компанией Diodes Incorporated. Он предназначен для использования в различных электронных устройствах благодаря своим техническим характеристикам.

  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальная мощность: 200 мВт
  • Количество выводов: 3 (SOT23-3)
  • Применение: Предбиас (TRANS PREBIAS)

Основные параметры:

  • ICBO: Максимальный ток между базой и коллектором при открытом эмиттере
  • VCEO: Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при открытой базе
  • hFE: Угол усиления (коэффициент усиления)
  • Ptot: Общая мощность

Плюсы:

  • Высокая мощность: Может обрабатывать до 200 мВт.
  • Компактность: Использует небольшую схему SOT23-3.
  • Устойчивость к перегреву: Защищен от перегрева благодаря своим характеристикам.

Минусы:

  • Ограниченная динамичность: Может не подойти для высокочастотных приложений из-за ограничений по частоте.
  • Требуется предбиас: Некоторые приложения могут требовать дополнительного питания или сигнала для правильной работы.

Общее назначение:

  • Усилители сигнала: Используются для усиления слабых сигналов.
  • Переключатели: Применяются в системах управления для переключения между разными состояниями.
  • Буферы: Стабилизируют напряжения и управляют нагрузками.

В каких устройствах применяется:

  • Игровые консоли и периферийное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Электронные часы и другие портативные устройства
  • Мобильные телефоны и планшеты
  • Системы управления освещением
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC115ECA-7-F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    100 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    82 @ 5mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Base Product Number
    DDTC115

Техническая документация

 DDTC115ECA-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DTC024EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC023YMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC023EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA024EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC014EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC043TMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA023JMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3F
    39Кешбэк 5 баллов
    DTA014EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    39Кешбэк 5 баллов
    DTC123YKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    39.5Кешбэк 5 баллов
    DTC114EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC144EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC113ZKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    40Кешбэк 6 баллов
    DTC123JKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143ZKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA124EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC013ZEBTLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 0.15W SC89
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC123EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA044EMT2LТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114WUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114YKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA013ZEBTLТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 0.15W SC89
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC124XKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC923TUBTLТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114TKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143XUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA123EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC143ZUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTC114YUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA114EUAT106Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
    41Кешбэк 6 баллов
    DTA114EKAT146Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
    42Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП